室温下压致铁钴镍合金的bcc→hcp相变

 本文采用高压X光衍射方法在金刚石对顶压砧中在位地（in situ）研究了Fe₆₈Co₂₄Ni₈（wt%）合金在室温下的压致bcc→hcp结构相变和直到40.5 GPa的等温压缩行为。实验结果表明该合金在常压下为bcc结构，晶格常数a₀=(0.287 0±0.000 1) nm，体积V₀=(7.119±0.007) cm³/mol，密度ρ₀=(7.981±0.008) g/cm³；在20.9 GPa附近出现bcc→hcp结构相变，两相共存压力区约10 GPa，在此区域内有晶面间距d(002)_hcp=d(110)_bcc，且原子平面(002)_hcp//(110)_bcc，hcp相比bcc相体积减小(0.33±0.02) cm³/mol；高压相hcp结构的晶格参数比值c/a=1.608±0.004；相变后原子配位数的增加使得hcp相(002)平面内及(002)平面间的最近邻原子间距比bcc相最近邻原子间距分别增大约1.6%和0.5%；用Murnaghan状态方程对实验数据进行最小二乘法拟合，得到bcc相B₀=(130±13) GPa，B₀'=12.6±0.5；hcp相V₀=(6.62±0.04) cm³/mol，B₀=(243±21) GPa，B₀'=6.8±0.3；对于该合金的bcc→fcp相变时的结构转变机制做了详细的讨论。     

Xe原子离子4d→f跃迁光电离截面延迟峰的研究

根据独立电子近似,本文研究了Xe原子离子4d→f跃迁光电离截面延迟峰。阐明了光电离截面延迟峰与对应末态光电子与原子离子实散射增强的关系,以及第二延迟峰与初、末通道量子数亏损差的关系。结果表明:(1)随着电离度的增加,光电离截面延迟峰向低能方向移动,最终消失而呈类氢结构;(2)对Xe离子,初、末通道量子数亏损差的绝对值越小,Cooper极小点的能量越低。 关键词：     

以密勒指数（hkl）标志的晶面族面间距公式

本文对于结晶学单胞与固体物理学原胞不一致的布拉菲格子，给出了以密勒指数（ｈｋｌ）标志的晶面族面间距公式．     

氢同位素球形靶丸在其相应高能离子轰击下的消融

本文采用跨音速中性气体屏蔽模型,得到了氢同位素球形靶丸在其相应高能离子轰击下的消融率G_(is)及其定标律,s可为氢或氘。计算表明,当离子与电子的未扰态能量E_(0s)/E_(0e)~2≥1.5时,G_(is)/G_(es)≥20％,G_(es)为靶丸在等离子体电子轰击下的消融率。因此,当聚变实验有中性粒子束注入加热时,需考虑高能离子轰击对靶丸消融的影响。这也为此情况下靶丸消融强化提供了一种解释。     

快离子辐照损伤能深度分布理论计算

本文描述了一个用于计算快离子在无定形结构靶材料中引起的损伤能量分布的计算程序HEDEP-1.程序中采用了I.Manning等发展的近似计算方法,在处理入射离子与靶原子碰撞过程中考虑了核力影响,在电子阻止本领计算中选用了最新发表的J.F.Ziegler等数据.程序适用的能量范围是较宽的,从L.S.S.能区一直延伸到弹-核系统的库仑势垒以上,可以计算单质和多至四种元素组成的均匀靶材料.     

X光底片在位相对标定

本文描述了X光底片在位相对标定技术。其原理是使X射线谱经阶梯形吸收滤片透射后,对X光底片曝光,测量底片的曝光量。文中给出了标定方法和数据处理方法,而且也给出了在X光激光实验中得到的Kodak AA5底片的特性曲线。     

CAEP闪光X射线机的发展

闪光X射线机技术在中国工程物理研究院(下称CAEP)已有三十年的发展历史在爆轰物理学和y射线辐照效应研究中发挥了重要作用。本文总结了CAEP几种类型闪光X射线机的研制概况,阐述了高压脉冲技术、场发射技术、强流束聚焦等的研究进展,并介绍几种装置的主要技术参数。闪光X射线机是研究爆轰物理过程及其它高速瞬变过程的重要工具。国防科学技术研究中,大型闪光X射线机的研制具有很大的意义。文中对开拓强流电了束新的应用领域提出了展望。     

闪光Ⅰ号应用于X射线爆轰照相——研究金属射流的穿甲效应

闪光X射线照相技术是研究动载荷及其效应的重要测试手段,特别适用于研究物质在爆炸作用下的瞬变过程,本文介绍了闪光Ⅰ号加速器应用于X射线爆轰照相的基本状况,以及用于观察金属射流穿过高密度物质钨靶的实验技术。     

激光等离子实验中的低能X射线时间谱解谱方法

利用快速Fourier变换(FFT)算法和反卷积原理对Dante谱议测量波形进行了回推获得了激光等离子体源区低能X射线辐射时间波形。解谱方法采用了W.N.Mcelroy等人提出的SANDⅡ解谱方法并与文献[6]中介绍的限幅迭代和周期性光滑技术相配合计算出了能谱时间关系的16分区结果,给出了1989年6月LF-12强激光装置实验的双束靶、漏靶诊断口,入射口的X射线时间谱以及辐射温度时间关系T_R(i)。     

防离子反馈膜缺陷对像增强器视场的影响

防离子反馈膜是三代微光像增强器的重要组成部分,其质量对像增强器的寿命和视场起着至关重要的作用。研究了防离子反馈膜质量对像增强器视场的影响。选取具有典型缺陷的防离子反馈微通道板(micro-channel plate,MCP),对防离子反馈微通道板在工作时的视场和防离子反馈膜质量进行分析,获得了防离子反馈膜的缺陷对微光像增强器工作时视场的影响。分析得到防离子反馈膜制备过程中缺陷产生的原因,并初步提出缺陷的解决方案,对后续制备出高质量防离子反馈膜有着非常积极的作用。