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31.
基于CSCW的协同编著系统的设计 总被引:3,自引:0,他引:3
讨论了计算机支持的协同工作(CSCW)的主要技术,其中重点讨论了协同编著系统设计中的并发控制技术,指出了其与传统的并发控制技术的区别。根据CSCW的基本原理设计出了一个基于Browse/Server结构的协同编著系统的系统模型。该系统模型比传统的模型更加方便了用户之间通过Internet的浏览器进行协作。 相似文献
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Starting from a soliton model of SU(3) gauge fields, we investigate the behaviour of the model at finite temperature. it is found that colour confinement at zero temperature can be melted away under high temperatures. 相似文献
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通过调整Mn的成分,系统地研究了Ni81Fe19/Ni100-xMnx双层膜的磁学性质,特别是交换偏置场(Hex)的变化.当Ni100-xMnx中Mn的原子百分比在534%到600%之间时,对于150nm的Ni81Fe19,得到了最大的交换偏置场175kA/m,同时由于Mn对Ni81Fe19层的扩散所造成的磁矩的降低小于20%;高角x射线衍射证明Ni100-xMnx的晶格常数随着Mn成分的改变而变化,Mn含量越多,其晶格常数越大;制备态Ni100-xMnx膜晶格常数与θ相NiMn膜晶格常数的接近程度与NiMn膜θ相形成的容易程度相对应.也研究了交换偏置场随着Ni100-xMnx厚度的变化,第一次得到了当Ni100-xMnx中Mn的原子百分比为706%时,Ni81Fe19(150nm)/Ni100-xMnx(90nm)双层膜在经过240℃,5h退火后,可以有80kA/m的交换偏置场,此时铁磁层磁矩的大小几乎不变.
关键词:
Ni81Fe19/Ni100-xMnx
交换偏置场 相似文献
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采用高温热解法,以乙二胺为前驱液,在沉积有铁催化剂的p型硅(111)基底上制备出了定向生长的CNx纳米管.利用扫描电子显微镜、高分辨率透射电子显微镜和拉曼光谱对CNx纳米管进行了形貌观察和表征.CNx纳米管的高度在20?μm左右,直径在50—100nm之间,具有明显的“竹节状”结构,结晶有序度较差.对CNx纳米管薄膜进行低场致发射性能测试:外加电场为1.4V/μm,观察到20?μA /cm2发射电流,外电场升至2.54V/μm时发射电流达到1.280mA/cm2,在较高外电场下,没有发现电流“饱和”.这比
关键词:
CNx纳米管
高温热解
“竹节状”结构
场致发射 相似文献
36.
Monte Carlo (MC) simulations are used to simulate the voltage profile and the ionic conductivity s of Li ions in LixMn2O4 and its dependence on the lithium concentration x. The open circuit potential shows clearly the two plateaus in the charge/discharge curve, which agrees well with the experimental results. The two plateaus become more and more steep when the temperature is increased. The simulated ionic conductivity shows an M-shaped curve in the plot of ionic conductivity cr versus x when the simulation temperature is low. Interestingly,the minimum valley, which lies at the middle single-phase area near x=0.5, disappears gradually when the temperature increases to 453K. 相似文献
37.
We analyse the influence of properties of organic/organic interface (OOI) on the characteristics of recombination efficiency of organic double-layer light-emitting diodes. Based on the disordered hopping theory model, spatial and energetic disorder of hopping states are also discussed for the case of space charge limited currents in hole transmitting layers but injection-limited currents in electron transporting layers. The results show that the recombination efficiency increases firstly and then decreases for different OOI parameters, and there is a maximum value changed with different spatial disorder parameters and energetic disorder scale. Different spatial disorder parameters make carrier mobilities change greatly, and the energetic disorder scale causes various localized state densities. Our calculated results are qualitatively in agreement with the experimental data. 相似文献
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