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991.
修理设备可更换且有修理延迟的N部件串联系统分析 总被引:3,自引:0,他引:3
假定部件的寿命服从指数分布,修理延迟时间和修理时间均服从任意分布,并且修理设备的寿命服从指数分布,其更换时间服从任意分布的情况下,利用马尔可夫更新过程理论和拉普拉斯变换工具,研究了修理有延迟且修理设备可更换的n部件串联可修系统,求得了系统的可用度和(0,t]时间内的平均故障次数.进一步,在定义修理设备“广义忙期”下,利用全概率分解,提出了一种新的分析技术,讨论了修理设备的可靠性指标,得到修理设备的一些重要可靠性结果. 相似文献
992.
水溶液中Cr^3+的火焰原子吸收光谱法测试条件的优化 总被引:2,自引:0,他引:2
为优化火焰原子吸收光谱法测定水溶液中的Cr^3+的测试条件,分别采用单因素简单比较法、正交实验设计极差分析及正交实验回归方法考察了光谱通带n,空心阴极灯电流I,燃烧器高度h以及乙炔/空气流量比P对于仪器灵敏度的影响。结果表明单因素简单比较法获得的实验条件最优。乙炔/空气流量比P对火焰原子吸收仪器灵敏度影响最大、其次是光谱通带n,燃烧器高度h和灯电流I的影响很小。测定水溶液中的Cr^3+时仪器灵敏度最佳的实验条件为:乙炔/空气流量比P=0.4;光谱通带n=0.2nm;灯电流I=5mA;燃烧器高度h=5cm。 相似文献
993.
994.
Laser performance of 1064 nm domestic Nd:YAG ceramic lasers for 885 nm direct pumping and 808 nm traditional pumping are compared. Higher slope efficiency of 34% and maximum output power of 16.5 W are obtained for the 885nm pump with a 6ram length 1 at.% Nd:YAG ceramic. The advantages for 885nm direct pumping are discussed in detail. This pumping scheme for highly doping a Nd:YAG ceramic laser is considered as an available way to generate high power and good beam quality simultaneously. 相似文献
995.
Effect of Different Substrate Temperature on Phosphorus-Doped ZnO Thin Films Prepared by PLD on Sapphire Substrates 下载免费PDF全文
Phosphorus-doped ZnO (ZnO:P) thin films are deposited on a c-plane sapphire in oxygen at 350℃, 450℃, 550℃ and 650℃, respectively, by pulsed laser deposition (PLD), then all the ZnO:P samples are annealed at 650℃ in oxygen with a pressure of 1 × 10^5 Pa. X-ray diffraction measurements indicate that the crystalline quality of the ZnO:P thin films is improved with the increasing substrate temperature from 350℃ to 550℃. With a further increase of the deposition temperature, the crystalline quality of the ZnO:P sample is degraded. The measurements of low-temperature photoluminescence spectra demonstrate that the samples deposited at the substrate temperatures of 350℃ and 450℃ show a strong acceptor-bound exciton (A^0X) emission. The electrical properties of ZnO:P films strongly depend on the deposition temperature. The ZnO:P samples deposited at 350℃ and 450℃ exhibit p-type conductivity. The p-type ZnO:P film deposited at 450℃ shows a resistivity of 1.846Ω·cm and a relatively high hole concentration of 5.100 × 10^17 cm^-3 at room temperature. 相似文献
996.
Intrinsic Bistability and Critical Slowing in Tm^3+/Yb^3+ Codoped Laser Crystal with the Photon Avalanche Mechanism 下载免费PDF全文
We present theoretically a novel intrinsic optical bistability (IOB) in the Tm^3+ /Yb^3+ codoped system with a photon avalanche mechanism. Numerical simulations based on the rate equation model demonstrate distinct 10B hysteresis and critical slowing dynamics around the avalanche thresholds. Such an 10B characteristic in Tm^3+ /Yb^3+ eodoped crystal has potential applications in solid-state bistable optical displays and luminescence switchers in visible-infrared spectra. 相似文献
997.
In the comparison of damage modifications, absorption measurement and energy dispersive x-ray analysis, the effect of vacuum on the laser-induced damage of anti-reflection coatings is analyzed. It is found that vacuum decreases the laser-induced damage threshold of the films. The low laser-induced damage threshold in vacuum environments as opposed to air environments is attributed to water absorption and the formation of the O/Si, O/Zr sub-stoichiometry in the course of laser irradiation. 相似文献
998.
999.
1000.
该文建立了Henstock-Kurzweil 可积函数的 Laplace变换, 讨论了其基本性质及解析性质, 得到Henstock-Kurzweil可积意义下的反演公式, 并给出反例说明这一结果不能改进 相似文献