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41.
本文对Brauer第24问题[1]作了推广.利用Dade关于循环块的理论得到如下结果:设G是有限群,P是G的循环Sylowp子群.设|P|=pa,a为正整数.令Pi为P中唯一的pi阶子群,1ia.则|Cl(G)|=|Cl(NG(Pi))|的充分必要条件为PiG. 相似文献
42.
根据密度泛函理论对钴掺硫化锌周围的品格进行了结构优化,计算得到了钴杂质周围的晶体结构、电子态密度分布和吸收光谱.计算结果表明,由于Co原子掺入ZnS晶格常数减小,导致晶格畸变;带隙变窄;吸收峰展宽至更长波长区域. 相似文献
43.
本文主要利用广义限制李代数的概念研究不可约H(2r,n)-模,确定了特征标高度为0,并且具有例外权(-w)k(k=0,1,2,…,r)的极大向量的不可约H(2r,n)-模. 相似文献
44.
45.
如果一个图G存在一个k-列表安排使得G具有一个唯一列表染色,则称 G是唯一列表可染色图,简称UkLC图.我们称图G具有M(k)性质当且仅当G不 是UkLC图.本文在借鉴θr,s,t-图概念的基础上引入θr,s,t-图的定义,并证明:除了 r=s=t=2以外,θr,s,t-图都是U2LC图.利用如上结果我们给出M.Mahdian and E.S.Mahmoodian对U2LC图所作特征化的一个简单证明. 相似文献
46.
Pseudo-Spin-Valve Trilayer Using Amorphous CoNbZr Layer: Giant Magnetoresistance, Domain Structures and Potentials for Spin-Electronic Devices
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We propose a pseudo-spin-valve (PSV) trilayer using amorphous CoNbZr Mloy for soft magnetic layers. The giant magnetoresistance (GMR), domain structures and their variation upon thermal annealing are investigated. The GMR effect is not only stable up to 300℃ but also enhanced due to the improvement of the interfaces between Cu and magnetic layers. With high annealing temperature, the magnetoresistance (MR) ratio decreases rapidly as a result of serious layer interdiffusion. Dense stripe domains, which disappear after annealing at 300℃ for 1h, are observed in the sandwiched films. It is found that after patterning to elliptic stripe with aspect ratio of 6:1, the trilayers have a single domain and their MR ratio increases. The dynamic MR behaviour under an ac magnetic field indicates that the patterned stripes have good linear MR responses. Therefore, it is believed that the CoNbZr/Cu/Co PSV trilayers have strong potentials for spin-electronic devices including magnetic random access memory. 相似文献
47.
48.
乌骨鸡磷脂侧链脂肪酸的GC-MS分析 总被引:1,自引:1,他引:0
用氯仿:甲醇(2:1)超声提取乌骨鸡总磷脂,丙酮脱油精制后,经皂化、甲酯化处理,应用GC-MS联用技术对其侧链脂肪酸组成进行分析,并以面积归一法,计算各脂肪酸的相对百分含量.结果显示,乌骨鸡总磷脂中含有硬脂酸27.46%、花生四烯酸21.39%、油酸18.22%、亚油酸16.67%、棕榈酸12.13%、二十二碳六烯酸(DHA) 2.26%、二十碳三烯酸1.71%、棕榈油酸0.16%.不饱和脂肪酸和多不饱和脂肪酸的含量分别为60.41%和42.03%.乌骨鸡磷脂侧链脂肪酸中高比例的多不饱和脂肪酸和花生四烯酸含量是乌骨鸡磷脂的显著特征. 相似文献
49.
荧光XAFS研究Si晶体中等电子,缺电子和富电子杂质原子的区域环境结构。结果表明杂质原子的电子构型决定了杂质原子对Si区域晶格形变的影响。相对于共价键长RSi-Si(0.240nm)来说,富电子杂质As导致Si晶格在Si(111)方向的RAs-Si键长产生0.004nm的反应增长,等电子杂质Ge的R-Gre-Si和缺电子杂质Ga和RGa-Si键长收缩0.002nm。 相似文献
50.