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51.
相干态光场的位相统计性质 总被引:5,自引:0,他引:5
根据Pegg-Barnett位相定义,计算了相干态光场的位相概率分布函数,并且进行了数值模拟。研究表明在真空态时,位相分布曲线为一条直线;相干态下位相分布曲线表现为:均匀分布→泊松分布→均匀分布。 相似文献
52.
研究了Gd_xY_(1-x)P_5O_(14):Ce_(0.01),Tb_(0.02)体系中Gd的子晶格在Ce→Gd→Tb能量传递中的中介作用规律及GdP_5O_(14),GdP_5O_(14):Ce,GdP_5O_(14):Tb和Gd_xY_(1-x)P_5O_(14):Ce,Tb的荧光光谱、激发光谱。结果表明,当x>0.7时,结构从单斜Ⅱ(C2/c)的层状结构变为单斜I(P2_1/c)的带状结构,Ce ̄(3+)的发射光谱和Gd ̄(3+)的吸收光谱交迭增加等是Ce ̄(3+)→Gd ̄(3+)→Tb ̄(3+)能量传递几率增加的主要原因。 相似文献
53.
用XRD,ESR和TPD等技术研究冲击波处理的结晶MgO后发现,MgO的晶格发生畸变,微应力值ε1/2D显著增大,有大量缺陷产生并形成F心,晶体的平均晶粒减小,且表现出各向异性,从而引起了催化剂表面碱中心强度增大,数目变化,在对乙烷氧化脱氢反应中表现出较高的活性和对乙烯的选择性,初步讨论了可能的结构模型和催化机理。 相似文献
54.
55.
56.
采用固源Si分子束外延,在较高的生长温度于Si(100)衬底上制备出Si1-xGex/Si量子阱发光材料。发光样品的质量和特性通过卢瑟福背散射、X射线双晶衍射及光致发光评估。背散射实验中观察到应变超晶格的反常沟道效应;X射线分析表明材料的生长是共度的、无应力释放的,结晶完整性好。低温光致发光主要是外延合金量子阱中带边激子的无声发射和横光学声子参与的激子复合。并讨论了生长温度对量于阱发光的影响。 相似文献
57.
58.
59.
宽带Ⅱ-Ⅵ族半导体及其低维结构的生长和光学性质研究进展 总被引:9,自引:4,他引:5
本文系自1979年以来,宽带Ⅱ-Ⅵ族半导体研究组取得的主要研究成果的简要介绍。取得的主要研究成果可分为如下六个方面:第一,系统地研究了宽带Ⅱ-Ⅵ族半导体在电场激发下的自由激子发射;第二,创造性地提出并实 利用宽带Ⅱ-Ⅵ族超晶格的室温激子效应来实现在蓝绿区快响应的光学双稳的物理思想;第三,深入研究了宽带Ⅱ-Ⅵ族超晶格中的激子行为以及激子与元激发态的相互作用,为利用激子获得有效蓝色自发和受激发射提供物理基础和实验途径;第四,研究了ZnSe基非对称双量子阱和组合超晶格中激子的隧穿以及激子的自发和受激发射;第五,CdSe和ZnSeS自组装量子点的生长及其形成机理;第六,ZnO薄膜的生长及其紫外发射特性。 相似文献
60.
光泽精化学发光体系的研究与应用 总被引:5,自引:0,他引:5
对光泽精化学发光体系的动力学性质、荧光光谱、化学发光光谱及化学发光机理进行研究和探讨。详细研究了光泽精 - H2 O2 - Co( )流动注射化学发光体系的最佳分析条件。结果表明 ,当光泽精 (L c)为 2 .5×10 - 5mol/L、H2 O2 为 0 .5 mol/L、Na OH为 0 .4 mol/L、CTMAB为 2 .0× 10 - 5mol/L时 ,测定 Co( )的校准曲线线性范围为 0 .0 5— 2 0 0μg/m L ,检出限为 0 .0 1μg/m L。对 10μg/m L Co( )连续测定 7次 ,相对标准偏差为 1.7%。 相似文献