全文获取类型
收费全文 | 62篇 |
免费 | 21篇 |
国内免费 | 25篇 |
专业分类
化学 | 24篇 |
晶体学 | 1篇 |
力学 | 4篇 |
综合类 | 3篇 |
数学 | 32篇 |
物理学 | 44篇 |
出版年
2024年 | 1篇 |
2020年 | 1篇 |
2019年 | 1篇 |
2018年 | 1篇 |
2016年 | 2篇 |
2015年 | 3篇 |
2014年 | 9篇 |
2012年 | 7篇 |
2011年 | 8篇 |
2010年 | 5篇 |
2009年 | 5篇 |
2008年 | 5篇 |
2007年 | 4篇 |
2006年 | 4篇 |
2005年 | 10篇 |
2004年 | 9篇 |
2003年 | 2篇 |
2002年 | 3篇 |
2001年 | 8篇 |
2000年 | 3篇 |
1999年 | 5篇 |
1998年 | 3篇 |
1997年 | 3篇 |
1996年 | 2篇 |
1993年 | 1篇 |
1991年 | 2篇 |
1990年 | 1篇 |
排序方式: 共有108条查询结果,搜索用时 562 毫秒
91.
92.
用剂量为1.72×1019 n/cm2和1.67×1020 n/cm2的中子对掺氮6H-SiC单晶进行辐照,利用紫外-可见(UV-Vis)吸收光谱等方法研究了辐照引起的晶格损伤及随退火温度的回复过程.结果表明:中子辐照产生的大量缺陷使SiC的光吸收明显增加;光学带隙能随辐照剂量的增加而降低,这与禁带中引入的局域态缺陷能级有关.光吸收边出现强烈的连续吸收可能归因于辐照产生的不同类型缺陷簇或局部非晶区域的光散射.对两个剂量辐照的样品进行室温到1600℃的等时退火,发现两个剂量辐照产生的晶格损伤所需的退火回复温度不同,但退火回复过程都呈现出以800℃为转折点的两个相同阶段. 相似文献
93.
94.
含高阶项Trapped离子振动态的崩塌-回复特性 总被引:1,自引:1,他引:0
解析分析了“捕陷”离子在驻波光场作用下的动力学。离子的量子平均能量随时间的变化呈现崩塌 -回复的特征 ,表明这个系统的振动态具有压缩效应。哈密顿量中的高阶项使得离子平均能量呈现不规则的崩塌 -回复 ,严重抑制离子的振动态的相干性。 相似文献
95.
96.
端基含己氧基偶氮苯基元的一代光致变色液晶碳硅烷树状物的光响应行为研究 总被引:2,自引:0,他引:2
研究了端基含己氧基偶氮苯基元新的一代碳硅烷光致变色液晶树状物G1及其偶氮基元化合物M3在各种溶液中的反顺光异构化反应速率常数、光回复异构化反应速率常数、热回复异构化反应速率常数、量子产率、活化能和异构转换率.G1和M3的光致变色速率常数为0.1s-1,比对应的光致变色液晶聚硅氧烷的光响应速度快107倍. 相似文献
97.
证明了如果f∈Bπ,p,1<p<∞,即f是p次可积的,且其Fourier变换落在[-π, π]内,则f及其导数f(j)(j= 1,2,…),可以由f的样本点序列{f(k)}在Lq(R)(1<p=q<∞,或1<p<q<≤∞)空间中回复. 相似文献
98.
研究了拉伸取向尼龙 10 10的抗张回复现象 .残存应变ε′表征了由链滑移而产生的永久形变 ,回复应变(ε -ε′)表征了键角变化和链段取向产生的形变 .当拉伸温度T=18℃ (T 回复应变 (ε-ε′)均随拉伸应变ε增大而线性增加 .T =5 0 ~ 140℃时 ,随ε增大 ,ε′开始逐渐增加而后趋于一常数 ;(ε-ε′)迅速增加 .ε′和 (ε-ε′)与拉伸速率v无关 .回复率R随ε增大呈线性增加 ,其方程为R(% ) =R0 +kε,其中R0随T的升高基本是线性下降 ,而k值随T升高而上升 .永久形变与热定形温度和拉伸倍数有关 . 相似文献
99.
报道了新化合物含108个丁氧基偶氮基元端基的三代(D3)碳硅烷光致变色液晶树状物在各溶液中的反-顺光异构化(光致变色)反应速率常数kp, 光化学回复异构化正/逆反应速率常数kt和kc, 热回复异构化反应速率常数kH, 光化学回复异构化反应平衡常数kt/kc, 活化能E, 异构化转换率及热回复异构化反应中的反-顺异构体组分比. D3的光致变色反应速率常数为10-1 s-1, 而含偶氮基元的光致变色液晶聚硅氧烷的光致变色反应速率常数为10-8 s-1, 因此, D3的光响应速度比后者快107倍. 相似文献
100.