0.18μm CMOS工艺栅极氧化膜可靠性的衬底和工艺依存性

用斜坡电压法(Voltage Ramp, V-ramp)评价了0.18μm双栅极 CMOS工艺栅极氧化膜击穿电量(Charge to Breakdown, Q_bd)和击穿电压(Voltage to Breakdown, V_bd). 研究结果表明，低压器件(1.8V)的栅极氧化膜(薄氧)p型衬底MOS电容和N型衬底电容的击穿电量值相差较小，而高压器件(3.3V)栅极氧化膜(厚氧)p衬底MOS电容和n衬底MOS电容的击穿电量值相差较大，击穿电压测试值也发现与击穿电量 关键词： 薄氧 可靠性 击穿电压 击穿电量     

红外耦合光学系统设计

红外目标模拟器由红外目标图像发生器和投影光学系统组成。该红外光学系统是一个要求与2个导引光学系统的光学技术参数相匹配的长焦距、大视场和具有像方远心光路的中红外光学系统。叙述用于红外目标模拟器的红外耦合光学系统的设计原理，提出它与导引光学系统一起可组成放大倍率M=4.5×的红外投影光学系统，并指出IR CRT产生的图像通过红外投影光学系统可成像在导引接收器上。针对给出的红外耦合光学系统的设计特点和技术要求，光学材料选取硅（Si） 锗（Ge） 硅（Si），采用简单的柯克三片式结构完成光学系统设计。设计评价结果表明，该系统的光学性能和成像质量均满足设计指标要求。     

有限几何和PBIB设计(Ⅱ)

在有限辛几何中,取定一个(m,s)型子空间,并取与这个子空间正交且不含于这个子空间的一维子空间作处理,我们构作了一些结合方案和PBIB设计,并计算了它们的参数.     

因素的混杂设计及其加倍试验法

本文提出了因素混杂设计的理沦,通过加倍试验法,对各因素进行效应分析,并给出了当k≤m/2时的数据分析公式。     

美国军队信息化顶层设计的主要内容

从美国防部、参联会颁发的“构想”类、“4年防务审查”类和“军事转型”类文件中可以看出，美军信息化建设顶层设计主要有5项内容。     

均匀设计及其应用（二）

均匀设计及其应用（二）方开泰第二章均匀设计的应用由于均匀设计要求的试验数较少，我们无法直接估计出各因素的主效应和交互效应，只能通过回归模型来建立试验指标（Ｙ）和各因素之间的关系，利用这种关系来寻求最优工艺条件或最优配方．试验设计的目的通常主要有二个，...     

超大规模集成电路光学光刻技术的现状与展望

光学光刻是目前超大规模集成电路(VLSI)制备中主要的微米和亚微米的图形加工技术,这一技术将继续保持其主导地位成为90年代VLSI发展的关键。本文综述了近年来光学光刻工艺的发展,主要介绍了G线(436nm)、Ⅰ线(365nm)和准分子激光光刻的现状,并对实现高的光学光刻分辨率所必须解决的透镜设计、套准精度和像场面积等问题作了详细描述。最后展望了发展方向、     

利用有限几何构作3-PBIB（2）设计和3-设计

The concept of t-PBIB design was introduced by Wei Wandi and Yang Benfu as a generalization of G-design and PBIB design. In this paper, a number of 3-associntion schemes and 3-PBIB(2) designs are constructed on the bases of the finite vector space over Fq and the finite unitary geometry over Fq2. Then a number of 3-designs are constructed on the bases of the finite orthogonal geometries over Fq. The parameters of all these designs are computed.     

多约束下的串、并联混合系统可靠度与冗余度的优化判定模型及算法

本文给出了单目标多约束下串、并联混合系统中 ,由选取重要单元 (重要度最大的单元 )的方法 ,来提高系统可靠度的有效优化判定模型及算法 ,用同样思想给出了串、并联系统中冗余度的优化判定模型及算法     

Duane模型在斯特林制冷机研制过程中的应用

介绍一种实用的可靠性增长模型杜安 (Duane)模型 ,并探讨如何运用该模型来分析、指导斯特林制冷机的可靠性增长试验 ,包括试验前的准备、试验数据的处理、曲线的绘制 ,以及如何对增长过程进行估计和监测