Zn：Fe：LiNbO3晶体四波混频效应的研究

报道了一种新掺杂铌酸锂晶体Ｚｅ；Ｆｅ：ＬｉＮｂＯ３，它具有优良的光折变四波混频性能，位相共轭反射率可达１００％。且与Ｆｅ；ＬｉＮｂＯ３相比、抗光散射能力强，响应速度快。本文通过对高掺ＺｎＯ后晶体的抗 光损伤能力和光电导值的测试分析，讨论了Ｚｎ；Ｆｅ：ＬｉＮｂＯ３晶体抗光散射和速度提高的机理。     

四束激光光轴高精度稳定控制技术

介绍了压电陶瓷快速倾斜镜以及相应的反馈和控制系统研制过程,并对快速倾斜镜进行了详细的性能测试,包括响应速度、动态范围以及闭环分辨率等重要参数。在此基础上,完成了4束激光相干合成时光轴稳定闭环控制实验。实验结果表明：系统闭环控制时,4束激光光轴的均方根抖动均小于1.5 rad,与开环状态相比,光轴抖动量减小了80%。通过对开闭环控制结果的对比分析发现,远场光斑平均帧峰值提高了3.8倍。     

用于光通信的高速响应有机电致发光器件

采用直接光强调制的方法,建立了一种新型有机电致发光器件(OLED)的光电信号传输体系,研究了发光层掺杂、发光面积和预置电压对OLED响应速度的影响。结果发现:与发光层为单独的Alq3的器件相比较,掺杂rubrene的发光层的荧光寿命较短,响应较快;减小OLED的发光面积能提高OLED的响应速度,并在0.02 mm2的发光面积上实现了100 Mbit/s的信号传输速度;同时,预置直流电压也能改善OLED的响应速度。最后,提出将柔性OLED与聚合物波导及有机光电二极管结合,实现了一种全有机的柔性光电子体系。     

室温下3-萘基-3H萘并[2,1-b]吡喃化合物褪色速度研究

萘并吡喃类有机光致变色化合物具有独特的光物理及光化学性能,在光开关、光存储及非线性材料等方面有广阔的应用前景.目前,这类化合物主要的商业应用仍集中在变色眼镜领域,该领域要求有机或无机掺杂材料具有快的褪色速度、高的光密度、快的光响应速度及优良的抗疲劳性等.萘并吡喃作为变色眼镜的主要掺杂成分之一,如何在增强其光密度的同时,加快其室温下的褪色速度,一直是人们的研究热点.     

135°扭曲连续灰度铁电液晶器件的制备

采用指向矢连续旋转模式铁电液晶, 通过控制上下基板的摩擦方向夹角为135°, 在N*-SmC*相变过程中不施加电场, 获得了均匀排列. 器件的对比度大于70, 上升时间和下降时间分别达到587 μs和486 μs. 解决了电场诱导层排列易击穿TFT, 残留剩余电荷影响器件性能的难题. 由于能够实现良好灰度级, 可以满足现代快速彩色显示的需要.     

铁电液晶光寻址空间光调制器响应速度的宏模型研究

将铁电液晶(FLC)的本征电路模型扩展到以FLC为调制层,a Si∶H为光敏层的光寻址空间光调制器(OASLM),建立了FLC OASLM的宏模型。用电路方法模拟了控制光强度以及外部激励信号的特征参数对FLC OASLM响应速度的影响。模拟结果表明,FLC OASLM的响应速度随写入光强度和激励信号幅度的增大而加快,随擦除光强度和激励信号频率的提高而减慢。同时,激励信号存在一个上界频率,当频率参数取值超过界值时,响应峰值迅速下降。     

EASTװ��RMP��Ȧ��Դ���Ż����

对EAST装置中边界局域模等相关物理现象研究的要求,RMP线圈电源需要有更大的承载电流能力,同时提高响应速度和减小输出电压纹波.对于一期RMP线圈电源的拓扑结构、主回路参数进行了优化设计,结合理论计算、MATLAB仿真和实际测试验证了设计方案的可行性,实验结果表明二期RMP线圈电源在响应速度、承载电流能力和电压纹波方面相比一期均表现得更好,达到优化的目的.     

光纤传感器的发展与应用

光纤传感技术是随着光导纤维和光纤通信技术的发展而形成的崭新技术。自从20世纪70年代末光纤传感器诞生以来,便由于其具有的防火、防爆、精度高、损耗低、体积小、重量轻、寿命长、性价比高、复用性好、响应速度快、抗电磁干扰、频带范围宽、动态范围大、易与光纤传输系统组成遥测网络等优点而被广泛地应用于各行各业。     

High-performance laser power feedback control system for cold atom physics

A laser power feedback control system that features fast response,large-scale performance,low noise,and excellent stability is presented. Some essential points used for optimization are described. Primary optical lattice experiments are given as examples to show the performance of this system. With these performance characteristics,the power control system is useful for applications in cold atom physics and precision measurements.     

Si基光发射材料的探索

由于Si基光发射材料具有与先进的Si微电子技术兼容和成本低廉的优势，一直是光电子集成（OEIC）工程应用的首选材料。但由于体材料Si是一种间接带隙半导体，不可能成为有效的光发射体。如何通过已有的物理学原理和可行的微加工技术把它改造成为有效的发光材料，甚至成为严格意义上的直接带隙材料，给实验研究工作者和材料设计理论工作者提出了挑战。除多孔Si之外，最近已有若干令人鼓舞的方案，包括Si纳米晶、Si/O超晶格和注硼位错工程等方法，实现了Si基材料的有效发光试验。本文在分析其中最令人关注的进展的基础上，认为要实现高效率、高响应速率的Si基发光材料，以适应超高速、大容量信息处理和传输的要求，较好的途径是直接设计出具有直接带隙的Si基材料。因为避免界面态参与发光过程，对于提高响应速度至关重要。但是如何设计直接带隙的半导体材料并没有现成的规则可依循。我们建议一个经验的对称性法则，并设计出一种新的硅晶超晶格。通过计算机模拟计算表明，其中Se/Si10/Se/Si10/Se超晶格具有相当理想的直接带隙特征，其带隙处于红外波段。预期这类新材料及有关器件会有优越的光发射和各种光学性能，其制作也可方便地与硅微电子工艺兼容。因此，它在信息光电子领域有强大的应用潜力。