脉冲高功率离子二极管的动力学模拟

基于等离子体的爆炸发射模型,利用自洽的2.5维的胞中粒子（PIC）模拟程序MAGIC模拟了平板型磁绝缘离子二极管中电子和质子的动力学特性。给出了电压为300kV,外加磁场为2倍临界磁场情况下的二极管特性,阴阳极间隙中带电粒子的空间和相空间分布,以及净电荷密度分布和电场分布,结果表明,引出束流密度比单离子Child-Langmuir公式计算的结果大5倍;外加磁场导致在阴极附近形成虚阴极。空间电荷使得阴阳极间隙中电场扰动和增强。     

单层2H-MoTe2光电效应的理论研究

材料的禁带宽度是影响光电探测器探测范围的重要因素.单层2H-MoTe2因具有合适的禁带宽度引起了科研人员广泛的研究兴趣.本文基于非平衡态格林函数-密度泛函理论,采用第一性原理方法,研究了单层2H-MoTe2的光电效应.结果表明:在线性偏振光照射下,MoTe2产生的光电流函数与唯象理论相吻合;在光子能量范围1.6～1.8...     

宏观放电参数对快原子态氮(N+,Nf)的影响

采用氮直流辉光放电等离子体中快电子和重粒子(N₂⁺,N⁺,N_f)混合的蒙特卡罗方法,模拟研究了快原子态粒子(N⁺,N_f)的产生率及轰击阴极的能量分布随宏观放电参数(P,V)的变化规律.结果表明,存在一最佳放电条件,使阴极壁处粒子(N⁺,N_f)的粒子数密度大且能量高;当电压大于800V时,轰击阴极的活性粒子(N⁺,N_f),主要由N₂⁺-N₂离解过程产生,电压小于300V时,主要由e^--N₂离解过程产生,模拟结果与实验结果相符合.     

高电荷态离子40Arq+与Si表面作用中的电子发射产额

报道了在兰州重离子加速器国家实验室电子回旋共振离子源原子物理实验平台上，用高电荷态⁴⁰Ar^q+(1≤q≤12)离子作用于半导体Si固体表面时的电子发射产额实验测量.实验中，通过改变炮弹离子的电荷态和引出电压选取其不同的势能和动能，系统地研究了入射离子势能沉积和与其在固体中的电子能损对表面电子发射产额的贡献.结果表明，作为引起表面电子发射的两个主要因素，单离子的电子发射产额与炮弹离子在固体表面的势能沉积和电子能损都有近似的正比关系.     

sine-Gordon模型与高斯波泛函方法

应用高斯波泛函方法,研究了sine-Gordon模型的基态、单粒子态和两粒子态。在Cole-man临界点附近,sine-Gordon系统趋于零质量玻色子系统,从而具有共形对称性。本文同时证明,当重整化质量有限时,在两粒子态中存在束缚态。 关键词：     

无限深球方势阱中粒子能级的一个简单近似解析式

本由ＷＫＢ方法和玻尔－索末菲量子化规则，求出了无限深球方势阱中粒子能级近似满足的超越方程；然后通过进一步近似，找到了粒子能级近似满足的解析式并对所得结果的精度进行了计算机分析。     

Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体超微粒子光谱性质的研究:Ⅰ硫化物

本文报道了锌、镉、汞、铅硫化物半导体极超微粒子的制备以及它们的光谱性质,比较了它们的粗、细粒子的吸收光谱和荧光光谱的差异,用量子化粒径效应解释了当超微粒子的粒径减小时出现的能级分裂.同时讨论了上述物质的极超微粒子在老化过程中的行为及其原因.     

基于经典控制理论的控制系统计算机辅助设计软件

频率法和根轨迹法是经典控制理论的两个基本的控制系统设计与分析方法。本文主要介绍的两个计算机辅助设计（ＣＡＤ）软件，分别建立在频率法和根轨迹法的基础上。通过这两个ＣＡＮ软件，可以根据给定的单输入单输出（ＳＩＳＯ）控制系统数学模型，进行各种计算，从而得到我们所需要的结果．