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991.
基于BioMEMS技术,制备一种新型的Si-PDMS-玻璃结构的DNA固相萃取微流控芯片。在硅基片上制备4种固相载体,分析不同载体的性质和制备特点,优选多孔氧化硅作为萃取DNA的固相载体。对比研究芯片的封装工艺,优选压制法制备PDMS-玻璃盖片,采用粘接技术封装芯片。芯片成功提取老鼠全血中的基因组DNA,提取效率为23.5×10-9g/μL全血,并成功进行PCR反应,达到试剂盒水平。固相萃取微流控芯片具有与其他样品处理芯片、PCR芯片和电泳芯片相集成的潜力,可实现对复杂生物样品的检测和分析。 相似文献
992.
We presented 980-nm oxide-confined vertical-cavity surface-emitting lasers (VCSELs) with a 16-μm oxide aperture. Optical power, voltage, and emission wavelength are measured in an ambient temperature range of 5℃ C-80℃. Measurements combined with an empirical model are used to analyse the power dissipation in the device and the physical mechanism contributing to the thermal rollover phenomenon in VCSEL. It is found that the carrier leakage induced selfheating in the active region and the Joule heating caused by the series resistance are the main sources of power dissipation. In addition, carrier leakage induced selfheating increases as the injection current increases, resulting in a rapid decrease of the internal quantum efficiency, which is a dominant contribution to the thermal rollover of the VCSEL at a larger current. Our study provides useful guidelines to design a 980-nm oxide-confined VCSEL for thermal performance enhancement. 相似文献
993.
994.
995.
电力系统中变压器实现功率转换,需要磁场支持;占用户用电负荷70%以上电动机负荷要正常运行,需无功功率建立磁场.无功功率是电力系统正常运行必需的重要运行参数. 相似文献
996.
997.
本文给出了准确描述硅雪崩渡越时间二极管工作特性的大信号仿真模型,研究了影响硅雪崩越时间(IMPATY,Impact Avalanche Transit Time)二极管工作状态的离化率和饱和漂移速度,考虑Si-IMPATT二极管热限制的条件下,计算了二极管的最大工作电流.通过大信号仿真分析,我们得到如下结果:(1)随着温度的降低,二极管输出功率提高;(2)随着温度的降低,二极管工作频率向高端偏移,本文还建立了液氮制冷环境下IMPATT振荡器的测试系统,与常温工作相比,77K低温环境下IMPATT二极管的输出功率提高了47.8%,频率也向高端偏移了6.3%,实验结果与仿真预测一致. 相似文献
998.
999.
1000.
We demonstrate the laser performances of Nd, Y:SrF2 crystals with Nd'3+ concentrations of 0.15 and 0.43 at.%. The sample with 0.43 at.% Nd3+ concentration yields a maximum output power of 1.023 W at 1056.9 nm with a slope efficiency of 53%. The focal length of the thermal lens is analyzed for the 0.15 at.% Nd3+-doped crystal sample. An improved cavity is designed considering the thermal lens. The maximum output power is 464 mW at 1056.9 nm, with a slope efficiency of 36.1%. The wavelength is tuned within the range of 1049.74-1059.13 nm. 相似文献