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51.
利用X射线衍射研究了CoNiZ(Z=Si,Sb,Sn,Ga等)合金在不同热处理条件下的相组成.当Z元素为Sn,Sb时,材料是完全的B2结构;但Z为Si时,材料变成面心立方的γ相.形成B2还是γ相由电子浓度和原子尺寸效应两种因素共同决定.而CoNiGa的研究结果表明,在合金中除了形成B2结构的同时还容易形成γ相,常表现出两相共存的特性.对材料进行不同方式的热处理可以使合金中两相的含量有所消长,γ相含量的多少对CoNiGa合金的马氏体相变有很大的影响.分析指出,两相共存及其所带来的物性变化是CoNiGa铁磁性形状记忆合金非常有利用价值的物理性质. 相似文献
52.
研究了结晶度对Ag11In12Te26Sb51相变薄膜光学常数的影响。用初始化仪使相变薄膜晶化,改变晶化参量得到不同的结晶度,当转速固定时,随激光功率的增加,折射率基本随之减小,消光系数先是增大,而后减小;当激光功率固定时,随转速的增大,折射率也随之增大,消光系数也是先增大后减小。非晶态与晶态间的变换、薄膜微结构的变化(包括晶型的转变和原子间键合状态的变化)以及薄膜内残余应力的影响Ag11In12Te26Sb51相变薄膜复数折射率的主要原因。测量了单层膜的透过率和CD-RW相变光盘中Ag11In12Te26Sb51薄膜非晶态和晶态的反射率。 相似文献
53.
利用变温X射线衍射技术,在预烧过程中分析了Nd掺杂Bi4Ti3O12后生成Bi3.15Nd0.85Ti3O12(BNT)相的形成过程以及微结构的变化.实验观察到以30℃/min的升温速率,BNT相在700℃时开始形成,其衍射峰强度随温度的继续升高而增强,衍射峰半高宽随烧结时间延长而减小.X射线衍射分析结果表明,在900℃恒温条件下,烧结约2h,可形成单一的BNT相. 相似文献
54.
利用GaAs量子阱中г谷束缚态与AlAs层中X谷束缚态在异质结界面处的共振г-X混合,使得光生电子不仅在实空间而且在K窨 与光生空穴分离开来,从而在结构中形成了持久的电荷极化。这一效应已被C-V特性上所观察到的电容阶跃和正反扫描时所出现的双稳滞迟现象所证实。如果将我们的器件用作光存储单元,预期可以获得很长的存储时间Ts。同时,由于г-X混合隧穿速率很快,光子“读出”仍可以保持很快。 相似文献
55.
56.
A review of the advance in the theory of wavelet analysis in recent years is given. 相似文献
57.
葡辛胺的催化加氢合成工艺的研究 总被引:3,自引:0,他引:3
系统地研究了以Raney镍为催化剂同呼正辛胺形成Schiff碱后催化加氢合成葡辛胺的反应,通过对反应条件的优化,特别是通过向反应体系中加入催化剂量的三乙胺,改善了催化剂的性能,降低了催化剂的用量,有效地抑制了副反应的发生,缩短了反应时间,反应产率达到70%以上,并对失活的Raney镍催化剂的再生进行了初步试探。 相似文献
58.
59.
60.
乙内酰脲法合成外消旋萘普生 总被引:1,自引:0,他引:1
研究了以2-甲氧基萘为原料,经乙酰基化、Bucherer-Berg's反应、N-甲基化和催化氢解等反应制得外消旋体萘普生1。通过^1H NMR、^13C NMR、IR和元素分析确证了中间体和产物的结构。 相似文献