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91.
本文引入了转移下半连续的概念并在转移下半连续的条件下推了KyFan极大极小原理。应用这一结果,证明了截口定理,不动点定理和函数不等式组解的存在性定理。 相似文献
92.
本文讨论的是一般随机变量部分和的处理方法,得到了非独立随机变量部分和的分布的一个不等式并给出了它的应用,证明了非负有界随机变量序列的部分和的收敛与它的相应的条件期望序列的部分和的收敛等价。 相似文献
93.
研制出了用于计算氚投料量在FEB聚变堆各个子系统中的分布及其随时间变化的数值模拟程序包SWITRIM。通过近5年的使用,表明其运行良好、计算结果可靠。用SWITRIM数值模拟研究了聚变堆起动过程中的“氚坑深度和氚坑时间”新现象。简单介绍了SWITRIM程序包的组成和用户使用说明以及最新的运用等。 相似文献
94.
《大学物理》2006,25(9):F0003-F0003
华中师范大学物理科学与技术学院源于华中大学1903年创立的理学院物理系,历经百年,经过几代学人的共同奋斗,已发展成为具有基础理论研究优势、工科应用研究亮点的特色学院。学院拥有教育部批准挂牌的国家理科(物理学)基础科学研究和教学人才培养基地、物理学博士后流动站、物理学一级学科博士学位点(主要在理论物理、粒子物理与原子核物理、凝聚态物理、光学、无线电物理、原子与分子物理、天体粒子物理二级学科招收硕士、博士学位研究生)以及电子科学与技术(工学)一级学科硕士学位点(主要在电路与系统、物理电子学、电磁场与电磁波二级学科招收硕士学位研究生)。拥有物理学科教学论(教育学)、天体物理(天文学)、材料物理与化学(工学)、通信与信息系统(工学)4个二级学科硕士学位点。拥有湖北省重点学科“理论物理”、“粒子物理与原子核物理”,湖北省重点实验室“高能物理实验室”、“湖北省教育信息化研究中心”。挂靠学院的单位有中南地区理论物理学术交流中心。物理科学与技术学院设有物理学系、电子与信息工程系、粒子物理研究所、纳米科技研究院、湖北省教育信息化研究中心和信息资料中心。学院还设有复杂性科学研究中心、数字空间研究所、天体物理研究所、应用物理研究所、物理教育研究所、光电集成技术研究中心、电子与计算机研究所等科研机构。物理科学与技术学院拥有物理学、电子信息科学与技术、通信工程三个本科专业。国家物理学基础科学和教学人才培养基地班(择优保送硕博连读)学生主要从这三个专业中选拔。学院培养的学生综合素质高、科研能力强。1999年,96级基地班受到教育部、团中央联合表彰,被评为“全国先进优秀班集体标兵”。 相似文献
95.
磁控溅射技术制备ZnO透光薄膜 总被引:1,自引:0,他引:1
采用RF磁控溅射方法,在玻璃衬底上制备了择优取向的ZnO薄膜;通过台阶仪、X射线衍射技术、原子力显微镜和分光光度计分别测量了不同溅射功率条件下淀积的ZnO薄膜厚度(淀积速率)、结晶质量、表面形貌与粗糙度、透光光谱,报道了该薄膜结晶质量、薄膜粗糙度与其在可见光区透光率的关系. 相似文献
96.
本文给出了Banach空间广义分解定理的一个初等证明,并利用它来证明两个对称不等式.这是首次在Banach空间获得这样的不等式. 相似文献
97.
98.
第一讲中子散射与散裂中子源 总被引:1,自引:0,他引:1
中子散射是研究物质微观结构和动态的理想工具之一,广泛地应用于凝聚态物质研究和应用的众多学科领域.散裂中子源能是新一代的加速器基脉冲中子源,能为中子散射提供高通量的脉冲中子.文章简明地介绍了中子散射的特点和它作为物质结构和动态探针的优越性,以及散裂中子源的基本原理、发展状况和多学科的应用优势.我国计划建设的散裂中子源CSNS中,靶站将由多片钨靶、铍/铁反射体和铁/重混凝土生物屏蔽体组成.质子束功率100kW下,脉冲中子通量约为2.4×1016n/cm2/s.第一期将设计建造高通量粉末衍射仪、高分辨粉末衍射仪、小角散射仪、多功能反射仪和直接几何非弹性散射仪等五台典型的中子散射谱仪,以覆盖大部分的中子散射研究领域. 相似文献
99.
Hydrogen ions were implanted into separation by implantation of oxygen (SIMOX) silicon-on-insulator (SOI) wafers near the oxygen-implantation-induced damage peak under different conditions of energy and dose. It was found that the implanted hydrogen ions not only accelerate the diffusion of oxygen atoms from the annealing ambience into the wafer but also cause an outward diffusion of oxygen atoms in the buried oxide (BOX) layer. Thus, greatly broadened buried oxygen-rich (BOR) layers were formed in our experiments, which are 18%-79% broader than the BOX layer of standard SIMOX SOI wafers under the same conditions of oxygen implantation. The mechanism was discussed. A potential low cost method to fabricate SIMOX SOI wafers is proposed. 相似文献
100.