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Efficient Visible Electroluminescence from Porous Silicon Diodes Passivated by Carbon Films 下载免费PDF全文
《中国物理快报》2002,19(7):1013-1015
By using n-butylamine as a carbon resource,carbon film is deposited on the p-n porous silicon (PS) surface with a radio-frequency glow discharge plasma system.Raman spectra and infrared reflection (IR) spectra of the carbon films indicate that there are amine-group and hydrogen atoms therein.The IR spectra of the passivated PS samples exhibit that the PS surfaces are mainly covered with Si-C,Si-N and Si-O bonds.Electroluminescence (EL) spectra show that the EL intensity of the passivated PS diodes increases greatly and the blueshift of the EL peak occurs compared with the diodes without treatment.Both of these are stable while the passivated diodes are exposed to the air indoors.The I-V characteristics reveal that the passivated diodes have a smaller series resistance and a lower onset voltage.The influence of the carbon film passivation on EL properties of PS has also been discussed.The results have proven that carbon film passivation is a good way to enhance the PS luminescent intensity and stability. 相似文献
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A europium complex Eu (DBM)3 TPPO (Eu tris(benzoylmethide)-(triphenylphosphine oxide)) and silicon nanoparticles have been hybridized.The hybridization can evidently change the photoluminescence (PL) characteristics of the Eu complex in the following aspects:under an excitation of 390nm,the intensity of the PL peak at 611nm due to the ^5Du-^7F2 transition of the Eu^3 ions has been increased by 30%,and thc integrated PL intensity in the visible range has been increased by nearly 3 times;the PL excitation efficiency beyond 440nm has been improved cvidently;the peak in the PL excitation spectrum shifts from 408nm to 388nm,and the PL decay time decreases from 2.07 to 0.96μs,The experimental results indicatde that in the PL process,the photoexcited energy may transfer from the silicon nanoparticlcs to the Eu^3 ions. 相似文献
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1 引言目前,许多研究都集中于研制各种用途的中波红外成像系统。这些应用从工业用热成像一直扩展到探测车辆、导弹等的军用热成像。可反映中波红外成像目前技术水平的是加工碲镉汞、锑化铟等半导体探测器的线阵或面阵,并把它们组装到一适当光学成像系统。但是,材料和器件的产额低,这种器件不仅制作难而且成本高。本文介绍一种加工成本低用于中波红外成像的新型探测介质,具体地讲,这种新介质是一种可将中波红外 相似文献
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采用激发样品表层和样品中心两种激发方式,在300K和77K温度下研究叶绿素A(Chla)的较高激发行为,观测到峰值位于493、520和580nm三条新的荧光发射带.分别测量它们的荧光激发光谱,证明这三条新的荧光带属于Chla的第二激发单线态向基态的不同振动能级的辐射跃迁发光.最后提出电子跃迁模型,同时进行了讨论. 相似文献
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铝酸锶铕的合成与发光的研究 总被引:35,自引:2,他引:33
本文详细报导4(SrEu)O·7Al2O3.磷光体的合成及激活剂Eu2+离子浓度、硼酸、五氧化二磷等对磷光体发光强度,发射光谱和激发光谱的影响.讨论了不同Eu2+离子之间的能量传递.测量了不同Eu2+浓度下磷光体的荧光寿命和长余辉特性. 相似文献