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对于顶面出光的浅面浮雕VCSEL结构,有源区的电流密度分布的不均性制约着单模稳定性的提高。为此,提出了一种新型结构:氧化铟锡透明导电薄膜(ITO)浅面浮雕VCSEL。该结构不仅能够增大高阶模式的阈值增益,还能够提高基模的增益,实现基模对高阶模式的稳定抑制。研究了ITO的厚度对阈值增益的影响及ITO对VCSEL有源区电流密度分布的影响。研究结果表明:在ITO的厚度为半波长的整数倍时,基模对高阶模式的限制作用最强;ITO通过改善VCSEL有源区的电流密度分布,达到了增大基模的增益和降低高阶模式增益的目的,同时还降低了串联电阻和外电压。 相似文献
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高功率980nm垂直腔面发射激光器的亮度特性 总被引:1,自引:0,他引:1
在循环水冷却(工作环境温度控制在15℃)和连续注入电流条件下,从垂直腔面发射激光器(VCSEL)亮度基本定义出发,实验测量了不同注入电流时口径为400μm的高功率980nm InGaAs/GaAs应变量子阱垂直腔面发射激光器(VCSEL)的亮度特性。结果表明:在注入电流4 A时,随着注入电流的增加,亮度也跟着增加;当注入电流4A时,尽管输出功率在增加,但是器件的光束质量变差,M2因子升高,表明此时影响器件亮度的主导因素是M2因子,所以亮度减小;在注入电流为4A,输出功率为1.2W时,亮度达到最大值2.43kW/cm2.sr,此时的光束质量最好,M2因子为207。最后,分析了影响高功率VCSEL器件亮度特性的主要因素,提出了提高器件亮度特性的解决方法。 相似文献
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Asymptotic Analysis of Vertical Branch-Cut Integral of Shear Waves in a Fluid-Filled Borehole Utilizing the Steepest-Descent Method 下载免费PDF全文
We obtain an asymptotic solution to the vertical branch-cut integral of shear waves excited by an impulsive pressure point source in a fluid-filled borehole, by taking the effect of the infinite singularity of the Hankel functions related to shear waves in the integrand at the shear branch point into account and using the method of steepest-descent to expand the vertical branch-cut integral of shear waves. It is theoretically proven that the saddle point of the integrand is located at ks-i/z, where ks and z are the shear branch point and the offset. The continuous and smooth amplitude spectra and the resonant peaks of shear waves are numerically calculated from the asymptotic solution. These asymptotic results are generally in agreement with the numerical integral results. It is also found by the comparison and analysis of two results that the resonant factor and the effect of the normal and leaking mode poles around the shear branch point lead to the two-peak characteristics of the amplitude spectra of shear waves in the resonant peak zones from the numerical integral calculations. 相似文献
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线段垂直平分线是初中数学几何部分非常重要的知识点,常在几何证明、计算、尺规作图中使用.考查方式通常比较灵活,且与角平分线结合考查时难度较高.基于此,本文对线段垂直平分线的四种常考题型进行分析,并以此为基础探究与垂直平分线有关的几何题的解决思路. 相似文献
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Derivation of baroclinic Ertel–Rossby invariant-based thermally-coupled vorticity equation in moist flow 下载免费PDF全文
For the potential vorticity (PV) invariant, there is a PV-based complete-form vorticity equation, which we use heuris- tically in the present paper to answer the following question: for the Ertel-Rossby invariant (ERI), is there a corresponding vorticity tendency equation? Such an ERI-based thermally-coupled vorticity equation is derived and discussed in detail in this study. From the obtained new vorticity equation, the vertical vorticity change is constrained by the vertical velocity term, the term associated with the slope of the generalized momentum surface, the term related to the horizontal vorticity change, and the baroclinic or solenoid term. It explicitly includes both the dynamical and thermodynamic factors' influence on the vorticity change. For the ERI itself, besides the traditional PV term, the ERI also includes the moisture factor, which is excluded in dry ERI, and the term related to the gradients of pressure, kinetic energy, and potential energy that reflects the fast-manifold property. Therefore, it is more complete to describe the fast motions off the slow manifold for severe weather than the PV term. These advantages are naturally handed on and inherited by the ERI-based thermally-coupled vorticity equation. Then the ERI-based thermally-coupled vorticity equation is further transformed and compared with the traditional vorticity equation. The main difference between the two equations is the term which describes the contribution of the solenoid term to the vertical vorticity development. In a barotropic flow, the solenoid term disappears, then the ERI-based thermally-coupled vorticity equation can regress to the traditional vorticity equation. 相似文献
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本文用ANSYS有限元热分析软件模拟了基于AlN膜钝化层和Si O2膜钝化层的高功率垂直腔面发射半导体激光器(VCSEL)器件内部的热场分布和热矢量分布.目的是证明Al N膜钝化层要比SiO2膜钝化层有具更好的特性,使器件能更稳定的工作,提高器件的特性,经模拟得到基于Al N膜钝化层的VCSEL热阻为3.12℃/W,而基于SiO2膜钝化层的VCSEL的热阻为4.77℃/W.经实验测得基于Al N膜钝化层的VCSEL热阻为3.59℃/W而基于SiO2膜钝化层的VCSEL的热阻为4.82℃/W,模拟结果和实验结果吻合较好.说明AlN膜钝化层要比SiO2膜钝化层具有更好的热特性. 相似文献