对MDTA中测样品热容量的准恒温法的评述

对用调制差热分析（ＭＤＴＡ）准恒温法测样品热容量的情形进行了讨论。通过结合最基本的热传导定律和ＭＤＴＡ模型，指出了目前国际上测量样品热容量的准恒温法只能得到在所测温度范围内的物质热容量平均值，调制温度的幅度越大或调制频率越高，所得到的热容量数据越平滑。在所测温度范围内样品热容量基本不变时，用ＭＤＴＡ准恒温法较好；但当样品热容量在所测温度范围内有明显变化时，用传统差热分析法（ＤＴＡ）更好一些。     

镀金层识别及其厚度测定的X—荧光强度比值法

利用Ａｕ原子在Ｘ射线激发下所发射的Ｌβ线和Ｍ线的强度比值识别样品是镀金还是Ｋ金，同时利用这个比值测定镀金层的厚度，镀金层厚度的测定范围为０～４μｍ，测定值与标定值的相对误差小于１５％。     

SO_4~（2－）／ZrO_2超强酸制备方法的改进

用ＢＥＴ、ＸＲＤ、流动指示剂法、化学分析、低温正丁烷异构化反应等手段研究了制备条件对ＺｒＯ２前驱体和ＳＯ／ＺｒＯ２超强酸性能的影响．实验结果表明，采用不同的制备条件，ＺｒＯ２前驱体的比表面可相差１．８倍，ＳＯ／ＺｒＯ２的酸强度相差约１０００倍．ＳＯ／ＺｒＯ２的正丁烷异构化反应活性相差约３００倍．ＺｒＯ２最高比表面可达２４５ｍ２／ｇ，ＳＯ／ＺｒＯ２酸强度为Ｈ０≤－１．６０，２０℃时ＳＯ／ＺｒＯ２正丁烷异构化反应速率常数为１５．５×１０－３ｈ－１。     

尼龙1216晶型转变的红外光谱研究

采用变温红外光谱研究了尼龙1216的Brill转变并测得Brill温度约为150℃。一些α谱带在转变过程中消失，氢键强度也急剧减弱。这些现象证明了Brill转变的“局部熔融”机理。     

离子簇合物HeN_2~+的电子光谱的从头算研究

本文报道了离子簇合物HeN2＋的电子光谱的从头算结果。在MCSCF／6－31G（d，p）水平上，对其基态进行了几何优化，用该构型．在SDC1／6－31（d，p）水平上计算了基态的总能量。用SDCI方法计算得到HeN2＋从基态到选择激发态的垂直跃迁能、振子强度、跃迁频率、辐射寿命以及Einstain系数。该结果可以较好的验证maier的实验。     

8,10-二炔廿五碳酸LB膜的周期结构

合成了8,10-二炔廿五碳酸,在玻璃片、石英片和镀金片上沉积了它的LB膜,X-射线衍射研究了LB膜的周期结构和聚合对它的影响。在2θ=1°—15°范围内观察到了多达7个布拉格衍射峰。由此计算了等同周期和分子在基片上的倾斜角。用分子模型计算了衍射峰强度,得到了与实验结果相符合的衍射峰强度奇偶起伏现象。     

凝胶型苯乙烯系离子交换树脂的强度及抗渗透性的影响因素研究 (I)

本文就单体组成中不同引发剂，链转移剂，环二烯，烯丙基类化合物和氧气等对凝胶型苯乙烯系阳离子交换树脂的强度和抗渗透性的影响进行了系统研究。结果显示，采用0．30％的过氧化2－乙基己酸叔丁酯（OT）和0．01％的过氧化苯甲酸特丁酯（CP）代替过氧化二苯甲酰（BPO作引发剂，或者加入0．02％的链转移剂十二烷基硫醇，均能够在一定程度上改善共聚物珠粒的结构均匀性，提高其合成的离子交换树脂的磨后圆球率和抗渗透性能。     

高频介质系统介电性能与相组成的定量关系分析

采用普通电子陶瓷工艺制备两种高频介质系统ZnO-B2O3-SiO2三元系和BaO-PbO-Nd2O3-Bi2O3-TiO2五元系,通过XRD分析确定各系统的主晶相, 运用衍射峰强度计算法准确测定出各组分的体积百分含量,并代入Lichnetecker对数混合定则,计算出系统的介电性能,获得了分析介质系统介电性能与物相含量之间定量关系的新方法.     

大口径光学元件波前调制PSD模拟分析

 使用PSD作为大口径光学元件表面加工质量的评价参数，针对不同的波前调制进行了初步的模拟计算，得到了不同调制频率和不同调制深度情况下的PSD曲线变化情况。当调制频率不同时，PSD曲线的突变部分会发生相应的频移，调制频率高则突变发生在空间频率较高的频段，同时PSD峰值不变。相对应调制深度不同时，PSD曲线的突变部份峰值发生变化，调制深度大则峰值大，与此同时峰值出现的位置不会发生变化。计算和分析结果表明PSD分析结果能够在频率域反应出元件表面受到的不同程度的调制信息。