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531.
We have fabricated organic Schottky barrier diodes with Cu/LiF/C60/Al andwiched construction. Cu and Al are selected as the cathode and the anode, respectively. C60 is used as the organic layer and LiF as the buffer layer inserted between the cathode and C60. After the annealing process, Schottky contact is well formed at the Al/C60 interface and Ohmic contact is formed at the (Cu/LiF)/C60 interface. The current density-voltage (J-V) measurements of the diodes present nonlinear behavior. As a result, the rectification ratio reaches 1×03. The characteristics of the diodes have been analyzed using the energy band diagram. The values of Schottky barrier height ΦB, ideality factor n and reverse saturation current density Js are extracted according to the standard thermionic emission model. 相似文献
532.
533.
基于 YBa2Cu3 O7 -δ (YBCO) 台阶边沿型约瑟夫森结( 台阶结) 的高温超导量子干涉器(Superconducting Quantum Interference Device, 简称 SQUID) 在微弱磁场测量等领域具有重要应用价值. 制 备 YBCO 台 阶 结 及SQUID 的常用单晶衬底包括 LaAlO3 (LAO) 、SrTiO3 (STO) 及 MgO 等. (La0 .3 ,Sr0 .7 ) (Al0 .65 ,Ta0 .35 )O3 (LSAT) 没有孪晶现象、 与 YBCO 的晶格失配度很小(仅为0.4% ) , 有潜力成为制备 YBCO 台阶结及相应的高温超导 SQUID器件的新的衬底选择. 本文首次探索研究了 LSAT 衬底上 YBCO 台阶结型射频超导量子干涉器(rf SQUID) 的制备和表征. 采用氩离子束刻蚀技术在 LSAT(100) 衬底上制备角度约为46°的台阶, 利用脉冲激光沉积法在衬底上生长 YBCO 超导薄膜, 然后利用传统紫外光刻技术制备出高温超导rf SQUID 器件. 在温度为77 K 时, 器件测试观察到幅度较大的电压-磁通特性曲线, 且在部分器件的特性曲线中观察到接近方波的非传统波形, 表明器件工作于噪声较低的色散模式下. 频率1 kHz 时器件的磁通噪声约为20 μΦ0/Hz1/2 , 与文献中报道的 LAO、STO 衬底上台阶结型SQUID 器件的典型结果相当. 本工作展示了利用 LSAT 衬底制备低噪声台阶结型rf SQUID 器件的可行性, 并为进一步研制该衬底上更高性能的高温超导SQUID 器件奠定了基础 相似文献
534.
硒化锑(Sb2Se3)具有低毒、原材料丰富和光电性能优异等优点,被认为是最具有发展潜力的薄膜太阳电池光吸收层材料之一.但目前Sb2Se3薄膜太阳电池光电转换效率与碲化镉、铜铟镓硒和钙钛矿等太阳电池相比仍存在较大差距.限制Sb2Se3薄膜太阳电池光电转换效率进一步提升的关键因素之一是,太阳电池结构中Mo背电极和Sb2Se3薄膜构建的背接触界面处容易形成较高的势垒,降低载流子的抽取效率.本工作则对Mo背电极进行热处理生成缓冲层MoO2薄膜,发现缓冲层MoO2的引入,可有效地促进Sb2Se3薄膜的择优取向生长,同时实现太阳电池Mo/MoO2/Sb2Se3背接触势垒降低,相应的填充因子、开路电压和短路电流密度均获得显著提高,构建的太阳电池光电转换效率从5.04%提升至7.05%. 相似文献
535.
硫化亚铜由于其独特的电和光学特性,被广泛应用于电阻开关存储和光伏器件.本文通过脉冲激光沉积/化学气相沉积两步法合成Cu2S薄膜,该膜由纳米颗粒构成,结晶度高,在近红外区有较好的光吸收特性.蒸镀铜电极构成Cu/Cu2S/P-Si结构忆阻器件后,器件表现出电子型双极阻变行为,其阻变机制由空间电荷限制电流和肖特基发射机制协同主导.此外,还探究了光对器件阻变行为的响应及机理.结果表明,在光照下,最大电流响应增加至暗态时的5倍.分析认为,光照使Cu/Cu2S界面处的肖特基势垒减小,在高阻态下,阻变机制由肖特基发射机制转变为空间电荷限制电流机制,并使器件电导率增加.本工作为Cu2S基光电协同响应忆阻器的研发提供了新思路. 相似文献