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基于k·p微扰法计算了单轴〈111〉应力作用下硅的价带结构, 并与未受应力时体硅的价带结构进行了比较. 给出了单轴〈111〉应力作用下硅价带顶处能级的移动、分裂以及空穴有效质量的变化情况. 计算所得未受应力作用时硅价带顶处重空穴带、轻空穴带有效质量与相关文献报道体硅有效质量结果一致. 拓展了单轴应力硅器件导电沟道应力与晶向的选择范围,给出的硅价带顶处重空穴带、轻空穴带能级间的分裂值和有效质量随应力的变化关系可为单轴〈111〉应力硅其他物理参数的计算提供参考.
关键词:
单轴应力硅
k·p法')" href="#">k·p法
价带结构 相似文献
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1.引 言由多孔介质的渗流理论,二维稳态各向异性介质的渗流问题满足下列偏微分方程 -div(u(x,y)(?)u(x,y))=f(x,y),(x,y)∈Ω(?)R2, (1.1) 相似文献
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各向异性内包层对双包层光纤特性影响的分析 总被引:2,自引:2,他引:0
提出了单轴各向异性材料为内包层,且其主轴沿光纤轴线(z轴)方向的双包层光纤模型,推出了矢量模特征方程,重点研究了主轴折射率比kcl对波导色散的影响,针对从矢量模特征方程求解波导色散因表达式极为复杂而无法直接求解的困难,提出了一种求解波导色散的有效方法,研究结果发现可以在不改变光波导结构参量的条件下,通过改变kcl可有效地改变光纤的波导色散,也分析了kcl、几何参量S、光学参量R对低次模的传输和截止特性的影响。研究结果为获得更为理想的色散补偿、色散平坦光纤及设计新型无源光器件提供了重要的依据。 相似文献