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71.
We study the two samples of AlInGaN,i.e.,1-μm Gan grown at 1030℃ on the buffer and followed by a 0.6μm-thick epilayer of AlInGaN under the low pressure of 76 Torr and the AlInGaN layer deposited diectly on the buffer layer without the high-temperature GaN layer,by temperature-dependent photoluminescence(PL) spectroscopy and picosecond time-resolved photoluminescence(TRPL) spectroscopy.The TRPL signals of both the samples were fitted well as a stretched exponential decay at all temperatures,indicating significant disorder in the material.We attribute the disorder to nanoscale quantum dots or discs of high indium concentration.Temperature dependence of dispersive exponent β shows that the stretched exponential decay of the two samples comes from dfferent mechanisms.The different depths of the localization potential account for the difference,which is illustrated by the results of temperature dependence of radiative recombination lifetime and PL peak energy. 相似文献
73.
铍的焊接常出现裂纹和气孔。焊接时加填充材料,然后再考虑接头结构设计、焊接工艺参数调整、焊前预热和焊后缓慢冷却等措施,它们之间协调匹配,可有效地阻止铍焊接产生裂纹。在焊接不开裂的情况下设法减轻和消除气孔缺陷。填充材料的加入,主要是改善焊缝的性能,减少焊接应力进而改善材料的焊接性。 相似文献
74.
Modified Photoluminescence by Silicon-Based One-Dimensional Photonic Crystal Microcavities 下载免费PDF全文
photoluminescence (PL) lrom one-dimensional photonic band structures is investigated. The doped photonic crystal with microcavitles are fabricated by using alternating hydrogenated amorphous silicon nitride (a-SiNx:H/a-SiNy:H) layers in a plasma enhanced chemical vapour deposition (PECVD) chamber. It is observed that microcavities strongly modify the PL spectra from active hydrogenated amorphous silicon nitride (a-SiNx:H) thin film. By comparison, the wide emission band width 208nm is strongly narrowed to 11 nm, and the resonant enhancement of the peak PL intensity is about two orders of magnitude with respect to the emission of the λ/2-thick layer of a-SiNx:H. A linewidth of Δλ=11 nm and a quality factor of Q=69 are achieved in our one-dimensional a-SiNz photonic crystal microcavities. Measurements of transmittance spectra of the as-grown samples show that the transmittance resonant peak of a cavity mode at 710nm is introduced into the band gap of one-dimensional photonic crystal distributed Bragg reflector (DBR), which further verifies the microcavity effects. 相似文献
75.
热喷涂技术的现状和发展 总被引:4,自引:0,他引:4
介绍了热喷涂工艺的特点,喷涂方法的种类及其技术以及热喷涂技术的应用概况,并对热喷涂技术的发展方向给予了展望。 相似文献
76.
介绍了非晶半导体薄膜的结构特点和在光电器件上的独特性能,给出了薄膜器件的发展水平和制膜技术、制膜设备的研究现状。 相似文献
77.
78.
79.
利用光热偏转技术实施光学薄膜弱吸收的多波长测量 总被引:2,自引:0,他引:2
介绍了光热表面形变光束偏转技术用于测量光学薄膜弱吸收的基本原理,简述多波长吸收测量装置的建立和测试过程,最后给出简单的测量实例. 相似文献
80.