关于Lipschitz区域上Schr(o..)dinger方程的不连续边界值问题

讨论Lipschitz区域上Schrodinger方程的不连续边界值问题及其研究进展,给出Lp(p＞1)边值问题和Hp(p＜1)边值问题的位势理论.同时指出Besov-Sobolev边值、Orlicz边值等需要进一步研究的问题.     

对称法求积分

积分计算是高等数学的基本运算 ,巧妙地利用对称性解积分题 ,常能化难为易 ,简化计算 ,收到事半功倍的效果 ,本文拟就此方法作一探讨。　　一　利用函数奇偶性利用被积函数的奇偶性和积分区间关于原点的对称性简化计算 ,是积分运算中经常使用的方法。例 1　求积分 I =∫1- 12 x2 +xcosx1 +1 -x2 dx解　本题中虽然积分区间关于原点对称 ,但被积函数不具奇偶性 ,但通过拆项 ,可利用奇偶性来简化积分运算。原积分 I =∫1- 12 x21 +1 -x2 dx +∫1- 1xcosx1 +1 -x2 dx △ I1+I2 .因为 xcosx1 +1 -x2 是奇函数 ,而 2 x21 +1 -x2 是偶函数 ,所以 …     

区域技术创新系统评估体系的研究

技术创新对提升企业竞争力、提高综合国力、促进经济增长和国家持续发展非常重要。本在研究了区域经济发展和国家创新系统的相关献基础上，建立了系统、量化的区域技术创新系统评估指标体系，提出了决定区域创新系统技术创新能力的主要因素，并用TOPSIS方法对指标的量化进行了尝试。     

无界区域R1上推广的B-BBM方程的整体吸引子

本文研究了无界区域R^1上推广的B—BBM方程的长时间动力学行为，证明了该方程整体吸引子的存在性．     

关于Lipschitz区域上Schrdinger方程的不连续边界值问题

讨论Lipschitz区域上Schr dinger方程的不连续边界值问题及其研究进展 ,给出Lp(p >1)边值问题和Hp(p <1)边值问题的位势理论 .同时指出Besov Sobolev边值、Orlicz边值等需要进一步研究的问题 .     

硫化锌掺钴对电子结构和光学性质的影响

根据密度泛函理论对钴掺硫化锌周围的品格进行了结构优化,计算得到了钴杂质周围的晶体结构、电子态密度分布和吸收光谱.计算结果表明,由于Co原子掺入ZnS晶格常数减小,导致晶格畸变;带隙变窄;吸收峰展宽至更长波长区域.     

Pseudo-Spin-Valve Trilayer Using Amorphous CoNbZr Layer： Giant Magnetoresistance, Domain Structures and Potentials for Spin-Electronic Devices

We propose a pseudo-spin-valve (PSV) trilayer using amorphous CoNbZr Mloy for soft magnetic layers. The giant magnetoresistance (GMR), domain structures and their variation upon thermal annealing are investigated. The GMR effect is not only stable up to 300℃ but also enhanced due to the improvement of the interfaces between Cu and magnetic layers. With high annealing temperature, the magnetoresistance (MR) ratio decreases rapidly as a result of serious layer interdiffusion. Dense stripe domains, which disappear after annealing at 300℃ for 1h, are observed in the sandwiched films. It is found that after patterning to elliptic stripe with aspect ratio of 6:1, the trilayers have a single domain and their MR ratio increases. The dynamic MR behaviour under an ac magnetic field indicates that the patterned stripes have good linear MR responses. Therefore, it is believed that the CoNbZr/Cu/Co PSV trilayers have strong potentials for spin-electronic devices including magnetic random access memory.     

Theory and Application of Characteristic Finite Element Domain Decomposition Procedures for Coupled System of Dynamics of Fluids in Porous Media

For a coupled system of multiplayer dynamics of fluids in porous media,the characteristic finiteelement domain decomposition procedures applicable to parallel arithmetic are put forward.Techniques suchas calculus of variations,domain decomposition,characteristic method,negative norm estimate,energy methodand the theory of prior estimates are adopted.Optimal order estimates in L~2 norm are derived for the error inthe approximate solution.     

荧光XAFS研究Si可稀浓度杂质的区域结构

荧光ＸＡＦＳ研究Ｓｉ晶体中等电子，缺电子和富电子杂质原子的区域环境结构。结果表明杂质原子的电子构型决定了杂质原子对Ｓｉ区域晶格形变的影响。相对于共价键长ＲＳｉ－Ｓｉ（０．２４０ｎｍ）来说，富电子杂质Ａｓ导致Ｓｉ晶格在Ｓｉ（１１１）方向的ＲＡｓ－Ｓｉ键长产生０．００４ｎｍ的反应增长，等电子杂质Ｇｅ的Ｒ－Ｇｒｅ－Ｓｉ和缺电子杂质Ｇａ和ＲＧａ－Ｓｉ键长收缩０．００２ｎｍ。