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81.
研究了二维激子极化激元凝聚正反涡旋叠加态在半导体微腔极化激元波色爱因斯坦凝聚(Bose–Einstein condensate, BEC)体系旋转情形下的稳定性和动力学特性.在体系旋转情形下对单分量Gross-Pitaevskii方程进行重构,利用四阶龙格库塔方法和时域有限差分方法构建数值模型.利用实时演化方法研究在体系旋转的情况下,不同拓扑荷数的正反涡旋叠加态的实时演化过程及稳态局域粒子数和体系旋转角速率之间的关系.研究了涡旋叠加态激发区域的旋转速率与体系旋转速率的关系,并阐明了体系的旋转速率对涡旋叠加态相位稳定性的影响机理.研究表明,半导体微腔极化激元BEC体系的旋转速率对激子极化激元凝聚叠加态的演化过程及其动力学特性有重要影响. 相似文献
82.
选用雪崩三极管作为开关器件,详细讨论了设计和优化Marx电路的方法;将Marx电路进行模块化改进,设计了一种新型四路同步叠加立体结构,并得出了叠加倍数与模块数量的理论关系式。最终,利用+300 V直流电源供电,通过四路输出幅值为-2.6 kV的Marx模块叠加,在50 阻性负载上得到了幅值-5.0 kV、半高脉宽5.3 ns、脉冲能量约2.0 mJ的高斯型脉冲,时延抖动小于100 ps,重复频率达10 kHz,叠加效率达96.2%。调节直流偏置电压为200~300 V,并配合模块数量的增减,可调节脉冲幅值为1.6~5.0 kV。 相似文献
83.
84.
以Miner、Boltsman叠加原理为代表的线性叠加原理在探讨低应力水平的蠕变叠加作用时存在很大困难,文章对此进行了分析讨论,并在此基础上建议了一种非线性叠加原理,在实际应用中得到了很好的验证. 相似文献
85.
计算梁与刚架位移两类叠加法的适用范围 总被引:3,自引:3,他引:0
结合梁的小挠度理论、线性常微分方程及线性代数有关知识, 阐明了计算梁与刚架位移的逐段变形效应叠加法的理论基础, 指出它比另一类叠加法,即载荷叠加法的适用范围小. 采用逐段变形效应叠加法分析静不定结构时, 必须先将此结构变换为静定的相当系统. 相似文献
86.
87.
88.
选用雪崩三极管作为开关器件,详细讨论了设计和优化Marx电路的方法;将Marx电路进行模块化改进,设计了一种新型四路同步叠加立体结构,并得出了叠加倍数与模块数量的理论关系式。最终,利用+300V直流电源供电,通过四路输出幅值为-2.6kV的Marx模块叠加,在50Ω阻性负载上得到了幅值-5.0kV、半高脉宽5.3ns、脉冲能量约2.0mJ的高斯型脉冲,时延抖动小于100ps,重复频率达10kHz,叠加效率达96.2%。调节直流偏置电压为200~300V,并配合模块数量的增减,可调节脉冲幅值为1.6~5.0kV。 相似文献
89.
By utilizing multimode squeezed states theory, we study the generalized nonlinear equal-power higherpower sum squeezing properties of the generalized magnetic-field component in four-state superposition multimode entangled state light field |ψ1^(4)〉q. The state is composed of multimode vacuum state, multimode coherent state and its contrary state, multimode imaginary coherent state. It is found that the state |ψ1^(4)〉q is a type of four-state superposition multimode nonclassical light field, and under certain fixed conditions, the generalized magnetic-field component in the state |ψ1^(4)〉q can display generalized nonlinear equal-power 4m-th power sum squeezing effects which change periodically. 相似文献
90.
介绍了MOSFET调制器的基本原理,并对其并联分流和感应叠加两种开关结构进行了实验研究。基于可编辑逻辑器件设计了其触发电路,驱动电路采用高速MOSFET对管组成的推挽输出形式,加快了MOSFET的开关速度。利用Pspice软件对开关上有无剩余电流电路(RCD)两种情况进行仿真,结果表明,加装RCD电路可以有效吸收MOSFET在关断瞬间产生的反峰电压。实验中,电流波形用Pearson线圈测量,用3个MOSFET并联作开关,当电容充电电压为450 V,负载为30 Ω时,脉冲电流13 A,前沿20 ns,平顶约80 ns;用3个单元调制器感应叠加,当电容充电电压为450 A,负载为30 Ω时,脉冲电流强度为40 A,前沿25 ns,平顶约70 ns。 相似文献