首次测定短寿命缺中子同位素153Er和157Yb的EC/β+衰变纲图

利用¹⁶O重离子束轰击¹⁴²Nd和¹⁴⁷Sm同位素靶分别生成¹⁵³Er和¹⁵⁷Yb.借助氦喷嘴带传输系统和X-γ、γ-γ符合测量方法分离鉴别核素并测量其衰变性质.首次建立了¹⁵³Er和¹⁵⁷Yb的EC/β⁺衰变纲图.从中指认出¹⁵³Ho的一个新三(准)粒子态和两个新单粒子态,指认出¹⁵⁷Tm的一个新的同质异能态和一条新转动带.低位能级系统分析表明:在Ho和Tm这两条奇A核的同位素链中基态形状的转变区都在中子数86和88之间.     

200AGeVpp、pS和SS碰撞中单奇异粒子产生数据的分析

用相对论性核-核碰撞的蒙特卡罗事件产生器──LUCIAE,分析了200AGeVpp､pS和SS碰撞中单奇异粒子产生的实验数据.结果表明:SS中心碰撞相对于pp或pS最小偏畸事件,似乎有更强的末态相互作用,更短的奇异粒子产生时间,和更大的奇异粒子对压低因子. 从pp到pS再到SS奇异增强的实验事实,似乎不必引入夸克-胶子等离子体就能得到解释.     

高功率振荡器锁相的粒子模拟

用粒子(PIC,Particle-in-Cell)模拟方法研究了当前颇感兴趣的高功率振荡器的锁相问题。给出了模拟计算结果。讨论了锁相(Phase Locking)、Priming和InjectionSeeding等概念的区别。     

关于ηc粒子及其电磁衰变

本文在势模型的框架内估算了ηc粒子的质量、宽度及几种主要电磁衰变道的分支比.指出禁戒型磁跃迁ηc→J/ψγ的相对论修正结果比简单的非相对论估算有可能大一个量级.讨论了北京正负电子对撞机(BEPC)对级联电磁辐射过程ψ′(3686)→γηc→γγ¹P₁,γγJ/ψ,3γ进行测量的可能性.     

一维介观结链中电荷孤子的控制

研究了一维介观结链中的电势分布随各岛上门电压和电子数分布的变化关系,并发现在一个岛上加一个门电压会产生一个静电势孤子.通过调节门电压可以较好地控制静电势孤子的形状及其位置,从而达到对电荷孤子的有效控制. 关键词： 电荷孤子 介观结 单电荷隧穿     

Experimental Evidence of the Rapidly Increasing Neutron Yields in Proton—Induced Reaction on Heavy Target Across 0.6—1 GeV

The independent yield distribution of the Hg isotopes,measured for the reaction of 600MeV ^18O projectile with a ^nat.Pb target,is converted to 18O 208Phb system and is compared with an Hg-isotope distribution from the spallation reaction of 1A GeV^208Pb on proton.The comparison shows the differences between the two distributions on the production cross sections,isotope-distribution widths as well as their shapes.A great increase of the neutron-deficient Hg isotope yield with increase of bombarding energies of protons from 600MeV to 1GeV is derived.This fact results in an experimental evidence for rapid increasing neutron yields with rising proton bombarding energy from 0.6GeV to 1 GeV.     

长柱形CsI(Tl)闪烁晶体探测器的能量重建

提出了用于TEXONO实验中双端读出的长柱形CsI(Tl)闪烁晶体探测器的两种粒子能量重建方法———“算术平均值能量重建法”和“几何平均值能量重建法”,讨论了两种算法的理论依据和计算方法,并对两种算法进行了比较     

极性晶体外表面电子的量子像势及其极化子的基态能量

本从与真空接触的存在二支声子的半无限极性晶体表面附近极化子的哈密顿算符入手，应用二支模型理论，分别对GaAs和ZnO两种材料计算了外表面电子的量子像势及其极化子的基态能量，计算结果表明，利用二支模型理论求出的外表面极化子的基态能量与利用一支模型理论求出的外表在面极化子的基态能量相差较大，对GaAs，误差约为31.1%, 对ZnO，误差约为14.8%。