磁逆多光子非线性Compton散射的谱功率

相对论电子在强磁场中的磁逆Compton散射是一种重要的γ射线辐射机制。虽然对该问题的研究已有二十多年的历史，但对磁逆多光子非线性Compton散射谱功率的研究尚未见报道。本文采用电子与光子非弹性碰撞模型，首次给出了磁逆多光子非线性Compton散射的谱功率。     

柱状分层固体媒质的声散射

本文评述了各向同性和横向各向同性柱状分层固体声散射理论和实验研究进展介绍了描述圆柱状界面薄层特性的弹簧模型，也讨论了该领域中有待进一步研究的一些问题。     

利用光孤子机制实现超宽范围波长调谐的理论和实验研究

以获得光参量啁啾脉冲放大系统主激光与抽运光两种波长、宽带、超短脉冲的产生及精密同步为目标,探索采用光孤子机制实现超宽带宽范围的可调谐超短脉冲产生. 数值模拟了孤子传输过程中的时域-频域演化过程及与其他非线性效应的相互作用过程和特性. 实验验证了利用光孤子机制产生可调谐脉冲的方法. 同时还观察到孤子的形成、分裂、自频移等现象,在可见光到近红外波段都演示了波长可调谐的输出特性,并且与理论分析结果符合较好. 关键词： 光参量啁啾脉冲放大 可调谐脉冲产生 非线性薛定谔方程 孤子机制     

基于COSM的三维显微图像复原算法研究

光学分层显微成像技术(COSM)不仅可用于去除非聚焦层杂散光的影响以及噪声的干扰,而且能复原样本的清晰三维像,将成为提取微流体的三维温度和速度场分布信息的有效工具.本文研究了基于已知点扩展函数的6种COSM成像算法,详细讨论了6种COSM成像算法的原理和实现,构造了三维样本图像和点扩展函数模型,并对复原结果进行了分析....     

微尺度水平单管内流动沸腾特性实验研究

对非共沸混合工质R134a/R32(75/25)在水平微尺度管道内的流动沸腾换热实验结果进行了分析和讨论,以探究微细通道内流动沸腾换热的主导机制。对影响其换热的多种因素(热流密度、质量流量和质量干度)进行了分析,实验得出,当质量干度较低时,热流密度和质量流量共同控制着微尺度管内的换热方式,当热流密度的影响占主导地位时,管道内的换热以核态沸腾为主;当质量流量的影响占主导地位时,管道内的换热以强制对流为主。     

Multipeak-structured photoluminescence mechanisms of as-prepared and oxidized Si nanoporous pillar arrays

Silicon dominates the electronic industry, but its poor optical properties mean that it is not preferred for photonic applications. Visible photoluminescence (PL) was observed from porous Si at room temperature in 1990, but the origin of these light emissions is still not fully understood. This paper reports that an Si nanocrystal, silicon nanoporous pillar array (Si-NPA) with strong visible PL has been prepared on a Si wafer substrate by the hydrothermal etching method. After annealing in O₂ atmosphere, the hydride coverage of the Si pillar internal surface is replaced by an oxide layer, which comprises of a great quantity of Si nanocrystal (nc-Si) particles and each of them are encapsulated by an Si oxide layer. Meanwhile a transition from efficient triple-peak PL bands from blue to red before annealing to strong double-peak blue PL bands after annealing is observed. Comparison of the structural, absorption and luminescence characteristics of the as-prepared and oxidized samples provides evidence for two competitive transition processes, the band-to-band recombination of the quantum confinement effect of nc-Si and the radiative recombination of excitons from the luminescent centres located at the surface of nc-Si units or in the Si oxide layers that cover the nc-Si units because of the different oxidation degrees. The sizes of nc-Si and the quality of the Si oxide surface are two major factors affecting two competitive processes. The smaller the size of nc-Si is and the stronger the oxidation degree of Si oxide layer is, the more beneficial for the luminescent centre recombination process to surpass the quantum confinement process is. The clarification on the origin of the photons may be important for the Si nanoporous pillar array to control both the PL band positions and the relative intensities according to future device requirements and further fabrication of optoelectronic nanodevices.     

SERS活性表面荧光增强或淬灭的机制研究

利用银胶和银镜两种SERS活性表面,对吸附分子的荧光增强或淬灭机制进行了实验和理论研究.结果表明,荧光增强或淬灭主要取决于局域电磁场增强和分子到金属表面无辐射能量转移过程的竞争效应.当满足吸收共振增强和辐射共振增强时,荧光被增强,反之荧光被淬灭.荧光增强最大一般只为10—10²倍,远小于喇曼截面的增强. 关键词：     

均聚物结晶与熔融化转变的稳态和亚稳态统计理论III. 分子分凝统计结晶动力学～熔体内结晶增长速率的一般化表征和它们对生长机制的依赖性

首先对微晶粒尺寸增长速率的表征进行总结.从微晶核和粒—高分子链组网络结构特点(高分子链组是微晶核和微晶粒同连接链段的复合体)同增长速率间的三个相关性的特征: ①晶核和晶粒加大同连接链段缩短的并存性; ②微晶核和粒表面上连接链段的缩短机制存有简并性; ③微晶粒内和粒表面上stem的反顺式构象共存性出发.建议了一种评估和计算微晶粒尺寸增长速率的新方法和原则,基于该种计算方法和原则用统计力学和动力学相结合法推导出了高分子熔体内几种不同结晶生长机制(近邻折叠、近邻伸直分凝和近邻折叠同近邻伸直分凝并存等生长方式)下微晶粒—高分子链组中微晶粒数增长速率和微晶粒尺寸增长速率动力学方程.     

均聚物结晶与熔融化转变的稳态和亚稳态统计理论Ⅵ. 分子分凝统计结晶动力学-结晶增长速率对结晶生长机制和溶液浓度和的依赖性

首先对结晶增长速率同浓度和链柔性依赖性进行总结,然后基于微晶核和粒———高分子键组网络结构模型和高分子分子分凝统计结晶动力学,根据高分子链组是微晶粒同连接链段复合体的结构特征及它们间存在的四个相关性(并存性、简并性、顺反式构象共存性和物料守恒性)的事实,成功地把连接链段缩短增长动力方程同微晶粒体积增大增长动力方程有机结合在一起,从理论上创建出一种微晶粒数增长速率和微晶粒尺寸增长速率表达式的一般化计算法,推导出结晶体系的微晶粒数增长速率、微晶粒尺寸增长速率同四种增长机制(近邻折叠,近邻伸直,近邻折叠同近邻伸直并联并存和近邻折叠同近邻伸直串联并存)、结晶温度和和结晶浓度间定量表达式.当把浓度指数同链的构象分数相连后,就又从理论上得到了浓度指数同温度和链柔性间的关系式,并讨论了它们同增长机制间的关系.最后以大量结晶动力学实验数据对上述所得到的关系式进行了验证,结果表明它们均能同实验结果很好符合.     

n型透明导电薄膜CdIn2O4电学性质的研究和大面积制备的最佳条件

在Ar+O2₂气氛中，采用射频反应溅射Cd-In靶制备CdIn2₂O4₄ 薄膜.制得的薄膜经x射线衍射（XRD）检测为CdIn2₂O4₄和CdO相组成的多晶.从理论上分析了热 处理前后氧空位、掺杂点缺陷和富氧电子陷阱在影响膜的载流子浓度和电子散射中所起的重要作用.同时，对样品 进行Hall效应、Seebeck效应测试并得出不同载流子浓度下的迁移率、有效质量、弛豫时间以及它们之间的相互关系，特别强调