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21.
T'-214相化合物R2-xCexCuO4(R为稀土离子)成为超导体决定于R3+的离子半径大小、Ce4+的取代量和化合物的热处理时的稳定性.从Raman光谱实验结果提出热处理过程中发生电荷转移.Ce4+的取代引起TN(Cu)下降,当TN(Cu)降到0时,超导性出现。不同的稀土离子TN(Cu)不同,稀土离子的反铁磁性(AFM)与超导性(SC)共存。热电势的测量结果可以用双通道模型解释,n型超导体中电子与空穴共存. 相似文献
22.
构造了氮-镍相互作用的5-参数Morse势,研究了氮原子在Ni(\r\n100),Ni(110)和Ni(111)平坦表面的吸附和振动,获得了氮原子\r\n在三个低指数表面的吸附位、吸附构型、结合能和本征振动等数据,计\r\n算结果与实验结果非常吻合.同时,与Ni(100)表面对比,系统研究\r\n了氮原子在Ni(510)台阶面的吸附和扩散.计算结果表明,氮原子在\r\n台阶下部形成最稳定的吸附态,台阶对下台面上扩散的氮原子形成捕获\r\n势,对上台面上扩散的氮原子形成反射势. 相似文献
23.
给出了一种直接求解三体原子Schrdinger方程的完整势谐展开方法,包括联立的超球径耦合微分方程和广义本征能方程;将其应用于类氦离子,得到了非常精确的基态和低躺激发态的本征能. 相似文献
24.
为找到未来半导体晶体管合适的沟道材料,计算了14种MX_2(其中M=Mo,W,Sn,Hf,Zr和Pt,X=S,Se和Te)型二维半导体载流子有效质量、带隙以及电子和空穴迁移率。在计算过程中,为了快速对载流子迁移率进行估计,利用形变势的近似电声耦合矩阵元。计算时考虑长波光学声子和声学声子的散射,而在极化晶体中,考虑了极化散射。计算结果表面,WS_2,PtS_2以及PtSe_2具有最高的电子迁移率以及非零的带隙。其中,PtSe_2的电子在室温下的理论迁移率上限为4000 cm~2·V~(-1)·s~(-1),而W,Hf和Zr的二维化合物室温时的空穴迁移率较高,其中含W的化合物理论迁移率上限到2600 cm~2·V~(-1)·s~(-1)。该计算研究为实验合成高迁移率的二维材料提供指导,同时为实验获得高性能以二维材料作为沟道的场效应晶体管提供参考,加速二维材料的应用。 相似文献
25.
建立了处理双原子分子-表面相互作用的推广的LEPS势.借助推广的LEPS势,系统研究了一氧化碳分子在铂低指数表面吸附的动力学特性,重现了低指数表面的分子吸附热、吸附几何及本征振动等实验数据;鉴定了某些不合理的文献信息,预测了实验尚未探测到的重要信息:预测到Pt(100)表面四重洞位的C-O伸缩振动频率为1 962.60 cm-1;预测到Pt(110)表面吸附态的C-O及C-Pt键长分别为115.1、147 pm. 相似文献
26.
27.
28.
29.
30.
氟代乙烯阳离子的理论研究 总被引:1,自引:0,他引:1
用B3LYP和MP2方法及6-31G(d, p)、6-31+G(d, p)、6-311G(d, p)和6-311+G(d, p) 基组,对六种氟代乙烯阳离子做了理论研究,优化了它们的基电子态的结构,计算了对应分子的垂直电离势(VIP)和绝热电离势(AIP).结果表明,与具有非平面结构的乙烯阳离子不同,六种氟代乙烯阳离子都只具有平面结构;与分子结构相比,离子结构的C-C键增长, C-F键缩短, CCF键角变小. 自然布居分析计算表明,这些离子的正电荷主要分布在与F原子相连的C原子和各H原子上. B3LYP/6-311+G(d, p) 级别上计算的各分子的VIP和AIP值和实验值符合得很好. 使用含弥散基函数的基集可以明显提高这类分子的电离势的计算精度. 相似文献