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41.
利用可调谐激光器作为光源,以溯源于低温绝对辐射计的标准传递探测器作为激光束功率测量探测器,采用激光点阵扫描方法在太阳辐射计有效孔径光阑面形成均匀照度场,精确测量太阳辐射计870 nm无偏直射通道中心波长处绝对辐照度响应度。利用灯-单色仪系统扫描获得该通道相对光谱辐照度响应度,最终在实验室条件下获得该通道绝对光谱辐照度响应度,联合大气层外太阳照度谱数据通道内积分得到该通道大气层外响应常数V0值,与NASA的GSFC中心的2009年定标结果差异仅为3.75%,定标不确定度达到2.06%,验证了这一新技术的原理可行性。 相似文献
42.
构建双耦合场作用下的N-型四能级系统,详细讨论系统的探测吸收特性随两个耦合场Rabi频率取不同值时的变化规律,得到EIT、Mollow和Autler-Townes双峰效应及其它们之间的相互转化规律。通过找出N-型四能级系统中的多个跃迁通道,将系统按跃迁通道拆分成多个子系统,不同的拆分方法实现了不同跃迁通道之间的量子干涉,从而使系统呈现出三种产生条件和物理本质不同的非线性效应。 相似文献
43.
提出了一种新型双空气孔多芯-双模-大模场面积光纤结构, 计算了其模场分布、基模有效面积及弯曲损耗特性, 分析了各结构参量对其有效折射率及有效面积的影响. 这种结构在增大有效面积的同时使得二阶模的TE01, TM01模截止, 实现双模传输, 基模有效面积约为1044 μm2.调整其结构参量, 甚至可以达到单模传输.这种结构制作简单、设计灵活, 可用于高速大容量无源光纤及有源器件中.合理设计各结构参量, 可以使有效面积达到3512 μm2甚至更高, 从而满足光通信领域中大容量、高功率传输等实际应用的需求.
关键词:
多芯光纤
双模
大模场面积
弯曲损耗 相似文献
44.
应用双模PFC模型,计算二维PFC相图,模拟二维六角晶格向正方晶格的结构转变过程, 观察新相(二维正方相)的形核、长大特点,以及相结构转变的动力学特征. 结果表明:六角结构相向正方结构相的转变,正方相最易在六角相晶界处, 尤其是在三晶粒的交汇处首先生成正方相的晶核,之后是正方相逐渐通过吞噬六角相的边缘, 向六角相内部推进,并不断长大.对于结构转变生成的正方相晶粒,其晶粒取向几乎是随机的, 与原先六角相晶粒取向角没有明显的关系.正方相转变的面积分数随时间变化的动力学曲线 呈现典型的"S"形.由Avrami曲线可将相变曲线看成由两阶段组成. 计算模拟得到的Avrami曲线的第二阶段直线斜率K的范围在2.0和3.0之间, 与JMAK理论的指数n相符合.
关键词:
结构转变
晶体相场
相图
晶粒取向 相似文献
45.
研究了V型三能级原子BEC与双模压缩光场相互作用系统中,忽略原子间相互作用和考虑原子间相互作用时光场的正交压缩和光子数压缩。结果表明,光场的正交压缩依赖于压缩参数,而光子数压缩与压缩参数、光场信号强度有关,在一定条件下,两种压缩可同时存在。原子间相互作用影响两种压缩的涨落随时间变化的周期,以及正交分量涨落随时间变化的幅度,而对光子数压缩涨落随时间变化的幅度几乎无影响。 相似文献
46.
通过建立具有平面近横向各向异性场的非晶态合金薄带及膜的磁畴结构模型,利用线性化Maxwell方程组及Landau-Lifshitz方程,推出了在高频交变磁场及外加面内轴向直流磁场Hex作用下的铁磁材料的与取向相关的磁导率表达式,得到了对方位角平均的相对磁导率及阻抗的计算式,导出了磁导率与张量磁化率分量间的关系,对材料磁导率的实部及虚部随Hex的变化进行了计算,并给出了对应的磁谱图.建立的磁导率与外磁场的理论关系可将Panina及Kraus给出的理论结果统一起来.
关键词:
非晶态合金薄带及膜
取向相关磁导率
GMI效应理论与计算
近横向各向异性场 相似文献
47.
48.
49.
本文用Schwartz-Christoffel变换法,研究极端为任意角度的磁头场的空间分布,给出一般实数型的理论公式,并进行数值解和讨论。
关键词: 相似文献
50.
光学光刻是目前超大规模集成电路(VLSI)制备中主要的微米和亚微米的图形加工技术,这一技术将继续保持其主导地位成为90年代VLSI发展的关键。本文综述了近年来光学光刻工艺的发展,主要介绍了G线(436nm)、Ⅰ线(365nm)和准分子激光光刻的现状,并对实现高的光学光刻分辨率所必须解决的透镜设计、套准精度和像场面积等问题作了详细描述。最后展望了发展方向、 相似文献