变掺杂变组分AlxGa1–xAs/GaAs反射式光电阴极分辨力特性

根据建立的变掺杂变组分反射式Al_xGa_1–x As/GaAs光电阴极的分辨力模型以及调制传递函数(MTF)理论模型,仿真了材料中掺杂浓度线性变化、Al组分线性变化,掺杂浓度均匀不变、Al组分线性变化,掺杂浓度线性变化、Al组分均匀不变,掺杂浓度均匀不变、Al组分均匀不变这4种不同结构反射式光电阴极的分辨力特性.分析了Al组分、掺杂浓度、Al_xGa_1–x As层厚度、GaAs层厚度和入射光波长对阴极分辨力的影响.仿真结果表明,阴极材料中掺杂浓度梯度变化以及Al组分梯度变化都可以提高反射式Al_xGa_1–x As/GaAs光电阴极的分辨力,其中掺杂浓度线性变化的同时, Al组分线性变化对Al_xGa_1–x As/GaAs光电阴极分辨力的影响最为明显.仿真结果还表明:Al组分从0.45线性变化至0时,阴极分辨力最好;掺杂浓度从1019—1018 cm–3线性变化比保持1019 cm–3不变,阴极分辨力更好;而阴极中Al     

非线性兰姆波在厚度缓慢变化和衰减下的特性分析

该文运用解析的方式推导了考虑声波衰减时兰姆波二次谐波的累积和传播规律,并用半解析方式将该理论推广到缓慢变厚度板的情况。由于色散特性,兰姆波二次谐波和基频波相速度不匹配,传播通常会产生拍频效应,使得二次谐波的振幅沿着传播距离周期性的归零。当考虑声波衰减或板的厚度缓慢变化的情况时,拍频效应将不再严格地被满足。二次谐波的振幅依然会沿着传播距离而振荡,但不会归零。该研究可以用于分析如何高效地激发和接收兰姆波的二次谐波,表征和评估不同厚度变化的结构中的微观结构损伤。     

在气轨上有关变力问题的实验

本文陈述了如何在气垫导轨上借助于柔软的金属细链来验证变力情况下的动能定理、动量定理及物体的运动方程等力学规律．并详细地叙述了实验原理，介绍了实验装置及实验方法，分析概括了产生实验误差的原因． 在普通物理学实验中，对变力问题的研究一直是一个非常棘手的问题．我们曾借助于柔软的金属细链与气垫导轨结合起来，来研究变力问题，很好地验证了变力情况下的力学规律．     

两种离子交换型变折射率微透镜

分别求得制作自聚焦平面微透镜的开孔式和掩盘式离子交换的相应扩散方程的解,导出掩盘式微透镜的最佳折射率分布,给出微透镜的成像矩阵,制得掩盘式平面微透镜阵列并给出其成像照片及基本参数.     

三维变角反射计

本文介绍了三维变角反射计的结构.检验了球形照明球的亮度均匀性、测量系统的线性性、单色仪的波长准确度和杂散辐射等参数.测定了漫射陶瓷板和海伦(Halon)粉末压制板的反射亮度分布曲线.讨论了变角反射计在色度学和光谱光度学中的重要应用.     

C.变象管高速摄影的最新进展

本文简要介绍和评述了在第十九届国际高速摄影与光子学会议上发表的有关变象管高速摄影技术的结果,据报道,飞秒条纹变象管的时间分辨率设计值达50fs,皮秒分幅相机的最短曝光时间实验值为50ps。CCD两维图象读出系统已普遍用于皮秒条纹相机系统。纳秒分幅/扫描摄影向高性能、程控化发展。本文还涉及了超短光脉冲技术的新成果在变象管动态测试中的应用。     

双连续可调偏光分束器

介绍了一种性能优良的偏光分束器。该器件由4/2波片和可调分束角棱镜组合而成,同时具备强度比和分束角连续可调的功能。文中给出了此器件的结构、原理、理论分析和性能实验研究。实验与理论相符。     

光子晶体光纤中的参变放大与拉曼散射

光子晶体光纤(PFC)有着传统光纤无法比拟的优良特性,特别是具有极好的非线性效应和双折射效应;当输入抽运波偏振方向同双折射轴成45°时,通过引入拉曼增益的洛伦兹模型,研究了光子晶体光纤中在参变放大和拉曼散射共同作用下的增益谱特性.结果表明,由于参变放大和拉曼散射的相互作用,输入功率和群速度失配对光子晶体光纤的增益有重要...     

Thin Film Flow of a Second Grade Fluid over a Stretching/Shrinking Sheet with Variable Temperature-Dependent Viscosity

Effects of variable viscosity on the flow and heat transfer in a thin film on a horizontal porous stretching sheet are analyzed. The steady boundary layer equations for momentum and thermal energy are simplified by using similarity transformations. The resulted and coupled nonlinear differential equations are solved by Homotopy analysis method. The results are presented graphically to interpret various physical parameters appearing in the problem.     

MOCVD生长的InGaN薄膜中InN分凝的研究

利用X射线衍射(XRD)技术测量了MOCVD生长的InGaN薄膜中的InN分凝量.利用Vegard定理和XRD 2θ扫描测得实验的InGaN薄膜的In组分为0.1～0.34.通过测量XRD摇摆曲线的InN(0002)和InGaN(0002)的积分强度之比测得InN在InGaN中的含量为0.0684%～2.6396%.根据XRD理论,计算出InN和InGaN的理论衍射强度.InN含量在所有样品中均小于3%,这表明样品的相分离度比较低.还发现InN在InGaN薄膜中的含量与氮气载气流量和反应室气压明显相关.