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101.
张敏  王小霞  罗积润  廖显恒 《物理学报》2012,61(7):77901-077901
在三元碳酸盐中加入微量钪,利用大气等离子喷涂方法制备出含钪等离子喷涂氧化物阴极. 制备过程中,在三元碳酸盐原来配比基础上增加12%—22%(摩尔百分比)的碳酸钡进行混合, 并将该混合物进行造粒,在造粒过程中加入微量的钪.利用扫描电子显微镜分析了等离子喷涂材料的形态 和分布,表明符合等离子喷涂对粉末大小和形状的要求,并解决了等离子喷涂过程中钡的损失问题. 对这种新型氧化物阴极的分解排气过程进行详细分析,结果表明,排气时这种阴极比普通喷涂阴极出气少 且分解时间短.对发射性能及寿命进行测试,结果显示这种新型氧化物阴极的性能显著提高,阴极寿命延长.  相似文献   
102.
游海龙  蓝建春  范菊平  贾新章  查薇 《物理学报》2012,61(10):108501-108501
高功率微波(HPM)通过使半导体器件特性退化和功能失效,从而干扰电子系统无法正常工作. 针对金属氧化物半导体(MOS)器件的HPM效应, 建立了高功率微波引起n型金属氧化物半导体场效应晶体管(nMOSFET)特性退化的物理过程与模型. 器件仿真结果中nMOSFET的输出特性曲线显示栅极注入HPM引起器件特性退化,包括阈值电压正向漂移、 饱和电流减小、跨导减小等;结合物理模型分析可知, HPM引起的高频脉冲电压使器件进入深耗尽状态, 热载流子数目增多,热载流子效应导致器件特性退化. MOS器件的HPM注入实验结果显示,器件特性曲线、器件模型参数变化趋势与仿真结果一致, 验证了HPM引起nMOSFET特性退化的物理过程与模型.  相似文献   
103.
陈大鹏  曾智  张存林  金学元  张峥 《物理学报》2012,61(9):94207-094207
本项研究的目的在于探索热核聚变实验堆中超导母线绝缘层的主动式 红外热波检测方法.文中用装有热水的薄膜袋对预埋脱黏缺陷的试件表面进行接触热激励; 给出了在面热源作用下长圆柱内一维瞬态导热的近似理论模型;通 过对理论模型的模拟和分析,发现对热波降温信号进行微分处理可有效提高缺陷和 非缺陷信号对比度;与闪光灯激励的结果进行比较,显示接触热激励的检测深度优于 闪光灯脉冲热激励.  相似文献   
104.
王银博  薛驰  冯庆荣 《物理学报》2012,61(19):197401-197401
利用混合物理化学气相沉积法(hybrid physical-chemical vapor deposition, HPCVD)可以制备出高性能的MgB2超导薄膜, 再对薄膜进行钛(Ti)离子辐照处理.经过辐照处理后的样品被掺入了Ti元素, 与未处理的干净MgB2样品相比,其超导转变温度没有出现大幅度的下降, 而在外加磁场下的临界电流密度得到了明显的提高,同时样品的上临界磁场也得到了提高. 在温度5 K, 外加垂直磁场为4 T的情况下, Ti离子辐照剂量为1× 1013/cm2的样品的临界电流密度达到了1.72× 105 A/cm2, 比干净的MgB2要高出许多,而其超导转变温度仍能维持在39.9 K的较高水平.  相似文献   
105.
报道了利用蓝宝石介质谐振器技术测量MgB2超导薄膜的微波表面电阻Rs、OK时的穿透深度λ(O)和超导能隙△(O).λ(O)和△(O)的值是通过先测量样品穿透深度λ(T)的变化量△λ(T),然后由BCS理论模型拟合△λ(T)的实验数据得到的.测试样品是利用化学气相沉积技术在MgO(111)基片上制备的c轴织构的MgB2超导薄膜,薄膜的超导转变温度和转变宽度分别为38K和0.1K.微波测试结果表明在10K,18GHz下MgB2薄膜的Rs约为100μΩ,可以和高质量的YBCO薄膜的Rs值相比拟;BCS理论拟合得到的MgB2超导薄膜的λ(0)=102nm,△(0):1.13kTc.  相似文献   
106.
戴闻 《物理》2005,34(3):190-190
在超导体中,为了拆散一个库珀对,必须提供某种激发能,这一能量的下限即所谓能隙.超导能隙可以通过光电子能谱实验进行测量.^6Li原子其质子、中子和电子的总数是奇数q,因此属于费米原子.除非^6Li原子两两结成库珀对,它们不可能共同占据量子力学的基态,实现玻色一爱因斯坦凝聚(BEC).  相似文献   
107.
对1/f噪声缺口的超巨磁电阻Pr2/3Sr1/3MnO3薄膜样品从10K到室温的热电势值进行了测量,热电势为负值,低温下随温度线性变化,表现为金属扩散热电势,在150K开始急剧减小,过渡到与温度T成反比的变化关系,与小极化子模型相符.结合在电阻极大温度附近对电阻和1/f噪声行为的讨论,对于发生在电阻极大温度附近的相变过程,结果支持源于相分离的渝渗模型. 关键词: 稀土锰氧化物 热电势 渝渗模型  相似文献   
108.
BEPCⅡ500MHz超导腔是BEPCⅡ储存环的关键设备,腔中高次模的分布和阻抗将很大程度上直接影响束流的稳定.因此,研究BEPCⅡ超导腔的高次模分布和高次模吸收器的吸收效果对实现BEPCⅡ指标至关重要.为此,通过改变高次模吸收器的位置、铁氧体吸收材料的长度、厚度以及腔的渐变过渡波导的角度等对BEPCⅡ超导腔高次模阻抗抑制进行了模拟优化研究,从而找到并确定了吸收器对高次模阻抗抑制的最优值.同时,为证实模拟计算结果的正确性,对BEPCⅡ超导模型腔进行了高次模分布和吸收测量,得到了与计算一致的结果.结果表明,经过细致优化腔的高次模吸收器,腔中大部分高次模被深度吸收了,那些具有潜在危险的高次模阻抗值降到了阈值以下,满足BEPCⅡ束流阻抗要求  相似文献   
109.
采用 ICP- AES同时测定了南方离子型稀土精矿中 L a、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu和 Y组分的含量。选择了合适的分析线 ,确定了各元素的检出限为 0 .0 4— 13.6 μg/L,加标回收率为 90 %— 110 %。方法准确、快速、简便 ,已用于生产实践中  相似文献   
110.
YBa2Cu3O7—ξ在超导转变点处的比热反常   总被引:1,自引:0,他引:1  
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