YBO3:Eu3+纳米晶发光特性

用水热法制备了YBO₃:Eu³⁺纳米材料，通过改变其反应条件对纳米颗粒的大小和形貌进行了控制，对其发射光谱进行分析并与体材料进行了比较.在纳米材料中，很大比例的稀土离子微观环境受到表面的影响.这种影响可能使稀土离子的Judd-Ofelt参数Ω₂增大，从而使Eu³⁺的⁵D₀→⁷F₂的发射加强，红色发光材料的色纯度提高.     

基于I-V-T和C-V-T的GaN上Ni/Au肖特基接触特性研究

基于对制作在n-GaN上的肖特基二极管的变温I-V测试和C-V测试，采用表面势垒减薄模型对肖特基二极管的电流输运特性进行了研究.试验结果表明，肖特基接触的电流输运机理非常复杂，在不同的温度条件和偏压条件下有着不同的电流输运机理.在此基础上对肖特基接触I-V特性方程进行了修正，得到了很好的拟合曲线.试验表明，高温I-V法提取的势垒高度与常温C-V法提取的势垒高度接近于根据金属功函数得出的理论势垒高度值. 关键词： 氮化镓 肖特基二极管 表面势垒减薄模型 热电子场发射     

单晶LaB6场发射阵列的电化学腐蚀工艺

 六硼化镧（LaB₆）场发射尖锥阵列的刻蚀工艺是制备LaB₆场发射阵列阴极的关键。在(111)面单晶LaB₆基片上,用等离子体增强化学气相沉积法制备氮化硅层做掩膜,光刻后采用电化学腐蚀方法对基片进行刻蚀,得到具有一定高度的LaB₆尖锥场发射阵列。讨论了单晶LaB₆的电化学腐蚀机理。改变各种电化学腐蚀参数,包括电解液成分、电解液浓度、阳极所加电压,用电子扫描显微镜观察样品形貌。结果发现H₃PO₄是刻蚀单晶LaB₆的理想电解液,它克服了过去电化学实验中经常遇到的尖锥各向异性问题。随着电解液浓度或阳极电压的增大,尖锥高度增加,但是基底表面变得更为粗糙。另一方面,阳极电压太小时,有横向刻蚀现象产生,不利于提高发射体的场增强因子。此外,在二极管结构中初步测试了LaB6尖锥场发射阵列的电流发射特性,在真空度2×10^-4 Pa、极间距离0.1 mm、阳极电压900 V下,发射电流达到13 mA。     

碳纳米管端口的场蒸发

将单根多壁碳纳米管(multi-walled carbon nanotube,MWCNT)组装在W针尖上并送入超高真空场发射/场离子显微镜(Ultrahigh Vacuum Field-emission/Field-Ion microscope,UHV-FEM/FIM)进行场蒸发及场发射研究.结果表明,场蒸发可以降低MWCNT的逸出功,从而增强其场发射能力.估算MWCNT的蒸发场低于1.3×10⁸V·cm^-1,且在此场强下的平均蒸发速率为9.4nm·min^-1.定性讨论了MWCNT的蒸发场大大低于C的理论值的原因.首先,通过场解吸获得的清洁端口上有较多悬挂键,平均每个C原子的配位数较小,所以升华热较低.其次,可能存在于MWCNT中的H原子会在强场下碰撞端口的C原子,使其更易蒸发.以上结果显示了利用场蒸发剪短碳纳米管从而改善其场发射特性的可行性. 关键词： 碳纳米管 场蒸发 场发射     

BaZr(BO3)2:Eu的合成及发光性能研究

用硝酸盐热分解法成功制备了BaZr(BO₃)₂:Eu(Eu³⁺的掺杂量为摩尔分数5％)荧光材料，并研究了其在254及147nm光束激发下的发光特性.254nm光束激发下的发射主峰位于612nm处，归属于Eu³⁺的⁵D₀—⁷F₂的电偶极跃迁，但在147nm光束激发下的发射主峰位于592nm处，归属于Eu³⁺的相似文献   

苏州医工所在阵列化LED制造研究中取得进展

<正>近年来,微纳米科学技术发展迅速,在产业化方面已经取得了不少进展。然而,实现高密度、规模化微纳米结构的批量操纵是实现芯片器件极具挑战性的关键因素之一。众所周知,利用光镊技术可以实现单个的微纳米结构操纵,然而大面积阵列的操纵是耗时的。实现芯片内高密度、规模化一维微纳米阵列特定对准取向制造是器件集成至关重要的挑战。氧化锌(ZnO)作为一维微纳米结构家族中最出色的一员,是一种直接宽带隙(3.3 eV)半导体,其激子束缚能为60 meV。它可应用于激光发射单元,场发射晶体管,光子探测器和发电机。氧化锌微纳米结构在室温下可以用作高效稳定的激子紫外(UV)辐射材料。直到现在,有少量的研     

悬浮区域熔炼法制备LaB6单晶体与发射性能研究

采用区域熔炼法成功制备出了高质量,高纯度,大尺寸的LaB₆单晶体. 系统分析了制备过程中每个参数对LaB₆单晶生长的影响,确定了晶体生长最佳工艺为:样品转速为30 r/min,生长速度为8-10 mm/h. 分析了单晶LaB₆ (100) 晶面的热电子发射性能,结果表明,当阴极温度为1873 K时,最大热发射电流密度为44.36 A/cm²;利用 Richardson 直线法求出了绝对零度逸出功和有效逸出功分别为1.99和2.59 eV. 场发射测试结果表明,单晶LaB₆场发射单尖最大场发射电流密度达到4.9×10⁶ A/cm²,场发射因子为41500 cm^-1,表现出良好的场发射性能. 因此单晶LaB₆作为热阴极和冷阴极都具有很广阔的应用前景. 关键词： 区域熔炼法 6')" href="#">单晶LaB₆ 热发射性能 场发射性能     

二(桥-氯)-二[氯-(N，N，N′-三苄基乙二胺)铜(Ⅱ)]的晶体结构(英)

The crystal structure of the title complex, [Cu(C₂₃H₂₆N₂)Cl₂]₂·2CH₂Cl₂, has been determined by single-crystal, X-ray diffraction techniques. The compound crystallizes as dark-green prisms in space group P2₁/c of the monoclinic system, with Z=4 and unit cell dimensions a=1.710 9(7) nm, b=2.395 2(11) nm, c=1.348 9(6) nm and β=110.651(8)°. The complex consists of two similar but crystallographically independent dimers, of which Cu(Ⅱ) centers display five-coordinated trigonal-bipyramidal geometry with Cu-Cu separations in two centrosymmetric dimers are 0.345 1 and 0.347 8 nm, respectively, and in each dimer the two copper centers share a common edge formed by two bridging chloride ions, each being equatorial. Solvent molecules of CH₂Cl₂ are packed together in the crystal lattice. CCDC: 253299.     

场电子发射研究现状及理论概述

由于场发射研究日趋重要，文章就场发射理论的起源，研究现状进行了总结，介绍了电子在几种不同类型材料的场发射理论模型，并对理论本身存在的问题进行了述评，着重指出其理论缺陷的实质及完善的可能性。