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991.
992.
YANGJing-hai GONGJie FANHou-gang YANGLi-li ZHANGYong-jun ZseboekO. CHENGang 《高等学校化学研究》2004,20(6):747-750
A series of GaN layers was grown on sapphire (0001) substrates under various growth conditions by means of the molecular beam epitaxy (MBE) method, the optical characteristics and surface morphologies of the samples were studied. The results show that the line width of the GaN emission gradually decreases and the peak shifts under the Ga-rich condition by increasing the Ga-flux on keeping all other growth conditions unchanged. It has been also found that the resulted morphology is directly related to the Ga-flux. 相似文献
993.
多束速调管频宽特性的初步分析 总被引:2,自引:2,他引:0
介绍了多束速调管的结构特点和一些特性估计。对柱型输出腔,利用正交模分析的方法,导出了输出腔耦合系数的近似式,对多束速调管的频宽特性进行了初步分析。多束速调管输出效率和频宽的乘积的增加完全依赖束导流系数的增加,而耦合系数和腔特性阻抗随电子束束数的增加而降低,但降低速度较慢,因此,多束速调管的效率与频宽的乘积较单束要大。 相似文献
994.
995.
通过用QMD模型研究晕核^11Be ^208Pb的近垒熔合反应,发现晕核引起的熔合反应中,并存着两种相互竞争的机制:一方面当入射晕核^11Be靠近靶核时,由于^11Be是弱束缚体系,与靶核的相互作用可使其很容易破裂或少数核子被靶核俘获形成核子转移反应,从而对于熔合表现出压制;另一方面当^11Be的少数中子进入靶核并与靶核相互作用而使得靶核有些激发,而使局部半径增大,导致熔合势垒降低,熔合截面增强。用QMD模型计算出的熔合截面与实验值基本符合,垒附近表现出增强效应。 相似文献
996.
997.
998.
利用分子束外延方法(MBE)在GaAs (001)衬底上外延生长了GaSb薄膜,并对GaSb薄膜进行了高温退火研究,利用高分辨透射电子显微镜(HRTEM)、原子力显微镜(AFM)、Hall效应(Hall Effect)和低温光荧光谱(LTPL)等手段对薄膜的晶体质量、电学性质和光学性质进行了研究.发现直接生长的GaSb膜表面平整,空穴迁移率较高.研究发现30 s、650℃的快速热退火可消除位错等缺陷,显著提高GaSb薄膜的光学质量. 相似文献
999.
本文研究了双参数变形量子代数SU(2)q,s相干态的压缩效应和反聚束效应. 相似文献
1000.