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51.
从二维系统的Kosterlitz-Thouless (KT) 相变理论出发,在关联长度中引入热激活能和平均钉扎高度,提出了修正的KT相变模型.该模型与库伦气体标度理论和Halperin-Nelson关系具有一致性.应用修正的KT相变模型研究磁场下Tl2Ba2CaCu2Ox(Tl-2212)薄膜电阻转变的标度行为,发现由电阻转变计算得到的平均钉扎高度与温度具有线性依赖关系,实验结果支持修正的KT相变模型.
关键词:
标度行为
各向异性超导体
电阻转变 相似文献
52.
53.
制备了Nd28Fe66B6/Fe50Co50多层纳米复合磁性薄膜,对溅射态和650℃退火处理15 min试样的相成分分析和微结构的观察显示,溅射态薄膜呈非晶态,经650℃退火处理15 min后,薄膜主要相成分为硬磁性Nd2Fe14B相和软磁性相FeCo(110)相.Nd2Fe14B相呈柱状,其易磁化c轴垂直于膜面,尺寸约10 nm.在硬磁性相和软磁性相之间存在少量富Nd相和非晶态,富Nd相大小约7 nm.磁性测量和分析表明,1)该系列薄膜退火态具有垂直于膜面的磁晶各向异性.2)对于固定厚度(10 nm)层Nd-Fe-B和不同厚度(tFeCo=1—100 nm)层FeCo多层纳米复合膜,剩磁随软磁相FeCo 厚度的增加快速增加,而矫顽力则减小.当tFeCo=5 nm时,最大磁能积达到200 kJ/m3. 3)硬磁相Nd-Fe-B层和软磁相FeCo层之间交换耦合导致剩磁和磁能积增强.
关键词:
Nd-Fe-B/FeCo多层纳米复合膜
交换耦合
磁各向异性 相似文献
54.
采用多晶材料趋近饱和定律研究了非晶Fe39.4-xCo40Si9B9Nb2.6Cux(x=0.5,1,1.5) 合金在不同温度纳米晶化后的有效磁各向异性常数〈K〉.结果表明, Cu含量较低(x=0.5)时,纳米晶粒较大并且在较低的退火温度(550℃)下析出硬磁相,〈K〉随退火温度Ta升高显著增加;随着Cu含量的增加,有效地细化了晶粒,并且抑制了硼化物的析出,〈K〉明显减小.讨论了〈K〉与晶粒尺寸D及初始磁导率的关系.
关键词:
纳米晶
有效磁各向异性
磁导率
FeCo基合金 相似文献
55.
首先用Huxley势函数形式拟合了在RCCSD(T)/aug-cc-pVTZ+bf理论水平下计算的He-NO相互作用能数据,获得了He原子与NO分子相互作用的各向异性势,然后采用密耦近似方法计算了He-NO碰撞体系的总微分截面、弹性微分截面和非弹性微分截面,并总结了微分散射截面的变化规律. 结果表明,拟合势不但表达形式简洁,而且较好地描述了He-NO系统相互作用的各向异性特征;利用碰撞体系分子间势的量子化学从头计算结果,可解决势能参数难以确定的问题,对进一步研究原子与分子碰撞机理有一定参考价值.
关键词:
各向异性势
势能参数
密耦近似
微分截面 相似文献
56.
分析了单轴各向异性左手介质表面的Goos-H?nchen位移,分别给出了光轴与两种介质的界面垂直和平行情形下的Goos-H?nchen位移解析表达式,并分析了Goos-H?nchen位移产生的条件以及位移的正负情况.还采用菲涅尔近似的方法给出了临界角附近的Goos-H?nchen位移表达式,结果表明临界角附近的Goos-H?nchen位移是入射光的束腰半径和入射角的函数,并且给出了临界角入射时Goos-H?nchen位移的较为简洁的近似表达式,这样就在整个角度的取值范围内都给出了Goos-H?nchen位移的表达式.
关键词:
Goos-H?nchen位移
左手介质
单轴各向异性
临界角 相似文献
57.
2006年诺贝尔物理奖表彰马瑟和斯穆特教授,以他们为首的学者利用宇宙背景探索者卫星(COBE)的数据,证实宇宙微波背景辐射的黑体形式,并发现各向异性。这是对精确宇宙学这些重要成果的肯定。诺贝尔奖的网站记载了当天对斯穆特教授的电话采访:“作为这些观测的结果,作为被证实的大爆炸理论,现在很好地被接受了。是这样的吗?”斯穆特教授立即回答:“大爆炸理论是被接受的宇宙论。(我们)绝不能完全证实任何理论,不过,它是被接受的宇宙论。”在肯定大爆炸宇宙论的同时,斯穆特教授强调“绝不能完全证实任何理论”。这无疑是正确的;但也反映了以广… 相似文献
58.
晶粒间界相对纳米Nd_2Fe_(14)B各向异性和矫顽力的影响 总被引:1,自引:0,他引:1
本文采用立方晶粒结构模型研究了晶粒间界相对纳米硬磁材料各向异性和矫顽力的影响.结果表明:晶粒间界相减弱了交换耦合作用.当晶粒尺寸D为定值时,随着晶粒间界相厚度d的增加,晶粒平均各向异性单调增加,而材料的有效各向异性Keff、矫顽力单调减小.我们计算的矫顽力随晶粒尺寸的变化与相关理论和实验结果基本一致. 相似文献
59.
分析了单轴各向异性左手介质表面的Goos-Hanchen位移,分别给出了光轴与两种介质的界面垂直和平行情形下的Goos-Hanchen位移解析表达式,并分析了Goos-Hanchen位移产生的条件以及位移的正负情况.还采用菲涅尔近似的方法给出了临界角附近的Goos-Hanchen位移表达式,结果表明临界角附近的Goos-Hanchen位移是入射光的束腰半径和入射角的函数,并且给出了临界角入射时Goos-Hanchen位移的较为简洁的近似表达式,这样就在整个角度的取值范围内都给出了Goos-Hanchen位移的表达式. 相似文献
60.
采用电化学刻蚀方法,成功制备出单尖的六硼化镧、钼、钨及钨铼合金场发射冷阴极尖锥,并对这几种场发射单尖锥阴极的电子发射性能进行了测试比较.结果表明,LaB6作为场发射阴极,具有良好的发射性能和稳定性.在〈111〉面单晶LaB6基片上,用PECVD法沉积非晶硅作掩膜,制备出具有一定高度的LaB6微尖锥场发射阵列,结果发现,LaB6基底较为平整,尖锥阵列呈现出各向异性.该结论对LaB6材料在场发射阴极方面的进一步研究具有重要的指导意义. 相似文献