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991.
用相对论平均场计算了26,28,30,32S和22,24,26,28Si的结合能, 均方根半径, 质子皮厚度, 单粒子能级等. 两套参数TM2和NL-SH的计算结果与实验值比较符合. 用平均场与相对论Eikonal近似结合计算出32S和28Si的形状因子和微分截面的结果, 与实验值也符合得较好. 进一步研究了S和Si的同位素链的基本性质和电子散射, 讨论了电子散射的电荷形状因子对电荷密度变化的敏感性. 电荷形状因子在下一代电子--不稳定原子核对撞机上可以测量, 这将能精确测量不稳定核的电荷半径和电荷密度分布, 本文计算的结果可供未来实验参考. 相似文献
992.
研究一类具有利率和相依索赔额的离散风险模型.在模型中,索赔额服从具有独立同分布步长的单边线性过程,贴现因子具有关于利率与时间的一般函数形式.在步长服从重尾分布的条件下,得到了最终破产概率的渐近估计.并通过具体实例分析利率对破产概率的影响. 相似文献
993.
采用非线性理论探索了同轴多注相对论速调管放大器(CMRKA)的束波互作用特性,并与PIC结果进行了验证分析。首先推导了实心电子束的几何因子,然后分别给出了归一化调制电流和电子束动能的积分微分方程,并给出了多注速调管放大器的同轴输入腔间隙耦合系数的公式。对于束压为600 kV、束流为5 kA的16注电子束,当输入腔间隙电压分别为4.6,32.7,189 kV时,采用一维非线性理论和三维粒子模拟程序分别计算了基波电流调制系数和距离的关系,理论和模拟结果比较一致。当间隙电压为4.6 kV时,理论计算了多注电子数的个数分别为8, 12, 16以及实心电子束的半径与单注电子束通道半径比6/15, 8/15, 10/15(通道半径不变)时基波电流调制系数随传输距离的变化。结果表明,随着多注电子数的个数和电子束半径的增加,基波电流调制系数有逐渐变大的趋势。此外还计算了当间隙电压为20 kV时,归一化电流和归一化电子束动能随时间的变化和归一化常数N(z)与调制电流的n次谐波的电流调制系数随传输距离的变化。 相似文献
994.
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997.
普通高中课程标准实验教材必修数学(5)75页A组第3题:已知x>0,求证槡x+1~(1/2)<1+x/2.1通过证明方法探究培养学生思维的广阔性1.1常规方法、回归自然 相似文献