上海光源150MeV电子直线加速器的设计与调试

上海光源150MeV直线加速器由热阴极电子枪,次谐波聚束器和聚束器,四根S波段等梯度行波加速管及必要的磁铁等组成.外围还有由从微波到直流的电源和功率源,性能监测和联锁控制的硬件和软件等.概述了150MeV直线加速器的设计,安装,调试和达到的结果.     

Continuous-wave and Q-switched performance of an Yb:YAG/YAG composite thin disk ceramic laser pumped with 970-nm laser diode

Using front face-pumped compact active mirror laser （CAMIL） structure, we have demonstrated an Yb：YAG/YAG composite ceramic disk laser with pumping wavelength at 970 nm. The laser has been operated in both continuous-wave （CW） and Q-switching modes. Under CW operation, laser output power of 1.05 W with 2% transmission output coupler was achieved at the wavelength of 1031 nm. Q- switched laser output was gotten by using an acousto-optic Q-switch. The repetition rate ranged from 1 to 30 kHz and the pulse width varied from 166 to 700 ns.     

解二阶椭圆本征值问题的有限元插值校正方法

§1.引言 本文介绍解二阶椭圆本征值问题的有限元插值校正方法.理论分析和数值实验都表明,此方法具有低代价和高精度的特点.这个方法是超收敛和迭代伽略金法的思想相结合的产物。 考虑二阶椭圆本征值问题:     

高分辨质谱用于分析和检测α-硫羰基硫代甲酰胺类化合物

苯乙酮及其衍生物与氯化亚砜反应所得中间产物再与仲胺反应得α－羰基硫代甲酰胺（1a-1f),经硫代得目标物α－硫羰基硫代甲酰胺（2a-2f)。化合物2a-2f含有二个硫羰基,为深红或深绿色晶体,可用作远红外吸收染料、激光Q开关及有机导体等。本文利用英国Micromass公司的OA－TOF高分辨质谱仪对α－硫羰基硫代甲酰胺类化合物的裂解行为进行了详细的研究。结果表明该类化合物容易失去S2分子形成特征的碎片离子M－S2（基峰）,为分析和检测这类化合物提供了一种有效的分析方法。OA－TOF高分辨质谱仪体积小、操作简单、快速,适合于分析纯的α－硫羰基硫代甲酰胺类化合物、检测混合物中及作为反应中间体的这类化合物。     

电子在蛋白质分子中的迁移机理及其特性

ATP水解作用所释放的能量能引起蛋白质分子中额外电子的激发,其激发与氨基酸残基晶格畸变相互作用,使额外电子自陷成孤子,这孤子在附着有供体(D)和受体(A)的蛋白质分子中运动时,由于孤子与供体电子的相互作用而"自局域"在孤子上进行迁移,从而可把电子供给受体.使用作者提出的孤子理论研究了这种迁移的特征,计算了在这种非平衡态过程中由孤子迁移电子的速率和动能系数,得到了一些有趣的结果,揭示了这种迁移的本质,求得了迁移的大小.     

增量式轴角编码器的电子细分及零位处理

使用单片机对增量式光电轴角编码器产生的叠栅条纹信号进行计数和电子细分,便可将轴的机械转动模拟量转换成数字量;加上固定参考零位后,可使编码器具有"记忆"功能,因此对如何解决零位技术问题做了详细分析说明,并给出了实际解决方案.     

Characteristics of Sn-Doped Ge2Sb2Te5 Films Used for Phase-Change Memory

Sn-doped Ge2Sb2Te5 thin films deposited on Si（100）/SiO2 substrates by rf magnetron sputtering are investigated by a differential scanning calorimeter, x-ray diffraction and sheet resistance measurement. The crystallization temperatures of the 3.58 at.%, 6.92 at.% and 10.04 at.% Sn-doped Ge2Sb2Te5 thin films have decreases of 5.3, 6.1 and 0.9℃, respectively, which is beneficial to reduce the switching current for the amorphous-to-crystalline phase transition. Due to Sn-doping, the sheet resistance of crystalline Ge2Sb2Te5 thin films increases about 2-10 times, which may be useful to reduce the switching current for the amorphous-to-crystalline phase change. In addition, an obvious decreasing dispersibility for the sheet resistance of Sn-doped Ge2Sb2Te5 thin films in the crystalline state has been observed, which can play an important role in minimizing resistance difference for the phase-change memory cell element arrays.     

Dielectric Properties of Multilayered Ba0.5Sr0.5TiO3 Thin Films Deposited on ITO-Coated Corning 1737 Glass by rf Magnetron Sputtering

A new stacking method via variation ofsubstrate temperature in rfmagnetron sputter is used to fabricate polycrystalline/polycrystalline Ba0.5Sr0.5TiO3 thin films with higher dielectric constant, higher breakdown strength and lower leakage current densities than those prepared by a conventionM deposition method. The improved figure of merit G （ε0εrEb） of the Ba0.5Sr0.5TiO3 thin films implies that they are a feasible insulation layer for thin film electroluminescent devices.     

高电荷态氪离子双电子复合过程的理论研究

本文采用相对论的Flexible Atomic Code (FAC) 程序计算类氦Kr34+离子双电子复合的截面及速率系数,其中用n-3标度律对速率系数作了外推.文中我们还讨论了辐射分支比随不同共振峰的变化以及级联辐射的影响.     

微波等离子体离子束刻蚀技术

自行设计研制了一台微波电子回旋共振等离子体刻蚀系统。该系统采用微波直接通过石英窗口产生右旋圆极化波，由Nd—Fe—B永磁磁钢形成高强磁场，通过共振磁场区域内的电子回旋共振效应产生均匀的高密度等离子体。利用该系统，结合光刻技术和反应离子束刻蚀技术，在以碳氢（CH）等元素为主要组成的有机聚合物（PMMA）表面制备出线宽3-4μm的光栅形图形。原子力显微镜（AFM）测试结果表明，所得图形线条清晰，侧边比较陡直。