一类多项式型的超bent函数

Bent函数是一类著名的布尔函数,它们具有偶数个变元和最大的非线性度,并且在密码、编码和序列设计方面有着广泛的应用.超bent函数是bent函数的一个重要的子类,并且具有最大的代数次数.本文提出了一类多项式型的超bent函数,利用与Dickson多项式相关的完全指数和、Kloosterman和以及Weil和刻画了这类函...     

低汉明重量序列的分布

数n的汉明重量是指n的二进制字符串表达式中数字1的个数,用Ham(n)来表示.低汉明重量序列在密码系统和编码理论中有非常广泛的应用.本文建立了低汉明重量数的序列表达式,并且利用指数和的上界以及Erd?s-Turán不等式证明低汉明重量序列的均匀分布性质,从而确保密码算法的随机性和运算效率.     

关于2种液体混合后增容的实验探究——以乙酸和苯混合为例

在化学学习过程中,学生知道分子之间是有一定间隙的,当50 mL酒精和50 mL水混合,总体积变为97.3 mL.     

香豆素类荧光传感器

荧光传感器能够将分子识别的信息转换成荧光信号,荧光法在灵敏度、选择性和实时原位检测等方面优势突出。实时检测被分析物的水平已引起包括化学家、生物学家、临床生物化学家和环境学家的极大兴趣。以香豆素为基础的荧光传感器近年来已成为一个新兴的研究热点。本文综述了香豆素类荧光传感器在阳离子、阴离子、中性分子识别检测中的分子设计、作用机理和应用效果,展望了该领域的发展方向。     

表面分子印迹研究进展

为了拓展分子印迹聚合物(Molecularly Imprinted Polymers,MIP)的应用领域,表面分子印迹作为一种新的方法,受到了极大的关注。本文首先分析了MIP传统制备方法存在的问题;然后依据印迹位点所处位置的不同,分类综述了表面分子印迹的各种方法。     

分子识别在纳米材料组装中的应用

分子识别应用于纳米材料组装中的研究正受到人们的广泛关注,并逐渐成为超分子化学研究领域中的一个热点。本文对近年来利用分子识别实现纳米材料的组装及可控组装的研究工作进行了综述,并对该领域的研究前景进行了展望。     

密度泛函理论研究间硝基苯基吡咯酰胺识别卤素阴离子

采用混合密度泛函B3LYP方法, 在LANL2DZ水平上优化间硝基苯基吡咯酰胺(NPC)及其卤素阴离子复合物的几何构型, 从几何结构参数、电荷布居、前线轨道、结合能以及热力学参数等角度探讨复合物形成过程中主体分子的构象变化以及主客体间的超分子作用. 研究结果表明, 吡咯酰胺主体分子识别卤素阴离子是一个自发过程. 识别过程包括阴离子诱导下主体分子构象转变和“活性”构象与阴离子形成氢键两个步骤. 计算表明主体分子复合阴离子过程中, 两者的前线轨道发生作用, 电子容易从卤素阴离子的HOMO向主体分子的LUMO转移. 在所形成的四种复合物NPC-X^－ (X^－＝F^－, Cl^－, Br^－, I^－)中, 以NPC-F^－最稳定, 与文献报道吡咯酰胺主体分子识别卤素阴离子能力的实验结果相一致.     

含能材料的密度、爆速、爆压和静电感度的理论研究

用密度泛函理论(DFT) B3LYP方法, 在6-31G*基组水平下, 全优化计算了系列硝胺类和硝基芳烃类爆炸物的几何构型, 用Monte-Carlo方法和自编程序, 基于0.001 e•bohr^－3等电子密度面所包围的体积空间求得分子平均摩尔体积(V)和理论密度(ρ). 用Kamlet-Jacobs方程基于理论密度(ρ)和PM3计算生成焓(ΔH_f)估算标题物的爆速(D)和爆压(p), 发现多环硝胺类化合物的爆轰性能优于芳烃硝基类化合物, 故此, 在寻求高能量密度材料(HEDM)时, 我们应特别关注多环硝胺化合物. 与ρ和D文献值比较, 表明本理论计算方法和结果是适用可靠的. 将爆速(D)和爆压(p)计算值与静电感度实验值(E_ES)进行比较和关联, 发现: 若对化合物进行细致分类讨论, 则它们之间存在较好的线性关系. 据此建议, 在含能材料分子设计中, 可通过理论计算爆轰性质(D或p)去预估难以定量求得或尚未合成的含能材料的静电火花感度值(E_ES). 此外, 我们还讨论了取代基对ρ, D和p的影响, 也有助于分子设计.