ZnSe—ZnTe应变层超晶格的光吸收研究

在室温下测量了Znse-ZnTe应变层超晶格的光吸收谱,观测到对应于第一轻重空穴跃迁的吸收台阶.根据测量所得的超晶格带隙确定了ZnSe-ZnTe的价带不连续为1.10eV.     

偏斜应变能J*积分及应用

引进偏斜应变能的概念，对平面裂纹起裂扩展问题进行了讨论，给出了一个与路径无关的J^*积分，同时对其守恒性给予了严格的证明，通过Ⅰ型裂纹的应用，其结果与现行公开发表的献或手册结果一致。     

40Cr钢低周冲击疲劳裂纹扩展行为

在自行设计的拉一压Hopkinson杆式冲击疲劳试验机上进行了40Cr钢正火态和两种温度回火态的低周冲击疲劳试验，以研究疲劳裂纹扩展行为，得到以下主要结果。40Cr钢疲劳裂纹扩展速率da/dN在缺口塑性区内外有明显的“落升”现象，在体弹性区内，冲击疲劳的da/dN亦可用Paris关系描述，da/dN有明显的应变速率效应，与常规疲劳相比冲击疲劳裂纹以更大速度扩展，da/dN随着材料强度的提高而减小。     

GexSi1—x／Si应变超晶格雪崩光电探测器的分析与优化设计

对ＧｅｘＳｉ１－ｘ／Ｓｉ应变超晶格雪崩光电探测器进行了分析与优化设计，优化结构为：ｉ－Ｓｉ雪崩区厚是１．８～２μｍ；ｐ－Ｓｉ区的掺杂浓度是１０＾１８ｃｍ＾－３厚为１７ｎｍ超晶格总厚为３４０ｎｍ，它可探测１．３～１．６μｍ的红外光。     

埋入式光纤法布里—珀罗温度和应变传感器模型研究

研究了埋入式内置和外置型法布里－珀罗光纤传感器模型，这一框蒋 传感器中应变和温度的变化同反射光强联系起来，其中；子模型Ⅰ建立了传感器内的温度与应变同传感器长度变化及传感器光学性质变化的函数关系；子模型Ⅱ建立了传感器长度和光学性质的变化同反射光强变化的函数关系。     

非寻常光的折射规律

在单轴晶体的光轴与入射面平行的情形下用费马原理计算非寻常光光线的折射角，然后就怎样定义非寻常光作些讨论，最后在单轴晶体的光轴任意取向的普遍情形下给出计算非寻常光光线折射方向的公式。     

MOCVD的InGaAs/GaAs应变层量子阱的低温光致发光研究

本文中利用MOCVD方法得到了高质量的InGaAs/GaAs应变层量子阱材料,4.3nm量子阱10KPLFWHM仅为3.49meV.通过对样品荧光谱在变激发强度,变温时的峰位、峰形研究,我们发现,合金组分起伏散射是样品低温荧光谱展宽的主要原因,因而是MOCVD生长中应该首先解决的问题,实验结果还表明,在讨论低温PL谱形时,必需考虑光生载流子由随机起伏势中高能位置向低能位置的迁移过程。     

纯弯曲矩形截面梁Ⅰ型单边裂纹端部的应力应变场及裂纹失稳扩展临界应力

本应用［１］的分析方法，研究了纯弯曲矩形截面梁Ⅰ型单边裂纹端部的应力应变场，给出了裂纹尖端的应力应变分量和计算裂纹端部弹性变形区和变形强化区宽度的公式以及计算裂纹失稳扩展临界应力的方程组。最用计算实例对裂纹失稳扩展临界应力方程组进行了验证，最大误差不超过０．１８％。     

二维高双折射光纤圈应变传感器

本文提出一种高双折射光纤圈应变传感器,可用来检测该困面内二维任意方向的应变,其灵敏度通过增减由数可方便加以调整.检测结果表明,观测到的相位变化与用应力阻抗议测得的应变之间有极好的线性.     

BaTiO3和Ce:BaTiO3晶体极性声子和电磁激元的喇曼散射研究

从声子-电磁激元频率色散关系的普遍公式出发,推导出了单轴晶体的Merten方程和电磁激元的频率色散关系。测量了BaTiO₃和Ce:BaTiO₃晶体的简正模和斜声子的喇曼散射谱,并根据Merten方程,拟合出了斜声子的方向色散曲线;记录了A₁类电磁激元在不同波矢值下的喇曼谱,观察到其频率色散现象.根据以上结果,对A₁(TO)模喇曼谱中两个宽的非对称峰的归属和BaTiO₃晶体的结构相变机制进行了讨论;计算出了这两种晶体的受夹介电常数;分析了掺Ce对BaTiO₃晶体结构的影响。 关键词：