Study on the Baryon State X Produced in the Process J／ψ→p＋X,X→p＋P

The decay process J/ψ→p X X→p P，where p,p and P are the proton,antiproton and pseudoscalar states,respectively,has been studied in terms of the angular distribution and the generalized moment analysis methods.The result shows that we can identify the spin,but cannot determine the parity of the baryon resonance state X produced in the process J/ψ→p X X→p P.     

X分形晶格上Gauss模型的临界性质

采用实空间重整化群变换的方法,研究了2维和d(d>2)维X分形晶格上Gauss模型的临界性质.结果表明:这种晶格与其他分形晶格一样,在临界点处,其最近邻相互作用参量也可以表示为K=bqiqi(qi是格点i的配位数,bqi是格点i上自旋取值的Gauss分布常数)的形式;其关联长度临界指数v与空间维数d(或分形维数df)有关.这与Ising模型的结果存在很大的差异. 关键词： X分形晶格 重整化群 Gauss模型 临界性质     

Analysis of X（1576） as a Tetraquark State with the QCD Sum Rules

We take the viewpoint that X（1576） is the tetraquark state which consists of a scalar diquark and an antiscalar-diquark in relative P-wave, and calculate its mass in the framework of the QCD sum rule approach. The numerical value of the mass mx= （1.66 =k 0.14） GeV is consistent with the experimental data. There might be some tetraquark components in the vector meson X（1576）.     

荧光X射线分析装置

本发明的课题在于提供一种进行氮置换的荧光X射线分析装置，容易更换试样室和照射室之间的隔壁膜，在分析时，试样室的空气不流入照射室。第1支架（21）按照其窗（21a）与试样室（3）和照射室（8）之间的壁部（4）的窗（如）重合的方式气密地安装于壁部（4）上，按照覆盖第1支架的窗（21a）的方式设置隔壁膜（9）。第2支架（23）按照其窗（23a）夹持隔壁膜（9），与第1支架的窗（21a）重合的方式设置。     

带有单模糊映射的一般变分不等式解的存在性

众所周知，在各种变分不等式问题中，解的存在性是最基础也是最重要的问题之一．本文的目的是在Hilbert空间中研究带有单模糊映射的一般变分不等式解的存在性．此外，还讨论了几种特殊情况．     

热处理条件对双粉工艺中Bi—2212粉末的相组成影响

实验研究了Bi-2212粉末在空气，8％O2和纯O2种处理的相组成特征，指出通过改变热处理温度和气氛可控制前驱粉中对2223成相影响较大的(Bi，Pb)-2212相，Ca2PbO4相，2201相和14：24AEC等相。     

Multiple—Scattering of Near—Edge x—ray Absorption Fine Structure of Sulphur—Passivated InP（100） Surface

We use the multiple-scattering cluster method to calculated the sulphur 1s near-edge x-ray absorption fine structure (NEXAFS) of S-passivated InP(100) surface.The physical origins of the resonances in the NEXAFS have been unveiled.It is shown that the most important resonance is attributed to the photoelectron scattering between the central sulphur and the nearest indium atoms.The studies show that two S-S dimers with the bond lengths of 2.05A and 3.05A coexist in the surface,meanwhile the bridge and antibridge site adsorption of single S could not be ruled out.We support the scanning tunnelling microscopy result that the S-passivated InP(100) surface exhibits significant discorder.     

走近电离辐射

 提起辐射,人们很自然地联想到手机、电脑的电磁辐射,对电离辐射则比较陌生。其实,这种电磁辐射就是电离辐射的一种。电离辐射还包括电子、质子、中子及较重粒子的粒子源,微波辐射,光辐射,同步辐射等。我们的生活环境中存在着天然电离辐射和人工电离辐射,可以说,电离辐射就在我们身边。电离辐射可以造福于人类,它在工业、医学、农业上有着广泛的应用;电离辐射也可以给人类带来巨大的灾难,特别是核武器和辐射事故的发生。因此,我们对待电离辐射这把双刃剑时,既要充分利用它来造福人类,又要严防它的危害。