全文获取类型
收费全文 | 16809篇 |
免费 | 2369篇 |
国内免费 | 3333篇 |
专业分类
化学 | 6388篇 |
晶体学 | 344篇 |
力学 | 69篇 |
综合类 | 125篇 |
数学 | 88篇 |
物理学 | 15497篇 |
出版年
2024年 | 141篇 |
2023年 | 447篇 |
2022年 | 684篇 |
2021年 | 711篇 |
2020年 | 354篇 |
2019年 | 679篇 |
2018年 | 509篇 |
2017年 | 674篇 |
2016年 | 662篇 |
2015年 | 707篇 |
2014年 | 1213篇 |
2013年 | 1058篇 |
2012年 | 1100篇 |
2011年 | 1103篇 |
2010年 | 1111篇 |
2009年 | 1190篇 |
2008年 | 1107篇 |
2007年 | 941篇 |
2006年 | 925篇 |
2005年 | 827篇 |
2004年 | 764篇 |
2003年 | 675篇 |
2002年 | 559篇 |
2001年 | 563篇 |
2000年 | 452篇 |
1999年 | 438篇 |
1998年 | 345篇 |
1997年 | 381篇 |
1996年 | 356篇 |
1995年 | 398篇 |
1994年 | 288篇 |
1993年 | 222篇 |
1992年 | 250篇 |
1991年 | 201篇 |
1990年 | 196篇 |
1989年 | 191篇 |
1988年 | 47篇 |
1987年 | 30篇 |
1986年 | 7篇 |
1985年 | 3篇 |
1983年 | 2篇 |
排序方式: 共有10000条查询结果,搜索用时 15 毫秒
41.
由于腔模与激子对压力的依赖关系不同,所以可以选择不同的压力使激子和光场处于不同的耦合状态,从而实现对耦合的调谐。利用这种办法,我们观测到了代表激子与光场强耦合作用的Rabi分裂。由于在我们现有样品结构中压力对激子本征行为的影响很小,与以前报道的温度、电场等调谐方式相比,这种调谐方法不仅可以有效地调谐半导体微腔内激子与腔模的耦合程度,而且能够保持激子的本征性质在整个调谐过程中基本不变。这有助于研究在强耦合过程中激子极化激元的本征性质。将实验结果与压力下激子与腔模耦合理论进行拟合,得出了正确的Rabi分裂值。 相似文献
42.
We study the two samples of AlInGaN,i.e.,1-μm Gan grown at 1030℃ on the buffer and followed by a 0.6μm-thick epilayer of AlInGaN under the low pressure of 76 Torr and the AlInGaN layer deposited diectly on the buffer layer without the high-temperature GaN layer,by temperature-dependent photoluminescence(PL) spectroscopy and picosecond time-resolved photoluminescence(TRPL) spectroscopy.The TRPL signals of both the samples were fitted well as a stretched exponential decay at all temperatures,indicating significant disorder in the material.We attribute the disorder to nanoscale quantum dots or discs of high indium concentration.Temperature dependence of dispersive exponent β shows that the stretched exponential decay of the two samples comes from dfferent mechanisms.The different depths of the localization potential account for the difference,which is illustrated by the results of temperature dependence of radiative recombination lifetime and PL peak energy. 相似文献
43.
X射线衍射摇摆曲线的计算机模拟是一种获得材料晶体质量参量的有效方法,其中材料本征摇摆曲线的计算是计算机模拟的基础。用X射线动力学理论计算了Hg1-xCdxTe和Cd1-zZnzTe本征反射率曲线,并研究了组分、膜厚分别对本征反射率和半峰全宽的影响。结果表明Hg1-xCdxTe和Cd1-zZnzTe的本征反射率和半峰全宽与材料组分和厚度有明显的依赖关系,且该依赖关系取决于X射线在材料中的散射和吸收的相对强弱。薄膜的厚度也是直接影响本征摇摆曲线峰形、半峰全宽和反射率的重要因素,当薄膜厚度小于穿透深度时,表征本征反射率曲线的各个参量均与薄膜厚度有直接的关系。对于(333)衍射面,碲镉汞材料厚度大于7μm后,本征反射率和半峰全宽将不再发生明显变化。 相似文献
44.
Characterization of Uncooled Poly SiGe Microbolometer for Infrared Detection 总被引:1,自引:0,他引:1 下载免费PDF全文
《中国物理快报》2003,20(5):770-773
45.
近年来半导体激光器的发展引人注目,已由红外波段推向可见光区,可靠性和输出功率提高而价格下降,在光谱研究方面的应用也日益广泛。文章介绍了半导体激光器的现状,频率稳定、压缩线宽和调谐波长的方法,以及半导体激光器在吸收光谱、非线性光谱、原子的冷却和光泵浦原子钟等方面的应用。 相似文献
46.
酞菁钴薄膜的折射率及吸收特性 总被引:3,自引:1,他引:2
通过真空镀法在单晶硅片上制备了酞菁钴薄膜,在波长扫描和入射角可变全自动椭圆偏振光谱仪上研究了CoPc薄膜的椭偏光谱并分析了其电子结构。 相似文献
47.
B-Spline with Symplectic Algorithm Method for Solution of Time-Dependent Schrodinger Equations 下载免费PDF全文
A B-spline with the symplectic algorithm method for the solution of time-dependent Schrodinger equations (TDSEs) is introduced. The spatial part of the wavefunction is expanded by B-spline and the time evolution is given in a symplectic scheme. This method allows us to obtain a highly accurate and stable solution of TDSEs. The effectiveness and efficiency of this method is demonstrated by the high-order harmonic spectra of one-dimensional atoms in comparison with other references. 相似文献
48.
49.
50.
Momentum Transfer Dependence of Two Types of the Broad Enhancement Phenomena: CO Spectra in the Valence Energy Region 下载免费PDF全文
Partial generalized oscillator strength densities of CO molecules related to the excitation of a 5σ or 1π electron are calculated by using multi-scattering self-consistent-field methods.Momentum transfer dependence of two types of the broad enhancement phenomena above the threshold with one-electron character,i.e. shape resonance and non-resonance enhancement,is studied.Our calculations show that the energy position of a non-resonance enhancement is related to the momentum transfer K.Therefore,electron impact based experiments can be used to identify the two types of the broad enhancement phenomena. 相似文献