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991.
采用原子基表示的第一原理赝势方法,计算了正极材料LiMn2O4的电子结构,发现LiMn2O4的价带主要是由Mn(8)和Mn(9)的3d轨道和O(7)、O(6)、O(4)的2p轨道构成,导带主要是由Mn(8)和Mn(9)的3d轨道和O(7)的2p轨道构成.通过计算Li5Mn2C0O8的电子结构,发现在LiMn2O4中用钴离子取代16d位锰离子将使电极材料的费米能减小,放电电压降低;锂离子的净电荷增大,锂离子与氧离子的相互作用增强,可逆容量降低;同时由于价带宽度变窄,Co-O键间的相互作用比Mn-O键间的相互作用强,所以,结构稳定性增加,电极循环性能改善. 相似文献
992.
用溶胶-凝胶法制备了在可见光照射下具有光催化活性的掺杂P(t Ⅳ)离子的非晶态微孔TiO2,表面积为160~200 m2/g;含3.0%Pt(Ⅳ)的AMM-Ti具有最大的光催化活性. X射线精细结构分析(EXAFS)表明,单个的PtCl4分子均匀地分布在非晶态二氧化钛表面;用这种光催化剂降解2,4-二氯苯氧基乙酸时,2,4-二氯苯酚是主要的中间物,通过Langmuir-Hinshelwood 方程的线性形式估算了反应速率常数k 和吸附平衡常数K,研究了光催化起始反应速率和反应物起始浓度之间的关系,同时,提 相似文献
993.
本文对具高吸收的ZnSe多晶材料的增加吸收型光学双稳性进行了实验观测,发现在介质的吸收远高于过去提出的理论判据时,仍能获得双稳输出,并测定了阈值开关功率与光斑尺寸及样品厚度的关系.采用分层模型分析实验结果,定性地解释了实验现象. 相似文献
994.
(Ce,Gd,Mn)MgB5O10磷光体的合成及其发光 总被引:2,自引:3,他引:2
本文采用固相反应的方法合成了一系列(Ce,Gd,Mn)MgB5O10磷光体。观察到合成温度、灼烧时间、原料配比对磷光体的形成和发光亮度有重要影响。X射线衍射分析表明,磷光体结构与LaMgB5O10相同,属单斜晶系、空间群P21/c。用EPR确定了磷光体中锰离子为二价。测定了(Ce0.2La0.2)MgB5O10,(Gd0.7La0.3)MgB5O10,(Mn0.05La0.95)MgB5O10,(Ce0.2Mn0.05La0.75)MgB5O10,(Gd0.95Mn0.05)MgB5O10、(Ce0.2Gd0.8)MgB5O10和(Ce0.2Gd0.75Mn0.05)MgB5O15等磷光体的光谱。根据光谱数据讨论了(Ce0.2Gd0.75Mn0.05)MgB5O10磷光体中能量传递过程为:Ce3+→Mn2+,Gd3+→Mn2+以及Ce3+→Gd3+→Mn2+,其中Ce3+离子可将能量高效地传递给Gd3+,Gd3+离子起着中间体的作用。 相似文献
995.
本文利用耦合的技巧,建立了Ising模型与接触过程的联系。由此给出了Ising模型临界温度的上界,即n维Ising模型的临界点βc(n)应满足 exp{2βc(n)(2n-1)}·(exp{2βc(n)}-1)≥2/2n-1。特别是三维Ising模型的临界点βc(3)>1/2ln1.17。
关键词: 相似文献
996.
基于异宿轨道Shilnikov准则,分析了一类三维自治微分系统异宿环的存在性,并证明了该系统具有Smale马蹄意义的混沌.然后对系统的分岔,Lyapunov指数,Poincare映射进行了数值分析,同时利用自适应反步控制方法,对含有三个未知参数的系统给出了一种控制算法.最后通过数值示例进行仿真,对文中论述进行了验证.
关键词:
异宿环
自适应反步
Shilnikov准则
Poincare映射 相似文献
997.
在双折射光纤中,根据受激拉曼散射和参量放大共同作用下的斯托克斯波和反斯托克斯波所满足的耦合模方程,考虑输入泵浦波是线偏振光,推导出了与泵浦波偏振方向垂直的的斯托克斯波和反斯托克斯波的增益系数;研究了双折射色散缓变光纤中,斯托克斯波和反斯托克斯波增益随相关参量的变化关系。结果表明,与泵浦波偏振方向垂直的斯托克斯波和反斯托克斯波增益的变化趋势是完全相同和对称的;同时表明,通过改变失配系数 ,在适当的传输位置,可以实现对斯托克斯波和反斯托克斯波有选择性的输出,以达到输出频率转换的目的。 相似文献
998.
采用了熔盐法新工艺制备了纯相与掺钒的MnNb2O6粉晶,利用X射线衍射仪(XRD),扫描电子显微镜(SEM),能谱分析(EDX),透射电子显微镜(TEM)、高分辨透射电镜(HRTEM)和电子衍射(SAED)分析了其物相、形貌及微结构.结果表明合成产物为正交晶系钶铁矿型MnNb2O6;在不同的熔盐中合成出了棒状、片状与长方体形貌的纯相产物.讨论了温度与掺杂对结构与形貌的影响,HRTEM与SAED分析表明了产物的各向异性生
关键词:
熔盐法
结构与形貌
掺杂
反铁磁性 相似文献
999.
通过将单回路镜像对称开口金属环结构印制在高介电常数基板上,实现了一种金属含量比传统负折射材料更少,"双负"通带比全介质负折射材料更宽的负折射材料.分析了高介电常数基板产生负介电常数以及"双负"通带形成的机理,通过仿真实验分析了影响"双负"通带的因素.通过制作样品验证了这一机理实现"双负"的可行性,理论分析与实验结果都表明这种方法可实现较宽频段内的"双负"通带.
关键词:
负折射材料
负介电常数
负磁导率
介质谐振器原理 相似文献
1000.