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21.
22.
真空中陶瓷绝缘子的耐压能力严重受到其表面性能的制约,在远低于同尺寸的真空间隙的耐压强度和绝缘子体耐压水平的情况下,绝缘子就出现了击穿现象,即沿面闪络击穿。利用真空绝缘实验装置选用95氧化铝陶瓷和掺锰铬氧化铝陶瓷样品进行表面耐压试验,对不同组分的陶瓷样品的耐压性能比较,并探讨表面处理及测试法对绝缘子表面绝缘性能的影响。 相似文献
23.
The authors consider the exact controllability of the vibrations of a thin shallow shell, of thickness 2εwith controls imposed on the lateral surface and at the top and bottom of the shell. Apart from proving the existence of exact controls, it is shown that the solutions of the three dimensional exact controllability problems converge, as the thickness of the shell goes to zero, to the solution of an exact controllability problem in two dimensions. 相似文献
24.
25.
26.
氟氧化物陶瓷的多谱线上转换发光 总被引:1,自引:0,他引:1
以氧化硅、氟化铅为基质制备了Er3 :Yb3 共掺杂氟氧化物陶瓷 ,X 射线分析表明陶瓷中存在着 β PbF2 晶相 ,沉积在其中的稀土离子由于具有很低的无辐射跃迁几率而显示出良好的上转换性能。Er3 ,Yb3 离子之间存在的多种能量传递通道 ,导致稀土离子十分丰富的上转换谱线的出现。 相似文献
27.
Solutions for a Mode Ⅲ Growing Crack in a Piezoelectric Plane Under Two Kinds of Electric Boundary Conditions * 下载免费PDF全文
The solutions for a mode Ⅲ crack growing along an arbitrary propagation path in a piezoelectric plane are studied under the impermeable surface condition and the electrical contact surface condition respectively. According to the two kinds of electric boundary conditions, the Hilbert and Riemann boundary value problems in a half-plane including opening smooth arc are obtained from the theoretical analysis. Moreover, the equipollence of the solution formed under these two electric boundaries is proved, and unified solutions for the stress and electric displacement distribution in the crack-tipfield of the piezoelectric plane are achieved. 相似文献
28.
在镀银石英晶片上用压电免疫方法测定了0.5~50mg/L范围内的牛血清白蛋白的浓度,得到线性响应;并较全面地研究了压电晶片的回复性使用问题,以0.2mol/L甘氨酸-盐酸(pH=2.0)溶液洗脱时效果较好 相似文献
29.
建立了一种α-蒎烯/苯乙烯共用产物分离分析微臭氧化-薄层层析法.通过标准样品的分离和IR、NMR表征以及共聚体组分的测定,表明这种方法对α-蒎烯/苯乙烯均聚体混合物和共聚产物中均、共聚体的分离完全,样品回收率很高,解决了α-蒎烯/苯乙烯均、共聚体无法分离分析的难题. 相似文献
30.
Nd扩渗BaTiO3陶瓷的电性能与XPS研究 总被引:4,自引:1,他引:4
采用气相法对钛酸钡陶瓷扩渗Nd元素,
经Nd扩渗BaTiO3陶瓷的电性能发生了十分显著的变化. 通过正交实验,
确定了最佳扩渗条件, 当Nd的浓度为2%, 扩渗时间为4 h, 扩渗温度为860
℃时, BaTiO3陶瓷的导电性最好,其室温电阻率从4.3×109 Ω*m下降为37.45 Ω*m,
而且随着温度升高, 交流电导逐渐增大, 导电性更强. Nd扩渗使BaTiO3陶瓷的介电常数增加,
而介电损耗降低, BaTiO3陶瓷的介电性能得到了显著改善. 经Nd扩渗BaTiO3陶瓷的介电常数随着温度的变化呈明显的PTC效应,
其居里温度降低为118.1 ℃. 经XPS测试分析, 给出了Nd扩渗BaTiO3陶瓷体系中各元素结合能位置的峰值,
并表明 Nd扩渗BaTiO3陶瓷中Nd, Ba, Ti都存在变价, 因而导致了BaTiO3陶瓷导电性的增强. 相似文献