π±介子上康普顿散射过程的重新计算

用微扰量子色动力学重新计算了π^±介子上的康普顿散射过程的截面和相位.此计算把实康普顿散射作为虚康普顿散射的一种极限情形进行了处理,重点是通过比较不同模型的分布振幅对物理可观察量的影响,说明分布振幅在端点区域的行为对康普顿散射过程截面和相位的影响,由此探索用微扰量子色动力学计算这个问题的自洽性问题.     

逐步增加的Ⅱ型截尾下系统可靠性的Bayes分析及寿命预测

在逐步增加的型截尾模型下,研究部件寿命服从双参数指数分布的冷贮备串联系统可靠性指标的Bayes估计及单样本场合未来观测值的预测问题.在两个参数均未知的情形下,分别在平方损失(SE)、LINEX损失和熵(General Entropy,GE)损失函数下给出两个参数及可靠性指标的Bayes估计,对于超参数的确定,给出一种新的方法;并讨论了单样本场合未来观测值的预测问题,给出预测分布及预测区间;最后利用随机模拟方法进行比较,并对结果进行了讨论.     

快速扫描探针在HL-2A装置边缘的参数分布测量

快速扫描探针系统在国内外的很多托克马克装置上得到广泛的应用，在等离子体的边缘SOL层所测量的物理参数都具有很高的时空分辨率。HL-2A装置上的扫描探针系统由传输杆、光栅尺、快速响应电磁阀、步进电机构成。在同一次放电条件下能测量的物理量有电子温度、电子密度、悬浮电位、极向电场和径向电场等参数。HL-2A装置的大半径为1．65m，小半径为0．4m，加热方式有中性束注入和电子回旋共振加热。     

整值随机变量序列的一类强律

本文引进似然比作为整值随机变量序列相对于服从Poisson分布的独立随机变量序列的偏差的一种度量，并通过限制似然比给出了样水空间的某种子集．在这种子集上得到了一类用不等式表示的强律，独立随机变量序列的一类强律是其特例．     

代数微分方程组的亚纯解

在本文里，利用亚纯函数的Ｎｅｖａｎｌｉｎｎａ的值分布理论，我们讨论了两类代数微分方程组的亚纯解的存在性问题，得到个更为精确的 结果。     

两个多元t分布之间的Kullback Leibler距离

该文将文［1］的结果推广到多元t分布的情形.结果表明, 两个多元t分布之间的Kullback Leibler距离与分布中的刻度矩阵之比的最大特征根密切相关.作为应用, 文章建立了一种在估计未知正定阵时的熵损失函数.     

Deep InP Gratings for Opto-Electronic Devices Etched by C12/CH4/Ar Inductively Coupled Plasma

Deep InP gratings are etched by C12/CH4/Ar inductively coupled plasma （ICP） at room temperature. A comparison is made between SiNz mask patterns formed by wet and dry etching. SF6 reactive ion etching is adopted for smooth and vertical sidewall. The etching conditions of C12/CH4/Ar ICP are optimized for high anisotropy, and a 1.7-μm-deep InP grating with an aspect ratio of 10：1 is demonstrated. The technique is then used for the fabrication of 1.55-μm laterally coupled distributed feedback A1GMnAs-InP laser.     

证券回报序列的统计分析

稳定分布已被广泛应用于金融研究中，本文采用基于稳定分布特征函数的参数估计方法来对上海交易所的综合股指的分布作了拟台研究，并给出了一些相应的计算技巧，研究表明稳定分布能反映金融数据的尖峰厚尾性。而它又具有正态分布的良好统计性质。可以很好地描述金融市场的实际行为。是很适合运用到一些要求有精确分布的分析技术上去，如风险监管技术、投资组合理论等。     

一个具有随机丢弃分组机制且分组成批到达的GI~X/M/1/N排队系统

利用排队论中输入流稀疏化的方法,在标准的GIX/M/1/N排队系统中嵌入网络交换设备随机丢弃分组的机制,建立了一个具有随机丢弃分组机制的扩充的GIX/M/1/N排队系统,并讨论了该排队系统的分组丢失率、系统利用率、队列长度的均值/方差、平均等待时间等性能评价指标.     

Li-Al模拟靶件内中子注量率分布计算

为确保Li-Al模拟靶件辐照实验顺利实现，需要从理论上了解靶件内的中子注量率。