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81.
采用传输矩阵法研究了电磁波在由单负特异材料组成的一维无序扰动周期结构中的Anderson局域(Anderson Localization)行为,分别讨论了色散和非色散两种模型.结果发现,在对应周期结构的通带位置,无序的引入对局域长度的影响较大,而在带隙位置,影响较小,几乎可以忽略.该性质与我们曾讨论的随机结构有较明显不同.导致这种局域性质的主要原因应为,光在单负材料组成的系统中的传输主要依赖于两种单负材料间的界面.在无序扰动结构中,该界面数相对于周期结构并没有减少,因此对光的传输性质影响较小,而随机结构中 相似文献
82.
根据强扰动理论,在长波长近似条件下推导出蜂窝结构吸波材料等效介电常数和等效磁导率的计算公式.电磁参数计算结果表明,蜂窝结构吸波材料等效介电常数和等效磁导率均小于吸收层的介电常数和磁导率,但等效介电常数的降幅更大,从而使等效介电常数更接近于等效磁导率,这正是吸波材料波阻抗匹配设计所需要的.反射率计算结果表明,不同的蜂窝高度,吸收层对应一最优厚度,使蜂窝结构吸波材料的反射率最低.这些结果对于蜂窝结构吸波材料设计具有一定的意义.
关键词:
蜂窝结构吸波材料
等效介电常数
等效磁导率
反射率 相似文献
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84.
85.
高聚物固体电解质聚氧化乙烯-溴化铜复阻抗谱及介电常数的静水压效应 总被引:1,自引:0,他引:1
采用分子量500万的聚氧化乙烯和无水溴化铜,通过混溶蒸发法制备成高聚物固体电解质P(EO)n-CuBr2薄膜,并在0.1~300MPa范围不同的流体静水压下详细测量其复平面阻抗谱,分别得到在不同压力下离子电导率和介电常数与测量频率的关系.进一步解谱准确地求出P(EO)n-CuBr2(n=12、16)薄膜离子电导率和介电常数的静水压效应,并结合X-光物相分析,根据离子迁移通道的物理图象和高聚物的极化机构进行了初步的讨论.添加20%的增塑剂碳酸丙烯酯,较大改进了压力下的导电性.120~300MPa的离子电导率提高一个数量级 相似文献
86.
用密度泛函方法研究了ZrO2在羟基预处理的Si(100)-2×1表面原子层淀积(ALD)初始反应过程的反应机理, ZrO2的ALD过程包括两个前体反应物ZrCl4和H2O交替的半反应. 两个半反应都经历一个相似的吸附中间体反应路径. 比较单羟基Si表面反应的反应焓变, 可以发现双羟基Si表面反应, 由于相邻羟基的存在, 对ZrCl4的半反应影响较大, 尤其是化学吸附能增加明显. 而对于H2O的半反应, 单、双羟基Si表面反应的能量变化不是很明显. 使用内禀反应坐标(IRC)方法, 验证了两个半反应存在相似的过渡态结构和反应机理. 另外, 发现随着温度的升高, 吸附络合物的稳定性降低, 其向反应物方向的解吸附变得容易, 而向产物方向的解离难度增加. 相似文献
87.
用固相法制备了La2O3掺杂的CaO—MgO—Nb2O5-TiO2系微波介质陶瓷,通过改变La^3 离子的含量以调整改变CaO—MgO—Nb2O5-TiO2-La2O3系陶瓷的微观结构与微波介电性能。研究结果表明:通过A位La^3 离子取代Ca^2 离子可以提高该体系的品质因素Qf值、改善频率温度系数,同时降低了该体系的介电常数。随着La^3 离子取代量的提高,该体系的介电常数从57降低至35,Qf值从33400GHz上升至35000GHz(7.6GHz),同时该体系的频率温度系数得到了改善。微波介电性能的变化与其微观结构变化密切相关,主要原因是在于A位空位缺陷引起氧八面体的畸变。 相似文献
88.
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90.