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781.
782.
783.
784.
陈钰芬 《浙江大学学报(理学版)》1998,25(3):12-18
本文在随机左截断情形下, 研究了分布函数的乘积限估计(PL 估计) Fn 的一致强表示式, 对文献[ 4]
给出的强表示式的误差项的阶加以改进, 并用此强表示式研究了核密度估计fn(x)的渐近性质.对于渐
近最优窗宽的选择以及MSE 的阶, 得到与完全样本下相同的结果. 相似文献
785.
加工平行平面锗窗片,采用双面研磨法修改平行度,用吸附方法粘结成盘,固着磨料抛光模粗抛,沥青抛光模精抛,解决了批量生产中等精度(平行度等于1!@)锗窗片的加工工艺。该工艺也适用于其他晶体材料的平面加工。 相似文献
786.
787.
Temperature—Induced Magnetization Reorientation in GdFeCo/TbFeCo Exchange—Coupled Double Layer Films 下载免费PDF全文
GdFeCo/TbFeCo exchange-coupled double-layer (ECDL) films used /or centre aperture type magnetically in-duced super resolution were investigated through experiments and theoretical calculation. The ECDL films were prepared by the magnetron sputtering method. Polar Kerr effect measurements showed that magnetization reorientation occurred in the GdFeCo layer with the temperature rising, which was subsequently analysed by the micromagnetic calculation based on the mean-field theory and a continuum model. Theoretical analysis is in agreement well with the experimental results. 相似文献
788.
We consider three two-level atoms (A, B, and C) initially in the W entanglement state, then one of them, C, is injected into a high-Q cavity to make resonant interaction to entangle with the other two atoms A and 13 that are far away from the cavity. The entanglement swapping or disentanglement can be realized by carrying out measurements on C and selecting appropriate interaction time of C with the coherent field. 相似文献
789.
Insitu Plane—View and Cross—Scctional Transmission Electron Microscopy of Fractal Formation in Au/a—Ge Bilayer Films 下载免费PDF全文
Fractal crystallization in Au/a-Ge bilayer films has been studied by in situ plane-view and cross-sectional transmission electron microscopy.The experimental evidence suggests that the fractal crystallizaqtion is controlled by both diffusion and reaction processes.The growth kinetics analysis indicates that both diffusion-limited aggregation and random successive nucleation mechanisms play an important role in fractal crystallization in Au/a-Ge bilayer films. 相似文献
790.
本文建立了双层有机发光二极管中载流子的注入、输运和复合的理论模型.模型中采用了较合理的无序跳跃模型来处理界面问题.计算和讨论了空穴传输层厚度和内界面处的空穴势垒对器件复合效率和复合区域宽度的影响.结果表明:器件结构的变化导致电场强度在器件中的重新分布,空穴传输层厚度和内界面处空穴势垒的变化对器件的复合效率和复合区域宽度有重要影响. 相似文献