首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
文章检索
  按 检索   检索词:      
出版年份:   被引次数:   他引次数: 提示:输入*表示无穷大
  收费全文   13063篇
  免费   4522篇
  国内免费   3277篇
化学   5701篇
晶体学   2051篇
力学   1025篇
综合类   289篇
数学   2126篇
物理学   9670篇
  2024年   110篇
  2023年   496篇
  2022年   572篇
  2021年   579篇
  2020年   360篇
  2019年   526篇
  2018年   338篇
  2017年   471篇
  2016年   495篇
  2015年   584篇
  2014年   1096篇
  2013年   813篇
  2012年   908篇
  2011年   959篇
  2010年   933篇
  2009年   1014篇
  2008年   1071篇
  2007年   937篇
  2006年   932篇
  2005年   854篇
  2004年   785篇
  2003年   751篇
  2002年   737篇
  2001年   588篇
  2000年   491篇
  1999年   449篇
  1998年   352篇
  1997年   504篇
  1996年   349篇
  1995年   310篇
  1994年   270篇
  1993年   262篇
  1992年   237篇
  1991年   228篇
  1990年   231篇
  1989年   171篇
  1988年   35篇
  1987年   23篇
  1986年   10篇
  1985年   10篇
  1984年   6篇
  1983年   6篇
  1982年   6篇
  1980年   1篇
  1979年   1篇
  1959年   1篇
排序方式: 共有10000条查询结果,搜索用时 281 毫秒
41.
Fabrication of Compound Lattice by Holographic Lithography   总被引:1,自引:0,他引:1       下载免费PDF全文
Some compound lattices in photonic crystals with large complete photonic band gaps, such as the diamond structure and the two-dimensional hexagonal compound structure, is desired for fabrication. A novel method for fabrication of compound lattices by holographic lithography is reported. The key point is phase modulation by photoelectrical control and multiple-exposure techniques. This technique introduces many advances: for instance,using the same coherent beams and without changing the position of the sample during multiple-exposure.  相似文献   
42.
陈重阳 《数学通讯》2005,(6):F003-F003
忧愁是可微的,快乐是可积的,在趋向于正无穷的日子里,幸福是连续的,对你祝福可导且大于零,祝你生命里快乐和幸福的复合函数总是最大值!  相似文献   
43.
We report that the measurements of the pyroelectric current of the pre-poled [111]-oriented 0.955 Pb(Zn1/3Nb2/3) O3-0.045 PbTiO3 (PZN-4.5%PT) single crystals can shed some light on the phase transition and spontaneous polarization characters of this material in a similar way to measures of remanent polarization and dielectric properties. The pyroelectric current is measured and the corresponding spontaneous polarization is calculated as a function of temperature with various poling fields added during cooling the sample from 200℃ to room temperature. Critical electric field of 0.061 k V/cm is found to be essential to induce the intermediate ferroelectric orthorhombic phase between the ferroelectric rhombohedral and tetragonal phases. Below the critical field, the polarization increases almost linearly with the increase of poling field. At the critical field, the polarization at 30OC increases abruptly from 14μC/cm^2 for a poling field of O.06kV/cm to 29.5μC/cm^2 for a poling field of 0.061 kV/cm, and afterwards, increases slowly and saturates to 31 μC/cm^2 for poling fields beyond 0.55 kV/cm.  相似文献   
44.
The effects of the external electric field on the ferroelectric superlattice with two alternating layers have been studied using the transverse Ising model based on the effective-field theory with the differential technique. The hysteresis loops and susceptibility of the system have been given. The stronger the external electric field, the smaller the susceptibility, reflecting that the polarization is weaker.  相似文献   
45.
A novel super-hydrophobic stearic acid (STA) film with a water contact angle of 166o was prepared by chemical adsorption on aluminum wafer coated with polyethyleneimine (PEI) film. The micro-tribological behavior of the super-hydrophobic STA monolayer was compared with that of the polished and PEI-coated Al surfaces. The effect of relative humidity on the adhesion and friction was investigated as well. It was found that the STA monolayer showed decreased friction, while the adhesive force was greatly decreased by increasing the surface roughness of the Al wafer to reduce the contact area between the atomic force microscope (AFM) tip and the sample surface to be tested. Thus the friction and adhesion of the Al wafer was effectively decreased by generating the STA monolayer, which indicated that it could be feasible and rational to prepare a surface with good adhesion resistance and lubricity by properly controlling the surface morphology and the chemical composition. Both the adhesion and friction decreased as the relative humidity was lowered from 65% to 10%, though the decrease extent became insignificant for the STA monolayer. The project supported by the National Natural Science Foundation of China (50375151, 50323007, 10225209) and the Chinese Academy of Sciences (KJCX-SW-L2)  相似文献   
46.
以铝酸镧(001)单晶为基片,采用两步法制备Tl2Ba2CaCu2Oy(Tl 2212)高 温超导薄膜.首先,利用脉冲激光沉积(PLD)工艺沉积Ba2CaCu2Ox非晶前驱体薄膜;然后,前驱体薄膜在高温(720—850℃)下密封钢容器里铊化结晶形成Tl 2212薄膜.XRD结果表明Tl2212 薄膜是沿c轴方向生长的,其相组成为Tl 2212,摇摆曲线(0012)的半高宽为0.72° ,SEM图像显示其表面光滑平整,其零电阻温度为106.2K. 关键词: Tl 2212超导薄膜 脉冲激光沉积  相似文献   
47.
Cr3+:MgAl2O4晶体EPR参量及其电子精细光谱的研究   总被引:4,自引:0,他引:4  
考虑了SS(Spin-Spin)作用和SOO(Spin-Other-Orbit)作用,采用完全对角化方法,结合自旋Hamiltonian理论,研究了Cr3+∶MgAl2O4晶体EPR参量及其吸收光谱,理论与实验符合甚好. 在此基础上,进一步研究了4A2(3d3)离子EPR参量的微观起源. 研究表明,EPR参量起源于四种微观机制:(1) SO(Spin-Orbit) 耦合机制;(2) SS耦合机制;(3)SOO耦合机制;(4) SO~SS~SOO总联合作用机制. 在这些机制中,SO机制是最主要的.  相似文献   
48.
用紫外可见光谱(UV/Visible Spectra)测试并研究了坩埚下降法生长的LiNbO3、Fe:LiNbO3,以及Zn:Fe:LiNbO3晶体的吸收特性。分析了产生这些吸收特性的原因以及与工艺生长方法的内在联系。研究结果表明:LiNbO3单晶沿晶体生长方向,其紫外吸收边向长波方向移动,且在350—450nm波段的吸收也逐渐增大,这是由于Li的分凝与挥发,逐渐产生缺锂所造成的;在Fe:LiNbO3单晶中观察到Fe^2 离子在480nm附近的特征吸收峰,并发现沿生长方向,Fe^2 离子的浓度逐渐增加,这与提拉法生长得到的晶体不同;在Fe:LiNbO3单晶中掺入质量分数为1.7%ZnO后,吸收边位置发生蓝移,而掺杂质量分数达到3.4%时,观察到有红移现象。Fe^2 离子在Zn:Fe:LiNbO3单晶中的浓度与ZnO掺杂量有密切关系。在掺杂质量分数1.7%ZnO的Fe:LiNbO3单晶中,Fe^2 离子从底部到顶部的浓度变化比在掺杂质量分数3.4%ZnO晶体中大,这是由于Zn^2 抑制Fe^2 离子进入Li位的能力随掺杂量的增加而逐渐减弱造成的。就该下降法工艺技术对Fe^2 离子在晶体中的浓度分布的影响作了分析。  相似文献   
49.
尹鑫  王继扬 《物理学报》2004,53(10):3565-3570
研究了晶体的旋光性与电光效应的交互作用、以及此交互作用对 旋光晶体电光Q开关的影响. 关键词: 旋光性 电光效应 电光Q开关 3Ga5SiO14晶体')" href="#">La3Ga5SiO14晶体  相似文献   
50.
朱建敏  沈文忠 《物理学报》2004,53(11):3716-3723
建立傅里叶变换步进扫描时间分辨光电导光谱,并研究太阳电池中与转换效率密切相关的少数载流子寿命.实验选取三种典型的硅太阳电池(单晶硅样品1、多晶硅样品2和多晶硅样品3 ),发现其瞬态光电导的上升和衰退曲线可以分别用两个简单的指数函数描述.由于有复合中心的参与,复合过程中少数载流子的寿命比产生过程中的寿命短.为验证实验结果的可靠性,采用了提取样品少数载流子的体寿命和计算其有效扩散长度两种方法.通过与太阳电池暗伏安特性和负载特性研究相结合,进一步分析和讨论了少数载流子寿命与短路电流、开路电压和转换效率的关系.同时探讨了步进扫描时间分辨光谱实验的其他用途. 关键词: 步进扫描 时间分辨 硅太阳电池 瞬态光电导  相似文献   
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号