基于多通道时间反转Lamb波的铝板小缺陷检测

超声Lamb波具有传播距离远、衰减小等特点,广泛应用于板结构的无损检测。将Lamb波检测技术与时间反转理论相结合,能提高铝板中小缺陷的检测能力。采用多通道时间反转板中Lamb波聚焦方法对1mm厚的铝板中直径0.8mm通孔缺陷进行检测,检测结果显示多通道时间反转检测信号中形成了两处明显的聚焦,即直达波和缺陷回波聚焦,证明此方法有效提高了检测分辨铝板小缺陷的能力。最后通过直达波、缺陷回波两处聚焦的时间差和Lamb波S_0模态群速度,准确实现了铝板中小缺陷的定位。多通道时间反转Lamb波聚焦方法不仅得到了缺陷检测回波,而且准确实现了缺陷的定位,达到了提高铝板中小缺陷检测能力的目的。     

退火对IrMn基磁隧道结多层膜热稳定性的影响

采用磁控溅射方法制备了结构为IrMn/CoFe/AlO_x/CoFe的磁性隧道结多层膜,样品置于真空磁场中进行退火处理. 将在不同温度退火的磁隧道结结构多层膜置于负饱和场中等待,研究退火温度对样品热稳定性的影响. 结果表明:退火提高了多层膜反铁磁层的单轴各向异性能,增加了样品的交换偏置;随着负饱和场等待时间的延长,被钉扎层的磁滞回线向正场偏移,交换偏置单调减小,但退火减弱了这种趋势. 关键词： 磁隧道结 交换偏置 磁化反转     

双奇核中π1/2－[541]⊙νi13/2带的系统学特征

通过束流能量为97MeV的¹⁵²Sm(¹⁹F,5n)¹⁶⁶Lu熔合蒸发反应,用在束γ(谱学方法研究了¹⁶⁶的高自旋态,建立了5条转动带,其中3条带是本实验中首次确定的.发现了π1/2^－[541]⊙ν5/2⁺[642]带的低自旋旋称反转现象,该带的反转点自旋值17.5h同A=170区奇奇核的π1/2^－[541]⊙νi_13/2带的反转点变化趋势非常相符.     

自发辐射诱导相干对开放的Ladder型系统无反转激光增益瞬态演化的影响

利用开放的Ladder型三能级原子系统密度矩阵运动方程的数值解,研究了在探测场和驱动场双共振条件下,自发辐射诱导相干（SGC） 对系统无反转激光（LWI）增益瞬态演化的影响以及注入速率比和退出速率对与SGC相关的增益的调制作用.研究结果表明：SGC强度的变化将使瞬态增益和最终的稳定增益发生显著的改变;存在非相干抽运时,LWI增益随注入速率比和退出速率的减小而增大,而不存在非相干抽运时的情况与此正好相反;通过选取适当的SGC强度、注入速率比和退出速率可得到最大的LWI增益的瞬态值和最终的稳定值. 关键词： 开放系统 自发辐射诱导相干 瞬态演化 无反转增益     

类克尔介质对二能级原子与压缩相干态相互作用的影响

通过研究原子反转和光子数统计分布,讨论包含类克尔介质的双光子二能级原子与压缩相干态相互作用的量予特性.结果表明,在类克尔介质与模场的耦合强度为原子与模场耦合强度的两倍以上时,原子与模场耦合的作用不明显.     

中子引起的单粒子反转截面的Monte Carlo模拟计算

单粒子效应是蠹民粒子在电子元器件中通过时，靠民电子元器件的电离损伤，导致电子元器件的记录出错。考虑了１０－２０ＭｅＶ中子与硅反应的主要反应道，利用Ｍｏｎｔｅ Ｃｑｒｌｏ方法对中子射入硅器件器中引起的单粒子反转进行模拟，得到质子、α粒子的能量、角度分布。考虑带电粒子在硅片中引起的电离 损伤，对不同临界电荷在１６Ｋ动态ＲＡＭ硅片中有一个灵敏单克发生反转时，中子入射注量及相应在的单粒子反转截面，给出了反     

162Lu的高自旋态及A=160区双奇核晕态能级的符号因子反转

利用¹⁴⁷Sm(¹⁹F,4nγ)¹⁶²Lu反应研究了¹⁶²Lu的高自旋态. 由7个带BGO康普顿抑制的高纯锗探测器和一个小平面探测器进行了在束γ测量,首次建立了双奇核¹⁶²Lu转晕带的能级纲图. 发现在低转动频率下,¹⁶²Lu的转晕带能级发生符号因子反转. 对质量数A=160核区双音核的转晕带重新进行了分析和考察,讨论了转晕带能级符号因子反转的系统性.     

Transparency and Strong Gain Without Population Inversion in Photonic Bandgap Crystals

Without using the weak-field approximation,we investigate the transient properties of a Λ-type atom with one transition near resonant with a photonic bandgap edge.Whatever the initial state of the atom is,the atom can become transparent to a probe field,and strong gain without population inversion is also possible if the atom has been pre-excited.The defect mode formed by atomic doping can have a strong effect on the absorption properties of the atom.     

J．M．Dancan反转应力法的探讨

作者从近年来实际应用有限元法模拟地下工程开挖过程时发现的问题入手，讨论了Ｊ．Ｍ．Ｄａｎ－ｃａｎ反转应力法存在的缺陷．并进一步从理论上分析了Ｊ．Ｍ．Ｄａｎｃａｎ法出现问题的特征和条件．最后给出了一种可替代Ｊ．Ｍ．Ｄａｎｃａｎ反转应力释放法的直接积分法．     

微纳尺度多铁异质结中电驱动磁反转

近年来,多铁异质结中电控磁性研究引起了广泛关注,已成为多铁领域的热点.现代自旋电子学器件(如磁内存)通常利用电流产生的磁场或自旋转移扭矩效应驱动磁反转来实现数据擦写,但这带来高额能耗和热量,成为亟待解决的关键难题.而利用多铁异质结实施电场驱动磁反转则有望大幅降低能耗,从而实现高速、低能耗、高稳定性新型高密度磁存储、逻辑及其他自旋电子学器件.在当前器件发展的微型化趋势下,探索可集成化的微纳尺度电场驱动磁反转方案显得越发重要.本文针对发展新型磁电器件所面临的微型化关键问题,回顾了微纳尺度电场驱动磁反转研究的新进展,主要关注小尺度多铁异质结中电控磁的新特点、新方法及相关物理机理的实验和理论成果,讨论了进入纳米尺度将面临的挑战,并对未来研究工作提出一些展望.