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本文从与真空接触的存在二支声子的半无限极性晶体表面附近极化子的哈密顿算符入手,应用二支模型理论,分别对GaAs和ZnO两种材料计算了内表面电子的量子像势及其极化子的有效势。计算结果表明:当Z很小时,经典像势和半经典有效势分别与量子像势和量子有效势相差较大;当Z很大时,经典像势和半经典有效势分别是量子像势和量子有效势的一个很好的近似。 相似文献
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研究了在MBE系统中,GaAs(001)表面的氮化过程。GaAs(001)表面直接和间接地暴露在等离子体激发的N2气流下。两种氮化过程显示了完全不同的表面氮化结果。在打开N2发生器挡板的情况下,氮化导致GaAs(001)表面损伤,并且形成多晶结构。当增加N2气压时,损伤变得更严重。但是,在关闭N2发生器挡板的情况下,在500℃下,经过氮化将观察到(3×3)再构的RHEED花样,表面仍保持原子级的平整度。上述结果表明,不开N2发生器挡板,低温(500℃下)氮化将在GaN外延生长之前形成平整的薄层c-GaN。 相似文献
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本文利用聚集型状态方程,克拉贝龙方程以及临界条件推出聚集活性参量方程.分析结果表明,医药的药理活性是可以用聚集活性参量予以定量表征.本文给出了某些医药的主要的药物成分,如氧化亚氮 乙醚、氯仿和水杨酸甲酯等嘛醉剂),一氧化氮(硝酸甘油)、乙醇胺(医药活性剂)和多巴胺(神经递质)的生物活性数据.实践经验表明,这些化学品分别在生命体的心血管系统、神经系统和免疫系统中起着重要的药理功能作用.这表明,本文研究的内容在医药学研究领域有其重要意义. 相似文献
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电磁波作用下分子极化率的量子力学表示 总被引:1,自引:0,他引:1
由Rayleigh和Raman散射的跃迁几率幅,引入电磁波作用下分子极化率的量子力学表示。表明极化率所感生的偶极子如何成为Rayleigh和Raman散射的源并证明在Born-Oppenheimer近似下,极化率只与分子的电子运动有关。 相似文献
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