空气/水界面水分子的取向和运动

对四种不同的实验构型下空气／水界面自由O-H键在3700cm~(-1)的和频振动光谱的分析表明,水分子在空气／水界面的取向运动只可能是在平衡位置附近有限角度之内的受限转动。界面水分子的自由O-H键取向距界面法线约33°,而取向分布或运动的宽度不超过15°。这一图像显著地不同于Wei等人(Phys. Rev. Lett.86,4799(2001))只通过单一的SFG实验构型所得出结论,即：空气／水界面的水分子在超快的振动弛豫时间内在很大的角度范围内运动。     

粒子与光电材料相互作用的应用基础研究获自然科学奖

据《济南日报》消息，在2006年1月10日召开的全国科技大会上，山东大学物理与微电子学院王克明教授完成的项目“粒子与光电材料相互作用的应用基础研究”获国家自然科学奖二等奖。该项目在离子注入光波导研究领域取得一些原创性成果，对进行跨学科新领域的课题研究具有重要的借     

Growth studies of m-GaN layers on LiAlO2 by MOCVD

This paper reports that the m-plane GaN layer is grown on （200）-plane LiAlO2 substrate by metal-organic chemical wpour deposition （MOCVD） method. Tetragonal-shaped crystallites appear at the smooth surface. Raman measurement illuminates the compressive stress in the layer which is released with increasing the layer＇s thickness. The high transmittance （80%）, sharp band edge and excitonic absorption peak show that the GaN layer has good optical quality. The donor acceptor pair emission peak located at -3.41 eV with full-width at half maximum of 120 meV and no yellow peaks in the photoluminescence spectra partially show that no Li incorporated into GaN layer from the LiAlO2 substrate.     

物理教学与多媒体技术的整合--运用多媒体技术培养学生创新能力

素质教育的核心是培养学生的创新意识、创新精神和创新能力．在科技高度发达的今天，多媒体技术在教学中的广泛应用，为培养学生的创新能力提供最强有力的技术支持．     

精心设计问题培养学生能力

记忆特征告诉我们，要加强对某一件事的记忆，加深对某一问题的理解，“错误”与“教训”是最为深刻的．数学教学何尝不是如此．例如，为了加深学生对等差数列的前n项和公式的理解和应用，在教学中可设计如下两个问题：     

计算机辅助物理实验教学的几点思考

探讨了物理实验教学引入智能化仪器的必要性和意义，指出引入计算机辅助教学必须对传统的实验教学内容和方法重新设计，同时软件的设计应给学生留有接口的余地。     

关于高等数学教学改革的几点认识

作为高等数学教改项目的参加，本介绍了作对高等数学教学改革的五点认识：1，高等数学教材应有利于培养学生的数学素养和创造力；2，高等数学教学改革的成败有赖于教师自身教育思想的转变；3，高等数学的教材改革已初见成效；4，高等数学的教学改革必须遵循教育规律；5，高等数学的教学改革应有学生的参与。     

深入开展教学研究促进精品课程建设

建设精品课程是教育部（2003—2007年教育振兴行动计划》中明确提出的高等学校教学质量与教学改革工程的重要内容，是高等教育规模持续扩大，高等教育体制改革不断深入的必然要求，也是网络、信息技术在教育领域中的应用需求和优质教学资源共享的要求．经过2年建设，国家精品课程数量比较多，但是结构性矛盾比较突出，主要影响培养质量的大面积公共基础课的精品课程数量太少．我们从二类院校的实际出发按照“以教学研究促进精品课程建设”的思路，经过多年大学物理精品课程建设取得了大量的成绩，建成校级精品课程（唯一的大面积公共基础精品课程），正被推荐为省级精品课程．     

自制金割效应物理摆的研究性实验

金割效应物理摆是将数学中的优选法与物理实验中的复摆结合起来并用计算机处理数据的自制教学仪器.把金割效应物理摆作为研究性实验进行开设,更有利于培养学生的开拓精神和创新能力.     

ZnSe及ZnSe/GaAs异质结构中压力导致的直接禁带向间接禁带的转变

用经验赝势方法计算了体ZnSe以及ZnSe/GaAs单异质结系统中ZnSe外延层г、X、L等特殊对称点导带底能量随压力的变化。结果表明，同Si、Ge、GaAs等半导体材料不同，ZnSe的X点导带底具有正的压力系数，但比г点的压力系数小，这是ZnSe材料以及ZnSe基异质结构材料发生直接禁带向间接禁带的转变时所需转变压力较大的根本原因。研究了ZnSe/GaAs异质结构中晶格失配造成的应变对外延层г、X、L对称点压力系数的影响，表明这种晶格失配造成的应变可以极大地减小ZnSe外延层材料由直接禁带向间接禁带的转变压力。