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31.
图G称为弱泛圈图是指G包含了每个长为t(g(V)≤l≤c(G))的圈,其中g(G),c(v)分别是G的围长与周长.1997年Brandt提出以下猜想:边数大于[n2/4]-n 5的n阶非二部图为弱泛圈图.1999年Bollobas和Thomason证明了边数不小于[n2/4]-n 59的n阶非二部图为弱泛圈图.作者证明了如下结论:设G是n阶Hamilton非二部图,若G的边数不小于[n2/4]-n 12,则G为弱泛圈图. 相似文献
32.
对于桥教最多为3的纽结,证明了Gordon的L(3,1)猜测,即如果K是三维球面中桥数不超过3的非平凡纽结,那么K上的Dehn手术不能产生透镜空间L(3,1). 相似文献
33.
周明琨 《新疆大学学报(理工版)》1987,(3)
对任一个简单图G,我们构选出一类图M_(n≥1)。本文研究了图M_(?)的(?)多项式C(M_(?);w)的消去性质,并得C(M_(?);w)的递推关系表达式及C(M_(?);w)的具体表达式。 相似文献
34.
设Fk*是满足以下条件的3-正则2-连通平面图G所组成的图类,在G中存在这样的圈C,使得G-E(C)产生k个不相交的树T1,…,Tk(|E(Ti)|≥3,i=1,…,k),且这些树是按C的指定方向C*依次粘在圈C上的.本文主要证明了如下结果:Fk*中的图都是Hamilton的. 相似文献
35.
为了研究金属材料的超快变形行为,利用强流脉冲电子束(HCPEB)装置对20钢进行轰击,采用X射线衍射、光学显微镜及透射电镜等技术分析了受轰击样品的变形组织与结构。实验结果表明,强流脉冲电子束能够在材料表层诱发幅值为1 GPa量级的应力,快速的加热和冷却过程在近表层诱发了强烈的塑性变形,并在材料表层内形成了复杂的位错缠结结构和位错胞结构,同时还伴随位错圈等空位簇缺陷的形成,多次轰击导致局部区域形成纳米和非晶结构。HCPBE轰击诱发的幅值极大的应力和极高的应变速率而导致的整个原子平面的位移可能是非晶结构形成的关键原因。 相似文献
36.
通过对节点导纳矩阵的进一步分析,得出节点电压方程一种新的形式,用节点电压方程能够直观地从电路图直接绘制出信号流图而不需列写KCL,KVL和器件方程.类似的,通过圈阻抗矩阵的分析,也得到了新形式的圈电流方程. 相似文献
37.
38.
图G的无符号拉普拉斯矩阵定义为图G的邻接矩阵与度对角矩阵的和,其特征值称为图G的Q-特征值.图G的一个Q-特征值称为Q-主特征值,如果它有一个特征向量其分量的和不等于零.确定了所有恰有两个Q-主特征值的三圈图. 相似文献
39.
A graph G is called quasi-claw-free if it satisfies the property:d(x,y)=2 there exists a vertex u∈N(x)∩N(y)such that N[u]■N[x]∪N[y].In this paper,we show that every 2-connected quasi-claw-free graph of order n with G■F contains a cycle of length at least min{3δ+2,n},where F is a family of graphs. 相似文献
40.
Garey和Johnson证明了确定图的交叉数问题是一个NP-难问题.目前,已确定交叉数的图类并不多.本文证明了一个特殊6阶图与n个孤立点,路P_n及圈C_n的联图的交叉数分别是cr(Q+nK_1)=Z(6,n)+n;cr(Q+P_n)=Z(6,n)+n+1及cr(Q+C_n)=Z(6,n)+n+3. 相似文献