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71.
CHEN Yan-ping LUO De-li HUANG Bin CHENG Hao TANG Xian-chen LI Qiang LEI Hong-bo CHEN Dan-ping 《光谱学与光谱分析》2021,41(6):1863-1868
采用熔融-淬冷法制备了Tb3+掺杂锂铝硅酸盐闪烁玻璃,用紫外激发光谱、发射光谱及荧光寿命表征了光致发光性能,用X射线和阴极射线激发测试了辐射致发光性能。研究结果表明:低Tb3+掺杂浓度时,随着其浓度增大,Tb3+间的交叉弛豫增加导致了5D3→7Fj跃迁的能量逐渐向5D4→7Fj迁移转变,5D3激发态的荧光寿命和发射强度均明显下降,5D4-7Fj发射强度逐渐增大。较高Tb3+浓度时,其浓度继续增加会提升非辐射比例,是荧光寿命降低和荧光猝灭的最主要原因。比较光致发光和辐照致发光性能,发现随着激发源的能量上升,会增加激发态5D3能级向5D4能级的能量转移,同时,由于玻璃的密度低会导致辐照致发光效率随激发源的能量上升而下降。 相似文献
72.
《发光学报》2021,42(3)
食品中有害物质的快速检测对预防食源性疾病和保障食品安全至关重要。荧光传感具有选择性好、灵敏度高和响应迅速等优点,相较于传统的检测方法具有很大的应用优势。聚集诱导发光材料(AIEgens)在分散状态下荧光较弱,而在聚集态时发出强烈的荧光,可有效克服传统荧光材料聚集荧光猝灭(ACQ)的应用局限。独特的荧光激活特性、较弱的背景荧光、较大的斯托克斯位移和出色的光稳定性等优势将AIEgens推广到食品安全检测领域。本文分析了近年来AIEgens在食品安全检测中的应用进展,如检测农药残留、兽药残留、重金属、病原体、食品添加剂等的荧光传感器,并对其存在的问题和应用前景进行了总结和展望。 相似文献
73.
74.
通过对2,4⁃2R⁃苯基⁃4⁃甲基喹啉主配体进行修饰,在苯基空间位阻较小的2位和4位引入供或吸电子能力的取代基(甲基,Me或甲氧基,MeO),分别合成了2种铱磷光配合物(2,4⁃2Me⁃mpq)_(2)Ir(acac)和(2,4⁃2MeO⁃mpq)_(2) Ir(acac),采用元素分析、核磁共振谱和单晶X射线衍射对其组成和化学结构进行了表征与确认。它们的光致发光光谱发射波长分别为610 nm和580 nm,光致发光量子产率分别为75%和80%,HOMO/LUMO能级差分别为2.04 eV和2.19 eV。以纯红光发射的磷光配合物(2,4⁃2Me⁃mpq)_(2)Ir(acac)为客体材料,制备了结构为ITO/TAPC(30 nm)/CBP∶(2,4⁃2Me⁃mpq)_(2)Ir(acac)(30 nm)∶x%/TPBi(30 nm)/Liq(2 nm)/Al的OLED器件,并优化了掺杂浓度,在10%的优化浓度下实现了高效红光OLED发光。器件的发射波长为607 nm,CIE坐标为(0.63,0.37),最大亮度为25980 cd/m^(2),电流效率为23.11 cd/A,外量子效率(EQE)高达20.28%。 相似文献
75.
(Ce,Gd,Mn)MgB5O10磷光体的合成及其发光 总被引:2,自引:3,他引:2
本文采用固相反应的方法合成了一系列(Ce,Gd,Mn)MgB5O10磷光体。观察到合成温度、灼烧时间、原料配比对磷光体的形成和发光亮度有重要影响。X射线衍射分析表明,磷光体结构与LaMgB5O10相同,属单斜晶系、空间群P21/c。用EPR确定了磷光体中锰离子为二价。测定了(Ce0.2La0.2)MgB5O10,(Gd0.7La0.3)MgB5O10,(Mn0.05La0.95)MgB5O10,(Ce0.2Mn0.05La0.75)MgB5O10,(Gd0.95Mn0.05)MgB5O10、(Ce0.2Gd0.8)MgB5O10和(Ce0.2Gd0.75Mn0.05)MgB5O15等磷光体的光谱。根据光谱数据讨论了(Ce0.2Gd0.75Mn0.05)MgB5O10磷光体中能量传递过程为:Ce3+→Mn2+,Gd3+→Mn2+以及Ce3+→Gd3+→Mn2+,其中Ce3+离子可将能量高效地传递给Gd3+,Gd3+离子起着中间体的作用。 相似文献
76.
Eu2+,Dy3+共掺杂硼铝锶长余辉玻璃陶瓷 总被引:13,自引:0,他引:13
首次介绍了一种新型长余辉材料:Eu^2 ,Dy^3 共掺杂硼铝锶长余辉玻璃陶瓷,该玻璃陶瓷用紫外灯、日光、荧光灯均可激发,发射黄绿色余辉,余辉的发射峰位于516nm,来自于Eu^2 的5d→^8S7/2跃迁。用12000 lx的荧光灯激发样品20分钟,停止激发后10秒时,该玻璃陶瓷的余辉亮度为3.53cd/m^2,色坐标为:x=0.2842,y=0.5772;停止激发后5小时55分钟,该玻璃陶瓷的余辉亮度为0.01cd/m^2;停止激发30小时后,余辉在黑暗中仍肉眼可见。文中对该玻璃陶瓷的相关性质进行了表征,并提出了可能的长余辉机理。 相似文献
77.
78.
利用金属有机化合物气相外延沉积技术在2inch(5.08cm)Si(111)图形衬底上生长了GaN外延薄膜,在Al组分渐变AlGaN缓冲层与GaN成核层之间引入了AlN插入层,研究了AlN插入层对GaN薄膜生长的影响。结果表明,随着AlN插入层厚度的增加,GaN外延膜(002)面与(102)面X射线衍射摇摆曲线半峰全宽明显变小,晶体质量变好,同时外延膜在放置过程中所产生的裂纹密度逐渐减小直至不产生裂纹。原因在于AlN插入层的厚度对GaN成核层的生长模式有明显影响,较厚的AlN插入层使GaN成核层倾向于岛状生长,造成后续生长的nGaN外延膜具有更多的侧向外延成分,从而降低了GaN外延膜中的位错密度,减少了GaN外延膜中的残余张应力。同时还提出了一种利用荧光显微镜观察黄带发光形貌来表征GaN成核层形貌和生长模式的新方法。 相似文献
79.
光隔离器是光纤通信系统和精密光学测量系统中常用到的一种光学器件。在光路中,它的主要作用是阻止光被其他物体反射回来沿原路的传播,如图1所示,从端口①到②的正向光能顺利通过,而阻图1光隔离器的作用止从端口②到①的反向光。随着光通信技术的进一步发展和光电子材料研究热潮的兴起,光隔离器的用途越来越广泛。与此同时,人们对光隔离器的各项特性指标也提出了更高的要求。1.光隔离器的结构组成和工作原理光隔离器由两个线偏振器中间加一法拉第旋转器构成。它的工作原理如图2所示。方向可以这样决定:不管光的传播方向如何,迎着外加磁场的磁感应强度方向观察,偏振光总按顺时针方向旋转。 相似文献
80.
本文报道了过渡金属Mn2+离子的含量对二维纳米发光材料[ZnxMg6-xAl2(OH)16]2+[S*2H2O]2-发光强度的影响,并研究了其他合成条件如Zn2+含量、硫化时间、灼烧温度等对发光材料、发光强度的影响. 相似文献