我国公民权利意识的抽样调查方案设计

为全面、准确地了解我国公民的权利意识现状,本文将调查总体划分为两个子总体:大学生子总体和居民家庭子总体,设计了一套分层多阶段系统pps调查方案,给出确定各阶段样本量的原则和方法,讨论了调查中出现无回答问题的补救措施,给出了主要估计量及其精度的估计,针对调查中复杂样本的方差估计,本文提出使用刀切法进行估计。     

基于四系统估计量的人口普查净覆盖误差估计

针对当今人口普查净覆盖误差估计领域所使用的双系统估计量内含交互作用偏差和尚未投入使用的三系统估计量未有效使用人口行政记录的问题,以四系统估计量为研究目标.为实现目标,采取文献解读法、抽样估计法和现场调查法,研究4次捕获模型、全面登记的四系统估计量和抽样登记的四系统估计量.研究表明:四系统估计量须在等概率人口层建立及使用,否则产生异质性偏差;构造四系统估计量应该分两步进行,首先构造全面登记的四系统估计量,然后使用双重扩张估计量构造全面登记的四系统估计量的子总体指标的估计量,以得到抽样登记的四系统估计量;分层刀切抽样方差估计量适合于近似计算抽样登记的四系统估计量及净覆盖误差的抽样方差.研究价值在于,四系统估计量有望应用于政府统计部门未来的净覆盖误差估计.     

任意方向电偶极子在水平分层受限空间中的远区辐射场求解

任意方向电偶极子在分层受限空间中的远区辐射场求解对于分析云闪回击、对潜通信、地波超视距雷达等领域中电磁特性问题具有重要意义.本文基于镜像法和偶极子在自由空间远区辐射场,建立了三层水平受限空间模型,对其间任意取向电偶极子产生的远区辐射场表达式进行了推导,综合考虑了从源点到观测点的直达波及上、下界面的一次反射波影响.在此基础上,比较分析了频率为100 kHz, 6 MHz和10 MHz的电偶极子处于地-电离层模型中不同位置时传播的辐射特性.结果显示:对于同一位置辐射源,电偶极子的频率越高,辐射波瓣数目越多;当偶极子源的频率相同时,源点距离下界面越远,辐射波瓣数目亦越多.     

中国城市竞争力评价量化模型研究

本文建立一种将主、客观指标赋权方法优点相结合的城市竞争力综合评价分层构权主成分分析模型,在构建中国城市竞争力综合评价指标体系的基础上,基于该模型方法给出31个中国主要城市的城市竞争力的评价实例。并以并以判别分析方法对相关评价结果进行校验,实证分析的结果表明:这是一种适合于城市竞争力定量评价、稳定性较好且切实有效的方法模型。     

垂直入射时无限长分层柱电磁散射的改进算法及应用

结合非均匀球粒子对平面波散射的散射场计算的改进算法,提出了平面波垂直入射无限长分层圆柱散射场快速稳定而有效的改进电磁散射算法。与已有算法相比,改进算法所能计算的无限长非均匀介质圆柱的尺寸参量突破10000,计算层数达到106,并且计算时间很短,最多仅为几秒。该算法可以用于不同的波段以及不同领域的任意无耗或吸收无限长圆柱体散射场的计算。最后将该算法应用于梯度折射率聚合物光纤(GI-POF)散射特性的研究,为非接触、在线测量聚合物光纤折射率分布提供了理论依据。     

贝叶斯分层空间杜宾模型的MCMC估计方法及实证分析

传统空间计量模型忽略了空间自回归系数的空间异质性。本文创新性的将空间杜宾模型扩展为部分系数可变的贝叶斯分层空间杜宾模型(BHSDM),并推导了相应的H-M Gibbs混合抽样算法。本文以粤港澳大湾区为例,用大湾区内的城市间专利合作申请数据构造空间权重矩阵并分析了1994-2018年粤港澳大湾区各城市经济增长中是否存在显著的知识溢出效应,以及各城市的空间自回归系数是否有显著的空间异质性。经过实证分析,本文发现(1)知识溢出效应提高了粤港澳大湾区的经济增长速度;(2)专利申请合作给各城市带来不同的边际收益,从整体而言,香港和澳门从合作中获得的边际收益较低,珠三角城市边际收益更高。     

局部可数集族、局部有限集族与Alexandroff问题

本文引进分层强ｓ－映射和分层强紧映射建立具有σ－局部可数网、具有σ－局部可数ｋ－网、具有σ－局部可数基的正则空间以及σ－空间、－空间、ｇ－可度量空间和确定的度量空间之间的联系．这些都是对Ａｌｅｘａｎｄｒｏｆｆ问题的回答．     

Inequalities of Hadamard Type for r-Convex Functions in Carnot Groups

For a Carnot group G,we establish the relationship between extended mean values and r-convexfunctions which is introduced in this paper,which is a class of inequalities of Hadamard type for r-convexfunction on G.     

氟诺喹酮类药物分子抗肺炎克雷伯氏菌的结构活性关系研究

利用主成分分析和分层聚类分析方法研究了具有抗肺炎克雷伯氏菌的氟诺喹酮类药物分子的结构活性关系．主成分分析方法表明变量ELUMO、ΔEHL、μ、Q3、Q5、QA、lgP、MP、MR能够有效地对抗肺炎克雷伯氏菌的氟诺喹酮类药物进行分类．分层聚类方法和主成分分析方法的结果一致．这表明两种方法都能够对新的具有抗肺炎克雷伯氏菌的氟诺喹酮类药物的分类提供一个可信的规律．利用主成分分析法和分层聚类分析法对其他4个氟诺喹酮类药物分子进行分析，结果都表明有三个药物分子具有较强的抗肺炎克雷伯氏菌活性，此结果和临床结果相吻合．     

Growth of Semi-Insulating GaN Using N2 as Nucleation Layer Carrier Gas Combining with an Optimized Annealing Time

Semi-insulating （SI） GaN is grown using N2 as the nucleation layer （NL） carrier gas combined with an optimized annealing time by metalorganic chemical vapour deposition. Influence of using 1-12 and N2 as the NL carrier gas is investigated in our experiment. It is found that the sheet resistance of unintentionally doped GaN can be increased from 10^4 Ω/sq to 10^10 Ω/sq by changing the NL carrier gas from 1-12 to N2 while keeping the other growth parameters to be constant, however crystal quality and roughness of the tilm are degraded unambiguously. This situation can be improved by optimizing the NL annealing time. The high resistance of GaN grown on NL using N2 as the carrier gas is due to higher density of threading dislocations caused by the higher density of nucleation islands and small statistic diameter grain compared to the one using 1-12 as carrier gas. Annealing the NL for an optimized annealing time can decrease the density of threading dislocation and improve the tilm roughness and interface of AlGaN/GaN without degrading the sheet resistance of as-grown GaN signiticantly. High-quality SI GaN is grown after optimizing the annealing time, and AlGaN/GaN high electron mobility transistors are also prepared.