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51.
厄米—双曲余弦—光斯光束的瞄准稳定性 总被引:2,自引:1,他引:1
用失调叠加积分的方法,对厄米-双曲余弦-高斯光束的瞄准稳定性作了研究,得到了厄米-双曲余弦-高斯光束失调因子|ηm|^2的精确解析公式和近似解析公式,并用数值计算了相对横向偏移和相对角向偏移对失调因子|ηm|^2的影响以及对精确解析公式和近似解析公式的适用范围作了分析和说明。 相似文献
52.
用密耦近似方法计算了He和N2体系的微分截面和总截面及转动激发分波截面,得出微分截面及总截面随入射能量变化的规律. 相似文献
53.
54.
用过氧聚钨酸(PPTA)水溶液,通过离心涂膜法在显微镜载玻片上制备了具有光滑表面且厚度为100nm的PPTA薄膜,利用PPTA薄膜在紫外光照下可研制光栅以及其它光学元件的薄膜材料,具有很高的利用价值。 相似文献
55.
56.
57.
58.
本文报道了对分子束外延(MBE)生长的In0.25Ga0.75As-GaAs应变层量子阱结构在77K下的压力光荧光(PL)研究的结果。流体静压力从0到50kbar.,给出了In0.25Ga0.75As-GaAs应变层量子阱的Γ谷压力系数,实验观察到了量子阱中能级与势垒GaAs中X谷的能级交叉。通过对其压力行为的分析,给出了In0.25Ga0.75As-GaAs异质结的导带与价带跃变比:Qc=△Ec:△Ev=0.68:0.32。对(InGa)As-GaAs应变量子阱常压下的理论分析与实验符合很好。本文也对Al0.3Ga0.70As-GaAs量子阱进行了讨论。
关键词: 相似文献
59.
本文用AES研究了P-InP/TiPdAu热处理前后的界面特性,结果表明:TiPd层对Au的内扩散和In的扩散有阻挡作用。以TiPdAu作InGaAsP/InP双异质结发光管的p面电极、镀Au作热沉,采用In焊料,研究了器件的可靠性问题,在室温大气气氛中;70℃存储,70~80℃带电老化,三种条件下长时间考核结果表明:器件的I-V特性正常,末见正向压降明显变化。还比较了Au-Zn材料作p面电极用TiPdAu作肖脱基势垒限制层制成的器件和用TiPdAu作电极材料制成的深Zn扩散型器件在老化过程中的特性变化,后二种结构的器件,在长期老化过程中,有源区中有大面积DSD生长和增殖。 相似文献
60.
Ahmad Afaq DU Meng-Li 《理论物理通讯》2006,46(1):119-122
The photodetachment of a negative molecular ion is studied theoretically using a two-center model. The detached electron wave function is obtained as a superposition of two coherent waves originating from each center. The photo-detached electron flux is evaluated on a screen placed at a large distance from the negative molecular ion. The electron flux on the screen displays strong interferences, the peak positions are related to the distance between the two centers in the negative molecular ion. We a/so obtained a simple analytical formula for the total photodetachment cross section. It approaches one and two times of the cross section for the one-center system in the high and lowphoton energy limits respectively. 相似文献