首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
文章检索
  按 检索   检索词:      
出版年份:   被引次数:   他引次数: 提示:输入*表示无穷大
  收费全文   15826篇
  免费   4588篇
  国内免费   3068篇
化学   3648篇
晶体学   318篇
力学   2355篇
综合类   720篇
数学   5108篇
物理学   11333篇
  2024年   117篇
  2023年   381篇
  2022年   512篇
  2021年   540篇
  2020年   414篇
  2019年   486篇
  2018年   316篇
  2017年   492篇
  2016年   527篇
  2015年   574篇
  2014年   1331篇
  2013年   912篇
  2012年   922篇
  2011年   1124篇
  2010年   1049篇
  2009年   1186篇
  2008年   1326篇
  2007年   996篇
  2006年   968篇
  2005年   972篇
  2004年   944篇
  2003年   985篇
  2002年   882篇
  2001年   783篇
  2000年   639篇
  1999年   543篇
  1998年   459篇
  1997年   471篇
  1996年   410篇
  1995年   416篇
  1994年   359篇
  1993年   241篇
  1992年   278篇
  1991年   242篇
  1990年   225篇
  1989年   223篇
  1988年   87篇
  1987年   53篇
  1986年   22篇
  1985年   22篇
  1984年   15篇
  1983年   8篇
  1982年   17篇
  1980年   4篇
  1979年   5篇
  1975年   1篇
  1959年   3篇
排序方式: 共有10000条查询结果,搜索用时 31 毫秒
31.
32.
O在Au(111)表面吸附的密度泛函理论研究   总被引:1,自引:0,他引:1       下载免费PDF全文
应用密度泛函理论,本文系统地研究了O在Au(111)表面上的吸附能、吸附结构、功函数、电子密度和投影态密度,给出了覆盖度从0.11ML到1.0ML的范围内,O的吸附特性随覆盖度变化的规律.研究发现O的稳定吸附位为3重面心立方(fcc)洞位,O在fcc洞位的吸附能对覆盖度比较敏感,其值随着覆盖度的增加而减小;O诱导Au(111)表面功函数的变化量与覆盖度成近线性关系,原因是Au表面电子向O偏移,形成表面偶极子;O—Au的相互作用形成成键态和反键态,且反键态都被占据,造成O—Au键很弱,O吸附能较小. 关键词: 表面吸附 Au(111)表面 密度泛函理论 电子特性  相似文献   
33.
一类相空间中的准几率分布函数系   总被引:3,自引:0,他引:3       下载免费PDF全文
袁通全 《物理学报》2006,55(10):5014-5017
定义了一类相空间中的准几率分布函数系,这个准几率分布函数系直接建立在具有更加广泛意义的量子相空间Schr?dinger方程解的基础之上,其中定义α=αp-i?q和α=(1-α)q+i?p.发现了两个有趣的关系.(1)建立的量子相空间Schr?dinger方程的解实际上是对函数φ(λ)exp[i(1-α)qp]做窗口Fourier变换.(2)这个窗口函数g(λ)起着选择窗口形式的作用,而且不同的窗口对应着不同的分布函数.当g(λ)是一个代表Gauss窗的Gauss函数的时候,准几率分布函数就是一个类似于Husimi的分布函数fHLα(q,p);当g(λ)是一个表示椭圆的复函数时,准几率分布函数就是一个椭圆分布函数fEα(q,p);再在g(λ)为复函数的基础上附加α=0,就可得到标准序分布函数fS(q,p)、反标准序分布函数fAS(q,p)和Wigner分布函数fW(q,p),此时g(λ)表示高度为1/12π?而长度为λ的矩形窗. 关键词: 窗口Fourier变换 相空间 Wigner分布函数  相似文献   
34.
利用随机矩阵理论,通过对一特殊情形的简并谱展开研究,得到了简并谱一种可能的最小相邻间距NNS分布函数.研究表明,由于简并的存在,简并谱不仅可分解成随机谱和规则谱两个子谱,同时还影响其规则谱,使规则谱的能级斥力减少.  相似文献   
35.
This paper reports that the m-plane GaN layer is grown on (200)-plane LiAlO2 substrate by metal-organic chemical wpour deposition (MOCVD) method. Tetragonal-shaped crystallites appear at the smooth surface. Raman measurement illuminates the compressive stress in the layer which is released with increasing the layer's thickness. The high transmittance (80%), sharp band edge and excitonic absorption peak show that the GaN layer has good optical quality. The donor acceptor pair emission peak located at -3.41 eV with full-width at half maximum of 120 meV and no yellow peaks in the photoluminescence spectra partially show that no Li incorporated into GaN layer from the LiAlO2 substrate.  相似文献   
36.
Speech emotion recognition based on statistical pitch model   总被引:1,自引:0,他引:1  
A modified Parzen-window method, which keep high resolution in low frequencies and keep smoothness in high frequencies, is proposed to obtain statistical model. Then, a gender classification method utilizing the statistical model is proposed, which have a 98% accuracy of gender classification while long sentence is dealt with. By separation the male voice and female voice, the mean and standard deviation of speech training samples with different emotion are used to create the corresponding emotion models. Then the Bhattacharyya distance between the test sample and statistical models of pitch, are utilized for emotion recognition in speech. The normalization of pitch for the male voice and female voice are also considered, in order to illustrate them into a uniform space. Finally, the speech emotion recognition experiment based on K Nearest Neighbor shows that, the correct rate of 81% is achieved, where it is only 73.85% if the traditional parameters are utilized.  相似文献   
37.
用提拉法生长了Lu2Si2O7:Ce晶体,对该晶体的闪烁性能进行了研究。透射光谱表明,Lu2Si2O7:Ce晶体的吸收边比Lu2SiO5:Ce晶体向短波方向移动了25nm,使透光范围进一步拓宽。X射线发射光谱和UV激发发射光谱均具有典型的双峰特征,主峰在378nm。UV激发发射谱具有温度效应,即375K以上时,发光效率迅速降低;425K以上时,发光主峰位明显红移。衰减曲线符合单指数式衰减规律,常温下经UV激发后的衰减时间约为34ns。从曲线形态看,375K以下的衰减谱与室温下的几乎完全相同,拟合的结果在32.8~34ns之间;衰减时间的温度效应从375K开始显现,即随温度的升高,衰减时间有加速变短的趋势,到500K时缩短为6.72ns。热释光谱在488,553K处有两个热释光峰,但室温附近几乎观察不到热释光峰。  相似文献   
38.
研究了制备的掺钕螯合物Nd(DBM)3Phen材料的吸收光谱、激发光谱、荧光光谱,应用Judd-Ofelt理论计算了该材料的强度参量.分析了钕离子激发态4F3/2的辐射寿命(631 μs)和4F3/2→4IJ′跃迁的受激发射截面和荧光分支比.  相似文献   
39.
两种方法制备ITO薄膜的红外特性分析   总被引:7,自引:1,他引:6  
比较了用电束加热蒸发法和直流磁控溅射法制备的氧化锡铟(ITO)薄膜在红外波段的光学特性实验发现,通过直流磁控溅射在常温下制备的ITO薄膜在红外波段折射率稳定、消光系数小,比电子束加热蒸发制备的膜有较高的透过率在波长1550nm附近的透过率可达86%以上,消光系数约为004,方电阻最低为100Ω/□.  相似文献   
40.
周先荣  郭璐  孟杰  赵恩广 《中国物理 C》2002,26(11):1125-1133
用粒子–转子模型和推转壳模型研究了6个粒子分别填充在单j壳和双j壳上的混沌行为.分析了单j壳和双j壳情况下能谱的最近邻能级间距分布和谱刚度随自旋及推转频率的变化,结果表明,当组态空间大小不变时,系统在双j壳(g7/2+d5/2)情况下比在单j壳(i13/2)情况下更规则,而当组态空间从单j壳(i13/2)扩大到双j壳(i13/2+g9/2)时,系统的混沌程度变化不大.同时比较了将6个粒子的两体相互作用分别取为δ力和对力时的系统的混沌行为  相似文献   
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号