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71.
一维对称光量子阱结构多通道滤波特性研究   总被引:2,自引:2,他引:0  
陈超雄  黄洁彬  韩鹏  杨冠玲 《光子学报》2008,37(8):1571-1575
利用传输矩阵法研究了一维对称光量子阱结构的多通道滤波特性,发现该结构的多透射峰具有分布对称、近似等间距和高透射率等特点,且峰值位置能利用等效理论近似解析求出.透射峰的数目可通过阱区结构参量确定和进行调整,结构的光子禁带范围可通过材料参量的选择获得极大的展宽.该结构只采用两种材料,结构简单,易于制作,具有较大的材料选择性.  相似文献   
72.
近年来短波红外高光谱技术已成功应用于含水含羟基蚀变矿物及矿床学研究,但是对于不含水不含羟基矿物探测效果不好,而热红外高光谱技术可以弥补这一技术缺陷,对于含Sin Ok,SO4,CO3和PO4等原子基团的矿物具有良好的应用前景.石榴子石是一种重要的含Sin Ok基团的岛状结构硅酸盐矿物,根据成分可分为钙铝榴石、钙铁榴石、...  相似文献   
73.
针对跟踪目标尺度变化问题,提出了基于灰度对数似然图像分割的快速主动轮廓跟踪算法。改进的主动轮廓跟踪算法将根据以目标与背景的颜色差异而建立的对数似然图对图像进行阈值分割和数学形态学处理,再将Kalman滤波器结合到主动轮廓跟踪算法进行目标跟踪。改进的主动轮廓跟踪算法对目标分割准确,轮廓特征显著,跟踪效果稳定,算法能很好地适应跟踪目标尺度变化。通过Kalman滤波器对目标位置点的预测减少了主动轮廓跟踪算法收敛的迭代次数,使算法的运算效率提高了33%左右。  相似文献   
74.
基于内置电光晶体的F-P标准具,利用F-P多光束干涉原理和晶体的线性电光效应,提出了一种能有效提高啁啾脉冲信噪比的扫描滤波方法。给出了电光晶体加载电压的时变函数表达式,分析了影响信噪比提升效果的主要因素,并重点讨论了电光晶体的电压控制参数对信噪比提升效果和滤波器透过率的影响。研究结果表明,利用该扫描滤波方法可将啁啾脉冲激光信噪比提升约2个量级。  相似文献   
75.

为考察超声速引射器直接引射超声速二次流时的性能,采用纹影技术和压力测量手段对一等截面超-超引射器的流场结构及其引射性能进行了实验研究。研究结果表明:一、二次流交汇后在混合室前段形成了复杂的超声速流场结构。根据二次流在混合室入口流动状态的不同,可将超-超引射划分为非饱和超-超引射和饱和超-超引射两种工作状态;二次流在混合室入口处产生的激波提高了引射器的压力匹配性能;在给定的引射系数下,引射器的增压性能随二次流马赫数的增大而降低,而引射马赫数对引射器压力恢复性能的影响不大。

  相似文献   
76.
针对考虑随机扰动的异步电动机位置跟踪控制问题,文章提出了一种基于指令滤波技术的有限时间模糊自适应控制方法.首先,利用模糊自适应技术逼近系统中的随机非线性函数;其次,采用指令滤波技术解决传统反步法中由于对虚拟控制函数反复求导产生的计算复杂性问题;最后,将有限时间控制方法与指令滤波技术相结合,提高了系统的收敛速度以及抗干扰...  相似文献   
77.
介绍了一个基于带状脉冲形成线的低阻抗实验平台,针对该平台设计了两种不同类型结构的匹配负载,并分别进行了实验研究,得到了不同的输出脉冲波形,发现轨道结构的水负载具有很低的负载回路电感,适于作为低阻抗脉冲形成线的匹配负载。实验结果表明:在开关电感一定的情况下,负载回路电感是影响低阻抗形成线输出波形的决定性因素。对于0.5 Ω的带状脉冲形成线,只有将负载回路电感控制在30 nH以内,才能获得波形较好的输出脉冲,高压实验结果也验证了此结论。利用数值模拟的方法,分析了负载回路电感对不同阻抗形成线输出波形的影响,结果表明:随着形成线阻抗的增加,负载回路电感对波形的影响越来越小。  相似文献   
78.
提出一种新的不间断的主动相位补偿方案,在进行量子密钥分发的同时统计不匹配基量子比特在干涉仪不同输出端口上的随机计数分布,给出了由不匹配基量子比特统计数值计算相位漂移参数的计算公式,并由统计数值计算得到相位漂移参数。结果表明:该方案允许系统并行处理量子密钥分发与相位补偿,也充分利用了在原BB84协议中会被丢弃的不匹配基量子比特信息。  相似文献   
79.
采用基于场匹配理论的数值计算和仿真技术对中心频率为0.225 THz的两路波导功率合成器的场分布特性及合成效率进行了研究。数值计算结果表明:随着两路输入波相位差的增大,合成波束的峰值场的幅值逐步减小;增加输入波导间隔板厚度,合成波束峰值场的位置逐步远离输入端口,使合成波导的长度增加;仿真和数值计算得到了基于一致的结果。仿真结果表明:当两路输入信号的相位差小于35°时,合成效率大于90%,带宽为10.000 GHz。  相似文献   
80.
利用电磁模拟软件,计算得到了H面渐变与E面渐变的楔形衰减器匹配效果,指出在相同渐变长度下,E面渐变匹配效果优于H面渐变。H面渐变衰减器反射主要来源于电场集中处,而E面渐变衰减器主要来源于渐变前部尖端处。在此基础上设计出了一种变形的匹配衰减器,即在E面渐变衰减器渐变开始处向前延伸一块薄片。计算结果与测试结果表明:与H面渐变和E面渐变的楔形衰减器相比,所设计衰减器在近截止频率处的匹配效果得到了明显的改善。  相似文献   
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